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DDR3和DDR2的核心特性比较
DDR3和DDR2的核心特性比较
DDR3 DRAM DDR2 DRAM
芯片封装 FBGA FBGA
Pin脚数目 96ball x16 78ball x4、x8
78ball x16 60ball x4、x8
工作电压 1.5V 1.8V
组织 512Mb - 8Gb 256Mb - 4Gb
内部bank数量 8 (512Mb、1Gb、2Gb、4Gb、8Gb) 4 (256Mb、512Mb) 8 (1Gb、2Gb、4Gb)
预读取 8bit 4bit
突发长度 BL4、BL8 BL4、BL8
突发类型 Fixed、MRS或OTF Fixed、LMR
附加延迟(AL) 0、CL-1、CL-2 0、1、2、3、4
读取延迟(RL) AL+CL(CL=5、6、7、8、9、10) AL+CL(CL=3、4、5、6)
写入延迟(CWD) AL+CWL (CWL=5、6、7、8) RL-1
频率范围 200MHz- 800MHz 133MHz - 400MHz
模组频率范围(DDR) DDR3-800、DDR3-1066、DDR3-1333、DDR3-1600 DDR3-533、DDR3-667、DDR3-800
模组类型 DIMM、SO-DIMM、Micro-DIMM、FB-DIMM2 DIMM、SO-DIMM、Micro-DIMM、FB-DIMM
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