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解读Flash颗粒命名方式
随着微软Vista操作系统的推广普及，大容量DRAM 及NAND Flash需求急剧上升。因为Vista系统中的ReadyBoost是Microsoft下代操作系统Vista推出的一项技术，能透过闪存减少常用软件需从较慢的硬盘中读取，把读取的延误减至最低。我们可以看出NAND Flash将在今后不断扩大应用范围。相信有不少人士十分关注DRAM和FLASH产业，尤其是来到全球专业的内存闪存情况报价站http://www.dramx.com，很多会员对上图画线部分含义不是十分了解。为此特整理些资料供大家参考：
1.图中画红线部分
如Samsung或Hynix是指Flash颗料制造厂商的英文名称。中文名为：三星、海力士
当然还有其它品牌，在此不一一列举。
2.图中画蓝线部分
如8G是指颗粒的容量，但是单位是bit，换成我们常用的容量单位Byte要除以8，即标识为8Gb的Flash实际上是1GB的单颗闪存容量。相信图中的16G、4G大家也都会算了。
3.图中画黑线部分
SLC是指单层式储存的Flash芯片，MLC是指多层式储存的Flash芯片。至于它们有什么不同，您可以参考这篇文章：
http://www.dramx.com/Information/Knowledge/FLASH/Post/6864/Default.aspx
4.图中画绿线部分
图中画绿线的部份如（G8G）（LAG）（UV）是该颗粒的料号，当然不同品牌的料号定义是不同的。我们拿这个三星的闪存颗粒举例说明其含义：
Samsung 8G MLC (G8G)
G8G中第一个G代表MLC Normal，后面两个8G则代表容量为8G bit。有人可能会问，那么LAG又是指的什么呢？其实我们可以看下面的这个定义表就可以找出答案了。需要说明的是，不同公司的产品，料号定义是不同的。其它品牌查询方法类似。如果您想查询更多品牌的IC料号，请点击http://www.dramx.com/partno.aspx
附：三星闪存料号对照表
单、多级分类
1 : SLC 1 Chip XD Card
2 : SLC 2 Chip XD Card
4 : SLC 4 Chip XD Card
A : SLC + Muxed I/ F Chip
B : Muxed I/ F Chip
D : SLC Dual SM
E : SLC DUAL (S/ B)
F : SLC Normal
G : MLC Normal
H : MLC QDP
J : Non-Muxed OneNand
K : SLC Die Stack
L : MLC DDP
M : MLC DSP
N : SLC DSP
Q : 4CHIP SM
R : SLC 4DIE STACK (S/ B)
S : SLC Single SM
T : SLC SINGLE (S/ B)
U : 2 STACK MSP
V : 4 STACK MSP
W : SLC 4 Die Stack
容量密度
12 : 512M
16 : 16M
28 : 128M
32 : 32M
40 : 4M
56 : 256M
64 : 64M
80 : 8M
1G : 1G
2G : 2G
4G : 4G
8G : 8G
AG : 16G
BG : 32G
CG : 64G
DG : 128G
00 : NONE
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