1.SGRAM与SDRAM的区别
SGRAM读写数据时不是一一读取，而是以“块”（Block）为单位，从而减少了内存整体读写的次数，提高了图形控制器的效率。我们最常见的是6ns版本，由于制造成本较高，多用于高端显卡上。
接下来显卡市场发展可以说是延续也可以看作是革命，延续是说下一代显卡沿用了SDRAM的技术核心，而革命是说它所能够提供的显存带宽有了翻天覆地的变化，这个就是DDR SDRAM。当时还同时存在DDR SGRAM和DDR SDRAM两种颗粒版本，但是由于DDR SGRAM技术规格限制，使其频率进一步提升成为了瓶颈，再加上其制造成本过高，逐步被市场所淘汰，而DDR SDRAM则发扬光大成为市场的主流。
为了区别于内存与显存，我们在叙述显存颗粒前习惯加上一个G，叫做GDDR2等，G为Graphics的简写。
2. GDDR SDRAM与GDDR2 SDRAM的区别
DDR SDRAM之后，随着技术发展逐步出现了DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM和DDR4 SDRAM等显存颗粒：与DDR SDRAM相比，DDR2 SDRAM最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。DDR2显存把DDR显存的“2bit Prefetch(2位预取)”技术升级为“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，在相同的核心频率下其有效频率比DDR显存整整提高了一倍，DDR2 SDRAM显存在目前的低端显卡上我们依然可以看到，例如：Radeon HD 2600Pro和GeForce 8500GT等。
3. GDDR2 SDRAM与GDDR3 SDRAM的区别
GDDR3较GDDR2主要有5大改变，分别是：
逻辑Bank数量：GDDR3起始逻辑Bank为8个，并且还可以扩展为16个逻辑Bank，而GDDR2仅为4 Bank或8 Bank。
封装：GDDR3在引脚方面有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
突发长度：由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而DDR2为4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
寻址时序：DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。
点对点连接：这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。
4. GDDR4显存
GDDR4显存颗粒拥有更先进的制造工艺和更低的工作电压，并且可以工作在更高的工作频率下，使显卡可以得到更大的显存带宽，其中当前显存带宽的记录就是采用GDDR4显存颗粒的2900XT显卡所创造的，显存带宽为102.4GB/s。
目前GDDR3显存颗粒可以提供最快达2.0GHz的频率，已经可以满足当前顶级显卡对于显存带宽的需求，从先阶段来看GDDR4还没有真正的用武之地。但是随着显卡GPU性能逐步提升，其对显存带宽的需求也是越来越高，能够提供更大显存带宽的GDDR4显存颗粒必然会得到更加广泛的应用，从GDDR显存过渡到GDDR2、GDDR2过渡到GDDR3等都可以得到印证。