据南韩联合新闻社周三报导，南韩两大DRAM制造商三星（Samsung）与海力士（Hynix）将破天荒合作，携手开发新一代内存芯片STT-MRAM，以对抗日本对手重新主宰半导体市场的野心，力保南韩在全球内存市场的龙头地位。
报导指出，分居全球第一大与第二大DRAM厂的三星和海力士，将联合研发「旋转力矩转移随机存取内存（STT-MRAM）」，预料将成为新世代450mm（18吋）晶圆制程市场的产业标准。此一新式芯片将协助研发人员克服当前的产能限制，在闪存发展方面扮演重要角色。而这项结盟计划也有助于两家业者于国内取得重要基础技术，如此一来就毋须支付权利金给外国公司。
两大业者指出，这项订于今年9月展开的STT-MRAM联合研发计划若顺利的话，不仅能对抗日本竞争同业欲再度称霸半导体市场的野心，还有约5亿美元的权利金收益落袋。