集邦全球电子交易市集 DRAMeXchange

【市场观察】美光半导体执行长Steve Applet...
2012-02-04
DRAM产业今天出现一则令人感到悲痛的新闻 – 美光半导体执行长Steve Appleton于二月3日清...

【专题报导】专利战持续上演多元化战略下苹果仍难舍...
2011-11-07
全球半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)，与众多厂商在产品供应上有着非常不错的合...

◇市场观察◇

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【市场观察】美光半导体执行长Steve Appleton辞世，半导体产业痛失英才 2012-02-04 DRAM产业今天出现一则令人感到悲痛的新闻 – 美光半导体执行长Steve Appleton于二月3日清晨在一场爱达荷州Boise一场小型飞机的空难中不幸罹难，享年51岁，由于Steve意外过世，在董事会指派接替人选前，其职务将由原订2012年八月退休的总裁兼COO Mark Durcan代任过渡执行长...
【市场观察】NAND Flash品牌厂商2011年第四季营收排行分析 2012-02-02 2011年第四季NAND Flash市场在欧洲主权债券风暴持续发酵，为全球经济复苏带来了不确定的阴影笼罩下，使得市场对传统第四季旺季产生了旺季不旺的预期心理，在库存回补需求仅靠少数平板计算机及智能型手机客户的OEM订单支撑下，加上供货商2xnm级制程产出比重提高并持续推升市场的位元供量下，使得2011年第四季NAND Flash价格呈现缓跌的走势...
【市场观察】1月下旬合约价4GB率先起涨，DRAM厂亏损可望收敛 2012-01-31 根据集邦科技（Trendforce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查，虽然1月下旬DRAM合约价在2GB仍以持平价位开出，均价维持在9.25美元，但4GB最高成交价已超越上旬的17美元，成交价在17.25美元区间，由于内存模块需求动能4GB比起2GB显著，整体成交量已经往均价至高价区间移动。
【市场观察】农历年长假前观望氛围下1月上旬NAND Flash合约价大致持平 2012-01-17 根据集邦科技（Trendforce）旗下的DRAMeXchange的调查，随着中国农历年长假将近，目前NAND Flash市场弥漫着观望的气氛，且一些下游客户目前手头的库存水位仍然足够，因此多数客户不愿意在节前显著地提高采购量...
【市场观察】1月上旬合约价持平但成交价有往上趋势，2月甚至1月下旬起DRAM合约价上涨可能性高 2012-01-12 根据集邦科技（Trendforce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查，1月上旬DRAM合约价仍以持平价位开出，DDR3 4GB均价固守16.5美元，DDR3 2GB均价则维持在9.25美元，但整体成交量已从低价区渐渐转向平均价格移动，除了减产效应于第一季正式发酵，目前合约价格仍属历史低价，部份PC-OEM厂已缓步拉高库存水位，并开始接受较高价格的合约价，加上硬盘短缺问题在第一季陆续获得纾解，PC出货将在二月后将回复正常。
【市场观察】尔必达短债四月到期，财务状况引爆产业整并臆测 2012-01-03 在时序进入2011年年末，尔必达爆出财务危机，除了传出尔必达已向日本政府寻求纾困，亦传出日本政府协调东芝出面接管的传闻，若此举成真，尔必达将会是在此波DRAM寒冬下首家被整并的DRAM厂。
【市场观察】十二月下旬NAND Flash合约价下滑3%-8%，中国农历年备货保守 2012-01-02 根据集邦科技（Trendforce）旗下的DRAMeXchange的调查，由于市况持续不明，部分供货商与买方对于价格后市的看法较不一致，因此在交易冷清的情况下，12月下旬主流NAND Flash MLC合约价较12上旬的价格微幅下滑约3%-8%。
【市场观察】12月下旬DDR3合约价持平开出，2GB模组价守住美金9元价位 2011-12-27 根据集邦科技（Trendforce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查，虽然时序进入12月下旬传统PC出货淡季，十二月下旬合约价格与上旬相较呈现持平的价格走势，DDR3 4GB均价维持于16.5美元，DDR3 2GB均价亦守9.25美元，合约价于下半年漫长的跌幅走势中总算于年末出现止跌的迹象，2Gb颗粒在均价维持0.88美元。
