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DDR2内存延迟详解
内存的存储单元不会一直处于可用状态，因此它们要进行刷新操作。而且，即使存储单元可用，也不可能立即得到它的内存：这里还有其它类型的延迟，如设置行和列的地址，这此延迟都是不能避免的，它们由 DRAM 单元的本质所决定。内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好。
如内存阵列工作的时钟组合是2-2-2，如果内存阵列在所有的方案中以相同的频率工作，那么所有的模组都具有同样的延迟(PC100，DDR200，DDR2-400) 。它们仅仅是带宽的区别。顺便提一下，2-2-2 组合的含义是：CAS延迟，RAS 到CAS的延迟和RAS 预充电时间。第一个数字是取得列地址的延迟时间，第二个数字是行和列地址之间的延迟，第三个数字是存储单元充电时间，预充电实际上是对行数据进行读操作。
实际上，存储单元不会工作在相同的频率上，举例来说PC133 就是一个使用非常普遍
的SDRAM，它的DRAM 单元工作在133MHz 上。因此，DDR200 虽然有着比PC133 更高的带宽，但是它的相应延迟却更慢(内部阵列的工作频率仅100MHz)，PC133 的存储单元的频率要比DDR200 存储单元的频率高33%。结果就是，DDR266 才具有和PC133 一样的延迟上的优势。
DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400 和DDR400 具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是，DDR400的存储阵列工作频率是200MHz，而DDR2-400的存储阵列工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400 的延迟要高于DDR400。同理可证其它频率的DDR2内存延迟。
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