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传输标准代表着对内存速度方面的标准。不同类型的内存，无论是SDRAM、DDR ...

传输标准代表着对内存速度方面的标准。不同类型的内存，无论是SDRAM、DDR SDRAM，还是RDRAM都有不同的规格，每种规格的内存在速度上是各不相同的。传输标准是内存的规范，只有完全符合该规范才能说该内存采用了此传输标准。比如说传输标准PC3200内存，代表着此内存为工作频率200MHz，等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常说的DDR400。 PC100 PC100是由JEDEC和英特尔共同制订的一个SDRAM内存条的标准，符合该标准的内存都称为PC100，其中的100代表该内存工作频率可达100MHz。JEDEC （Joint Electron Device Engineering ...

fb-dimm串行内存技术，fb-dimm的全称是“fully buffered dimm（全缓存模组技术）”，大家从其名称中便可直观了解到它的设计思想。如上面所述，fb-d ...

DDR4 ...

EPP标准是传统内存SPD的扩展，EPP标准允许内存厂商在SPD当中不使用部分集成额外的模块性能数据，让兼容EPP标准的主板读取和利用到这些额外的性能数据。尽管EPP内存可以在任何主板上使用，但是只有支持EPP内存BIOS的主板.这是一种新的开放式标准内存规范，通过重新定义66-127Bytes的SPD数据区域，允许内存厂商整合额外内存参数。 简单的说，EPP技术可以通过扩展内存SPD数据和命令区域实现自动超频。有了这项技术，内存厂商就可以自由地制定内存的默认参数，并把最优化的频率、电压、时序等参数写入SPD芯片，硬件玩家只要在BIOS中设置SLI-Memory ...

EPP（Enhanced Performance Profiles，增强型性能档案）内存标准。EPP标准可以让用户更加容易地设置、保存高性能内存DIMM当中的内存参数，以进一步提升系统整体性能。EPP标准是传统内存SPD的扩展，EPP标准允许内存厂商在SPD当中不使用部分集成额外的模块性能数据，让兼容EPP标准的主板读取和利用到这些额外的性能数据。尽管EPP内存可以在任何主板上使用，但是只有支持EPP内存BIOS的主板， ...

DDR3是继DDR2以及更早的DDR内存技术之后的新一代产品，该产品将打破千兆赫速度的局限性，将内存速度提升到一个前所未有的水平。DDR3内存的特点是更快的速度、更高的数据带宽、更低的工作电压和功耗，以及更好的散热性能。DDR3内存设计的目的是支持需要更高数据带宽的下一代四核处理器，使其性能更出色。DDR3内存模块分为1066MHz、1333MHz和1600MHz三种频率（数据传输速率），其中1066MHz和1333MHz DDR3于2007年全面面市，1600MHz DDR3计划于2008年正式推出。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式，采用更为先进的FBGA封装。DDR ...

DDR的总线一般分为3组，数据组、地址/控制组、时钟组，其中，数据组由DQ数据线，DM数据屏蔽线，DQS锁存线组成，他们之间有共同的等长关系。地址/控制组由地址和控制线组成，他们之间又是有共同的等长关系。 为什么两组线与时钟的等长关系不同？因为速率不同。目前DDR的时钟基本上是采用源同步差分时钟。数据线在时钟的上升和下降源都采样数据。地址/控制线仅在时钟的上升沿采样速据。数据的速率是同等时钟SDRAM的两倍，因此叫DDR，而地址的速率没有增加。数据比时钟的时序更紧张，因此等长关系会更严格。而时序电路的工作模式可以比较简单的分成同步模式、源同步模式等等。 同步模式：时钟是有晶振出，分别到达主芯片和memory芯片的 同步模式的时序计算，可以根据时钟和地址以及时钟和数据之间的时序关系图来计 ...

ram 中高于 1mb 的部分。大多数使用扩展内存的软件（例如 windows 操作系统）均要求扩展内存必须由 xmm 控制，286有24位地址线，它可寻址16MB的地址空间，而386有32位地址线，它可寻址高达4GB的地址空间，为了区别起见，我们把1MB以上的地址空间称为扩展内存XMS（eXtendmemory）。 ...

内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。但也并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。 CAS延时，有时也称为CL或CAS，是RAM必须等待直到它可以再次读取或写入的最小时钟数。很明显，这个数字越低越好。  tRCD是内存中特殊行上的数据被读取/写入之前的延迟。这个数字也是越低越好。  ...