相变内存技术（Phase-Change Memory）：通常称为PCM技术或相变RAM技术，是通过加热的方法改变硫属化物玻璃（chalcogenide glass）的晶体状态，从而实现信息的存储。

1.    相变内存概述
    平常我们所常见的内存，基本都是DRAM（动态随机访问存储器），一旦没有持续的电力，所存储的数据就会立即消失，这就直接导致目前的PC必需经历一段不短的时间进行启动才能正式使用，而无法像其他家电一样即开即用。如果说Intel已经流产的FB-DIMM只不过是一种规格标准，那么相变内存和磁内存则是未来真正的核心技术。按照英特尔官方的解释，“该技术结合了DRAM内存的高速存取和闪存在断电之后仍可以保存信息的优点，因此有望在未来同时取代DRAM和闪存这两种技术。”
2.    相变内存的原理
    相变内存实现的原理，是“通过加热的方法改变硫属化物玻璃的晶体状态，从而实现信息的存储。” PCM内存的存储结构由IBM、旺宏和奇梦达共同取得的PCM相变存储器成果极其重要，因为它不仅推出了一种新型非易失性相变材料（转换速度比闪存快500倍，功耗不到闪存的一半），最重要的是，当其尺寸缩小为至少22纳米时，依然可实现这些性能，远远领先浮栅闪存。该相变存储器的核心是一小片半导体合金膜，它可以在有序的、具有更低电阻的结晶相位与无序的、具有更高电阻的非结晶相位之间快速转换。因为无需电能来保持这种材料的任意一种相位，所以，相变存储器是非易失性的。简单的来说，就是一种非易失性DRAM，这是一个同时拥有内存条的存储传输效率，和FLASH存储的非易失性的比较完美的方案。
3.    相变内存的优势
    相变内存的优点是，可以在不删除现有数据的情况下写入数据，这比如今的内存更为快捷。同普通的Flash芯片相比，PCM内存的数据写入时间仅为1/500s，写入时的耗电量也不足Flash芯片的1/2。并且IBM称，目前的PCM内存的设计可以在22nm工艺的时候依旧不需要进行很大的修改，其更适应先进制程来制造。IBM同时宣称，从存储密度来说，PCM也更有优势，即使其存储单元面积降低到60平方纳米，其依旧可以完成存储工作。
  总而言之，相变内存至少在写入速度、读写寿命和功耗上，与闪存相比具有明显的优势，而与传统内存相比，又具有非易失性的优点，就一旦实现量产，其应用领域而言，前途不可限量。