美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存（英文发布资料）。该闪存一个芯片的容量为32Gbit，可用于SSD（固态硬盘）（参阅相关报道）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。
两公司共同开发的32Gbit产品的样品供货将从6月开始。34nm是目前业界最尖端的工艺，该芯片“在量产品中是bit密度最高的元件”（美光存储器部门副总裁Brian Shirley）。芯片面积为172mm2，可采用标准48针的TSOP（薄型小尺寸封装）。
美光和英特尔目前正在量产50nm工艺的NAND型闪存。此次直接越过40nm级、把工艺水平提高到34nm，目标是缩小与市场领先的韩国三星电子及东芝间的差距。