【市场观察】年终假期前市场买气观望使12月上旬NAND Flash合约均价呈现部分持平及部分下跌5-7%的状况 2011-12-16 由于自4Q11初以来市场已先预期今年的4Q年终假期电子销售旺季效应可能会受欧债风暴的影响而呈现旺季不旺的状况，因此NAND Flash价格虽已在3Q11的有过较明显地下跌修正，虽然9-10月部分系统客户的OEM订单需求稍有回温，但4Q11价格仍然呈现持续缓跌的状况
【市场观察】12月上旬DDR3 4GB合约价续跌6%，2Gb颗粒价格跌破0.9美元 2011-12-13 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，由于泰国洪灾冲击HDD产业尚未完全解除，加上时序进入12月传统PC出货淡季，十二月上旬合约价格仍呈现下跌的价格走势，DDR3 4GB均价来到16.5美元，跌幅约6%，DDR3 2GB，均价来到9.25美元，跌幅近3%。
【市场观察】经济因素影响需求，十一月下旬NAND Flash合约价下跌4%-6% 2011-12-01 根据集邦科技的调查，受到泰国水患的影响造成硬盘供应链的断链，导致固态硬盘（SSD）需求急单在十一月份陆续开始浮现，但系统产品终端包含个人计算机、智能型手机、平板计算机等出货持续下滑，而记忆卡零售市场则由于泰国洪涝打乱数字相机供应链而跟着下滑
【市场观察】2012年笔电年成长率达8.8%，Ultrabook将肩负产业重责大任 2011-11-30 根据集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange指出，2011年笔记本电脑整体产业在经历总体经济疲弱、三月日本地震与十月泰国洪灾影响下，年成长率仅有约1%，随着2012年Ultrabook的兴起与Windows 8问世，2012年预期将有8.8%的年增率。
【市场观察】集邦科技：十一月下旬合约价续跌逼近8%，2GB合约价正式跌破10美元价格水位 2011-11-28 根据集邦科技（TrendForce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查，由于时序步入PC出货淡季加上泰国洪灾影响硬盘供应炼下，十一月下旬合约价再度呈现下跌的走势，DDR3 4GB均价来到17.5美元，跌幅约7.9%，DDR3 2GB则正式跌破10美元价位，均价来到9.5美元，跌幅近7.3%。从市场面来观察，由于十一月PC-OEM买货意愿不高甚至传出部份订单被取消的状况
【市场观察】DRAMeXchange:需求不如预期，11月上旬NAND Flash合约价持续走跌 2011-11-16 根据集邦科技（TrendForce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查，11月上旬主流的NAND Flash合约价因为OEM与零售通路（Retail channel）的销售不如预期，所以较上期下跌约2~4%。高容量产品价格下滑的主因来自于PC、智能型手机与平板计算机的销售疲软。
【市场观察】DRAM十一月上旬观望气氛浓厚，2GB合约价暂守美金10元 2011-11-15 根据集邦科技（Trendforce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查，DRAM合约价虽然自十月起受惠于旺季需求而出现止跌走势，但时序进入十一月份，泰国洪灾让原先硬盘供应链出货出现隐忧
【市场观察】DRAMeXchange：第三季总营收大幅衰退19.4%，唯三星DRAM市占率逼近45%持续攀升 2011-11-01 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业于第三季度营收总计为约65.66亿美元，由于总体经济持续疲弱、供过于求情况加剧，导致第三季DDR3 2Gb合约价均价下跌35%，第三季总营收与上季相较大幅衰退19.4%
【市场观察】DRAMeXchange:库存回补力道不足，10月下旬NAND Flash合约均价跌幅增加 2011-11-01 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，10月下旬主流的NAND Flash合约价因年底销售旺季需求不如预期而较上期下跌约4%~8%。高容量的产品下滑主因来自于智能型手机与平板计算机销售的不如预期，而随身碟与记忆卡市场的销售则仍依旧未见的起色
