【存储器】 3大厂商不扩产 DRAM红到明年

  • 来源:中时电子报 原作者:涂志豪 2017-08-24

三大DRAM厂扩产计划一览

今年DRAM市场供不应求且价格持续调涨,包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂的资本支出动向备受市场关注。根据模组业者消息,三星原本计划用来大扩存储器产能的Line 18,已决定转向建置晶圆代工生产线,SK海力士、美光的投资只用于1x/1y纳米制程升级,没有扩建新晶圆厂打算。

由此来看,DRAM市况可望一路好到明年,包括下半年DRAM价格会逐季调涨,明年价格走势看来也是易涨难跌。法人看好南亚科、华邦电、创见、威刚、宜鼎等DRAM厂及模组厂营运表现,不仅营收及获利将逐季成长到年底,明年营运表现会比今年更好。

今年以来DRAM市场供给吃紧且价格逐季调涨,以下半年市况来看,DRAM缺货问题仍然难以纾解,标准型、服务器DRAM第三季合约价将再涨5~10%,行动式DRAM及利基型DRAM合约价将再涨3~5%。第四季因为是传统旺季,业者推估价格将续涨5%左右。

由于DRAM供不应求已影响到PC及手机出货,在客户压力下,三大DRAM厂仍决定透过现有厂房提高投片量,或透过制程微缩来增加产能,并没有任何兴建新DRAM厂计划。

龙头大厂三星的下半年DRAM产能已全数卖光,现在可能会把Line 17厂部份NAND Flash产能移转到平泽(Pyeongtaek)厂,再想办法在Line 17现有厂房中再挤出4~5万片DRAM产能,但相关产能开出应会在明年下半年。至于原本计划用来扩大存储器产能的Line 18厂,现在看来将以晶圆代工产能为主体,不会对DRAM市场供需造成影响。

SK海力士虽宣布大举拉高今年资本支出37%至9.6兆韩元(约86亿美元),扩充大陆无锡DRAM厂及韩国清州(Cheongju)NAND Flash厂设备投资,希望产能建置提前在2018年第四季完成,但因资金多用于技术升级,产能只会增加3~5%,不会对市场供需造成冲击。另外,SK海力士已想办法在M14厂挤出2万片空间建置新生产线,产能开出也得等到明年下半年。

美光的日本广岛厂及桃园厂已满载投片,台中厂第二期开始建置17纳米产能,仍有可扩充3~4万产能空间,但美光目前投资重点在于如何将DRAM制程由20纳米转入17纳米,明年底前应看不到新产能开出。

 

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