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无论NAND还是NOR，两者在基本的数据存储方式和操作机理上都大致相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管(场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control ...
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OneNAND结合了NAND存储密度高、写入速度快和NOR读取速度快的优点，整体性能完全超越常规的NAND和NOR。不过三星并不是希望它快速取代传统的NAND，而是将其作为NOR的竞争者。在具体实现上，OneNAND其实并不复杂，三星并不是采用另起炉灶的方式来设计它，而是巧妙地将NAND与NOR的结构融为一体。OneNAND采用NAND逻辑结构的存储内核和NOR的控制接口，并直接在系统内整合一定容量SRAM静态随即存储器作为高速缓冲区。这样，OneNAND就可以在容量指标上与NAND闪存靠拢，目前它的最高密度指标达到4Gb，虽然在容量上略不如NAND但比NOR闪存要高出许多。
NAND内核并不具备本地执行代码（XIP）的能力，但这项功能对各种需要快速程序运行终端设备来说非常重要。三星作出的 ...
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黑片就是指芯片工厂选出的淘汰的次品，没有打上工厂标，和芯片型号的芯片，这样的芯片都经过个种渠道流通到市场上来，现在很多U盘大厂大量的采购芯片厂选下的坏块多的芯片，经过技术处理，做成产品，来降低他们的成本！白片比黑片好一点质量的，人为的给打上各种标！但不是真正工厂打的标！同时白片也可指白卡，也就是表面什么都没有打的闪存卡。一般闪存行业有黑片，白片，中性卡之说。所谓黑片，主要是指表面没有打上雷刻的Flash芯片，如K9K8G08U0A-PCB0的SLC芯片，没有这个型号打上，就是黑片。白片主要是指表面什么都没有打的闪存卡，连是什么卡都没有标明。中性卡是指表面有打上有Micro SD, ...
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固态硬盘－－SSD（Solid State ...
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作为 EPROM（可擦除可编程只读存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）两种存储器的折衷，闪存是20世纪80年代问世的。像EEPROM存储器一样，闪存支持电擦除数据；保存新数据闪存无需擦除整个存储阵列。像EPROM存储器一样，闪存阵列的架构是每单元一个晶体管结构，使芯片厂商能够制造出成本效益和存储密度更高的存储器。
首先，闪存受益于PC机市场的飞速增长。在PC时代刚刚开始时，易失性存储器DRAM (动态随机存取存储器)和SRAM (静态随机存取存储器) 虽然固有数据易失性的缺点，但仍然是两个最重要的存储器。随着设计和工艺技术的进步提高了闪存技术的密度和可用性，作为对现有的 SRAM和 DRAM子系统的一种补充，闪存断电保留数据和高速度读取的性能加快了其在市场上的推广应用。 ...
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MLC（Multi-Level-Cell）技术，由英特尔于1997年率先推出，能够让单个存储单元保存两倍的数据量。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案，可大幅节省制造商端的成本，但是MLC NAND颗粒制成的CompactFlash卡相较于SLC（Single-Lecel_Cell）内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点，MLC颗粒制成的产品只有10X（1.5Mbyte/sec）的写入速度，SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X（3.2Mbyte/sec）的写入速度。Intel 在1997年9月最先开发成功，能够让单个存储单元保存两倍的数据量；
SLC 与 MLC 的参数对比：
Item
SLC
MLC ...
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虽然S S D比磁盘技术似乎有巨大的优越性，但是也存在着一些缺点。首先它的价格昂贵，因为内存的花费差不多是磁盘存储的1 0 0倍。其次，它们通常由易失型D R A M组成，一旦断电，数据将永久地丢失。为了避免数据丢失，S S D应该采用后备电池保护。最后，因为S S D并不是缓存，因此，它不是将少量的数据块刷新到非易失存储，而是将S S D的整个内容进行拷贝。虽然对于目标磁盘驱动器或子系统，其容量及持续写的传输率也不尽相同，但对这个操作的合理估计是1 G B / m i n。
其管理方法之一是使用磁盘驱动器来镜像S S D，然而，处理镜像驱动器的I / O却需要额外的开销，这就对S S D的整体I / ...
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亲爱的会员您好：
为配合市场产品变动，我们修改了部分闪存卡报价型号，将更多新型号产品报价呈献给您。
删掉型号:
Apacer：
MMC Mobile 512MB
MicroSD(TF) 512MB
Kingmax ：
SD 512MB
MiniSD 512MB
MMC Mobile 512MB
Kingston：
SD 512MB
MicroSD(TF) 512MB
增加型号:
Kingmax：
MiniSD ...
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1.SSD（solid state disk）固态硬盘
目前的硬盘（ATA 或 ...
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NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In ...
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