【市场观察】NAND Flash品牌厂商3Q11营收排行分析 2011-10-31 3Q11 NAND Flash市场在欧洲债券风波及美国财经议题争议的影响下，传统的3Q旺季备货需求递延到9月初才开始回温，7-8月记忆卡及UFD通路市场的需求依然疲弱，且除了某些系统产品客户有稳定的OEM外，多数下游客户在7-8月多仍在去化手头的过剩库存，因此NAND Flash价格到９月份方因部份系统客户准备其４Q新产品上市的备货效应才出现止跌回稳的状况
【市场观察】DRAM十月报价持稳，泰国洪灾影响硬盘供货，是否波及PC-OEM仍待观察 2011-10-26 根据集邦科技（Trendforce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查，DRAM合约价格自五月大幅下跌达47%至今，十月合约价格出现止跌走势，其主因受惠于传统旺季需求及时序进入第四季初DRAM原厂较无出货压力下，十月份DRAM合约价格表现持稳，下旬合约价皆以持平开出，DDR3 2GB及4GB合约均价分别在10.5美元及19.5美元价位，而颗粒价格仍维持在DDR3 2Gb 1.06美元左右。
【市场观察】集邦科技：2012年NAND Flash需求更多元，产业稳健成长 2011-10-24 根据集邦科技（TrendForce）的调查，受惠于智能型手机、平板计算机强劲出货力道，同时超薄笔电（Ultrabook）的兴起与云端运算所带动服务器的成长，也加速固态硬盘（Solid-State-Drive）渗透率的提升，而明年英特尔可望在新运算处理器平台Ivy Bridge中直接将USB 3.0规格内建其中，也将带起另一波USB 3.0随身碟的更换需求，整体NAND Flash产业将持续保持高度成长。因此，集邦科技认为...
【市场观察】年终假期备货需求支撑，10月上旬NAND Flash 合约均价大致稳定 2011-10-17 由于今年的2H11旺季备货需求递延到9月份才回温，因此预期部分来自智能型手机与Ultrabook新机上市效应及年终假期旺季库存回补等需求，将可望持续到11月初，故10月上旬NAND Flash合约均价仅呈现小幅的涨跌互见状况
【市场观察】十月上旬合约价DDR3 4GB合约价持平开出，唯后市仍充满不确定性 2011-10-12 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，受惠于圣诞档期库存回补与第三季季末结算告一段落，DRAM市场十月上旬合约价表现稳定，DDR3 4GB合约价以19.5美元持平开出，DDR3 2Gb则小跌0.25美元来到10.5美元价位，虽然合约市场成交量不大，但适逢季初DRAM厂暂无沉重出货压力下，杀价抢占出货暂不复见
【市场观察】Trend Force:库存回补，9月下旬NAND Flash合约均价微幅下跌 2011-10-04 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，虽然目前NAND Flash相关业者对欧美年终假期旺季销售预期多偏向保守，但基于部分系统厂商计划于10-11月份推出智能型手机及Ultrabook新机，故自9月初开始对新产品上市所需的备货做准备，再加上一些记忆卡业者，也在9月中开始对中国10月黄金周假期前的库存回补，虽然部份供货商在季底效应下采取降价促销的策略，但供货商则仍大致维持平盘
【市场观察】九月下旬合约价DDR3 2GB续持平，DDR3 4GB跌破20美元关卡 2011-09-28 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，由于现货市场价格自九月中全面起涨，DDR3 1333Mhz 2Gb颗粒均价自1.1美元上涨至最高1.2美元，涨幅约9.1%，而DDR3 2Gb eTT颗粒均价涨幅更高达17%，来到1.1美元价位，现货行情亦牵动九月下旬的合约价格议定，DDR3 2GB合约均价力守10.5美元价位，DDR3 4GB在DRAM原厂积极推入主流规格，合约价格首度跌破20美元关卡，来到19.5美元，跌幅约在4.88%。
【市场观察】系统客户库存回补需求渐回温，9月上旬NAND Flash合约价呈现稳定格局 2011-09-16 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，随着部份系统产品客户自9月起，已开始准备4Q11新机型上市所需的库存回补所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合约价大致维持平盘，虽然记忆卡及UFD通路市场的需求仍然相对平淡，但也已呈现止跌回稳的状况
