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DDR3是继DDR2以及更早的DDR内存技术之后的新一代产品，该产品将打破千兆赫速度的局限性，将内存速度提升到一个前所未有的水平。DDR3内存的特点是更快的速度、更高的数据带宽、更低的工作电压和功耗，以及更好的散热性能。DDR3内存设计的目的是支持需要更高数据带宽的下一代四核处理器，使其性能更出色。DDR3内存模块分为1066MHz、1333MHz和1600MHz三种频率（数据传输速率），其中1066MHz和1333MHz DDR3于2007年全面面市，1600MHz DDR3计划于2008年正式推出。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式，采用更为先进的FBGA封装。DDR ...

DDR的总线一般分为3组，数据组、地址/控制组、时钟组，其中，数据组由DQ数据线，DM数据屏蔽线，DQS锁存线组成，他们之间有共同的等长关系。地址/控制组由地址和控制线组成，他们之间又是有共同的等长关系。 为什么两组线与时钟的等长关系不同？因为速率不同。目前DDR的时钟基本上是采用源同步差分时钟。数据线在时钟的上升和下降源都采样数据。地址/控制线仅在时钟的上升沿采样速据。数据的速率是同等时钟SDRAM的两倍，因此叫DDR，而地址的速率没有增加。数据比时钟的时序更紧张，因此等长关系会更严格。而时序电路的工作模式可以比较简单的分成同步模式、源同步模式等等。 同步模式：时钟是有晶振出，分别到达主芯片和memory芯片的 同步模式的时序计算，可以根据时钟和地址以及时钟和数据之间的时序关系图来计 ...

ram 中高于 1mb 的部分。大多数使用扩展内存的软件（例如 windows 操作系统）均要求扩展内存必须由 xmm 控制，286有24位地址线，它可寻址16MB的地址空间，而386有32位地址线，它可寻址高达4GB的地址空间，为了区别起见，我们把1MB以上的地址空间称为扩展内存XMS（eXtendmemory）。 ...

内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。但也并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。 CAS延时，有时也称为CL或CAS，是RAM必须等待直到它可以再次读取或写入的最小时钟数。很明显，这个数字越低越好。  tRCD是内存中特殊行上的数据被读取/写入之前的延迟。这个数字也是越低越好。  ...

内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前较为主流的内存频率室333MHz和400MHz的DDR内存，以及533MHz和667MHz的DDR2内存。计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度，在石英芯片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过芯片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法 ...

ECC是 Error Checking and ...

1．领料点收 2．进料目检 (重点：SMT制程造成空焊、缺件、刮伤) 3．确认工单与SPD数据 4．折板、SPD烧录 (烧录时每次以6支为限) 5．SPD数据比对 (每盒抽检 ，至少6支抽验1支) 6．双通道M/B测试 (Memtest-86orR.S.T1Loop 双 插 ) A直通 ( 一次制程 )B维修品 (二次制程)＝＝》维修＝＝》通道M/B测试 (Memtest-861Loop 双插) ＝＝》SPD数据比对 7．雷射、贴纸 8．管检验与兼容性抽验 ( AQL标准： 0.65)( SPD资料缺失列为严重缺失) 9. 装、出货

PCB是英语Printed circuit board的缩写，汉语：印刷电路板。它几乎会出现在每一种电子设备当中，如果在某样设备中有电子零件，那么它们也都是镶在大小各异的PCB上，除了固定各种小零件外，PCB的主要功能是提供上头各项零件的相互电气连接。随着电子设备越来越复杂，需要的零件越来越多，PCB上头的线路与零件也越来越密集了。 ...

BANK：BANK是指内存插槽的计算单位(也有人称为记忆库)，它是计算机系统与内存间资料汇流的基本运作单位。 　　内存的速度：内存的速度是以每笔CPU与内存间数据处理耗费的时间来计算，为总线循环(bus cycle)以奈秒(ns)为单位。  　　内存模块 (Memory Module)：提到内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips，而这内存芯片通常是DRAM芯片，但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)的数量和个别芯片(chips)的容量，是决定内存模块的设计的主要因素。  　　SIMM (Single In-line ...

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。    ...