【市场观察】九月上旬2GB合约价持平开出，终止五个月连跌走势 2011-09-14 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，DRAM九月上旬合约价已出现跌势趋缓的走势，DDR3 2GB合约价持平开出，均价力守10.75美元，DDR3 4GB在DRAM厂力图拉高出货比例的策略下呈现价格小幅下滑，均价下跌4.65%至20.5美元，DDR3 2Gb颗粒价格约在1.13美元
【市场观察】TrendForce：Ultrabook 2012至少占市场10%，带动关键零组件技术成长 2011-09-07 Ultrabook超轻薄笔记本电脑即将袭卷市场，预期会逐步瓜分传统笔记本电脑部分市场，并带动整个信息产业的创新动能。根据产业研究机构集邦科技(TrendForce)表示，美商英特尔（Intel）在2011年强力主导的超轻薄笔电Ultrabook，目标是苹果MacBook Air打开的超轻薄效能笔电市场，预期将对许多产业带来正面的帮助，可望一扫个人计算机受到平板计算机与全球经济影响而导致市场成长力道不若以往的阴霾。
【市场观察】市场预期年终旺季库存回补需求将回温，8月下旬NAND Flash合约价格初步止跌回稳 2011-09-02 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，市场预期NAND Flash部份系统产品客户为因应新产品上市库存回补需求，9月份可望逐渐开始回温。因此，8月下旬NAND Flash合约价格出大多呈现持平，但记忆卡及UFD通路市场的需求仍然相对疲软，所以128Gb TLC合约均价格仍然下跌5%
【市场观察】八月下旬2GB合约价逼近10美元关卡，下旬整体跌幅续跌12.24% 2011-08-25 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，延续上旬的跌幅走势，八月下旬2GB与4GB合约均价续跌约各12.24%与8.51%，分别来到10.75美元以及21.5美元价位，与上月相比，整体八月份在2GB均价跌幅达到25.86%，4GB亦呈现23.21%跌价，丝毫不见缓跌迹象
【市场观察】HP欲分割个人计算机事业部，冲击台系NB代工大厂供应炼 2011-08-23 HP日前宣布将中止WebOS平板计算机以及智能型手机业务，并有意分割或贩卖其个人计算机部门(Personal System Group)，并将重心转移至获利较高的领域如Service、IPG(Imaging and Printing Group)及ESSN(Enterprise Server, Storage and Networking)等业务，为全球PC市场投入了一颗震撼弹
【市场观察】备货旺季效应递延: 8月上旬MLC NAND Flash芯片合约均价小跌约1-2% 2011-08-17 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰，2011 部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期，及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下，8月上旬NAND Flash芯片市场买气依然疲弱
【市场观察】八月上旬2GB合约均价跌幅超过15%，创今年六月以来单旬最大跌幅 2011-08-11 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，八月上旬合约价创下今年六月以来单旬最大跌幅，DDR3 2GB及4GB合约价均价分别在12.25美元(1Gb $0.61)及23.5美元(2Gb $1.31)，跌幅各为15.52%与16.07%，由于DRAM厂力推4GB内存模组成为主流规格，低价成交价来到22.5美元，跌幅最高达18.18%
【市场观察】DRAMeXchange：三星DRAM市占率囊括全球40%，第二季总体营收小幅衰退1.9% 2011-08-09 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业于第二季度营收总计为约81亿美元，虽然内存平均销售价格(Average Selling Price)受到日本地震所带来的缺货预期因素而有微幅回升，但受到茂德投片减少以及力晶转进非DRAM产品增加的影响，总营收与上季相比呈现1.9%的小幅衰退。
【市场观察】历经两个月的协商后NAND Flash芯片的累计合约价下跌约4-30% 2011-08-02 历经过去2个月的不断地交涉协商后，7月底时多数的NAND Flash买卖双方业者，终于就多数的 NAND Flash颗粒合约价格大致达成了共识。由于6月到7月期间正值记忆卡和UFD通路市场及系统产品OEM客户的传统淡季，再加上2Q季底效应的影响，下游客户多优先忙于去化手头的过剩库存，故他们在此期间回补库存的意愿也都不太高
【市场观察】NAND Flash品牌厂商2Q11营收排行分析 2011-07-29 2Q11初期NAND Flash市场受到3月初Apple发表iPad 2的新产品上市效应，及3月中日本大地震带来缺料预期心理影响下，NAND Flash价格曾经出现急涨，但2Q11中后期NAND Flash市场在2Q淡季效应、平板计算机出货不如预期、欧债风波、2H11全球经济复苏的不确定风险、2Q季底效应等综合因素的干扰下，却反转成为供过于求的市况
【市场观察】七月下旬2GB内存模组合约均价续跌9.38%，市场仍未出现落底态势 2011-07-26 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，七月下旬PC-OEM厂商仍积极调降库存水位中，交易量延续六月份清淡格局。七月下旬DRAM合约价承接上旬的跌幅走势，续跌9.38%，DDR3 2GB及4GB合约价均价分别在14.5美元(1Gb $0.75)及28美元(2Gb $1.59)，跌幅各为9.38%与9.68%，合计七月下旬较上月下旬合约价下跌达15.94%
【市场观察】买卖双方仍存歧见，致使7月上旬NAND Flash芯片合约价格协商仍未能达成共识 2011-07-19 多数的买卖双方业者在历经约一个半月以来，马拉松式NAND Flash芯片合约价格协商谈判后，彼此仍存在一些岐见，因此截至7月18日为止，多数的记忆卡客户与供货商，并未能就多数的7月上旬NAND Flash芯片合约价达成共识
【市场观察】七月上旬DRAM合约均价跌幅超过7%，4GB合约价逼近30美元关卡 2011-07-13 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，七月上旬合约价再度呈现下跌的价格走势，DDR3 2GB及4GB合约均价分别在16美元(1Gb $0.84)及31美元(2Gb $1.78)，跌幅各为7.25%与7.46%，此价格已经逼近金融风暴时期的最低价格水位
【市场观察】6月份NAND Flash颗粒合约价因买卖双方仍未达成共识，将递延到7月上旬再行议定 2011-07-01 截至2011年6月30日6:00pm为止，因买卖双方对NAND Flash价格及后市的看法纷歧，故几经协商后多数供货商与记忆卡客户，仍未能就6月份的NAND Flash颗粒合约报价的达成共识，且6月底时有些客户也仅跟供货商以直接购买白牌记忆卡的方式来替代颗粒的采购，故DRAMeXchange将会等到买卖双方于7月中旬前，就NAND Flash颗粒合约价格达成协议后，再行公告7月上旬的合约价格信息。
【市场观察】六月下旬DRAM合约均价续跌5.5%，现货市场DDR3 2Gb eTT跌幅达20% 2011-06-28 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，由于PC-OEM手上库存水位达4-5周左右，PC-OEM对于DRAM采购皆有趋缓的态势，故六月下旬DRAM合约价仍维持上旬的跌幅走势，DDR3 2GB及4GB合约价均价分别在17.25美元(1Gb $0.92)及33.5美元(2Gb $1.94)，跌幅各为5.48%与5.63%，合计六月合约价下跌幅度达8%。
【市场观察】六月单月NB代工小幅成长，唯下半年出货面临三大利空 2011-06-23 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，由于全球经济数据不断下修，NB出货亦转趋保守下，五月全球NB出货量总计约15.5M，与四月相比，小幅成长0.4%
【市场观察】第二季智能型手机、平板计算机出货不如预期，短期恐影响NAND Flash价格走势 2011-06-17 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm为止，由于大部分买方与卖方就六月上旬NAND Flash合约价格的谈判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合约价将等到各家厂商价格谈定后DRAMeXchange才会公布。
【市场观察】六月上旬DRAM合约价下跌2.74%，PC出货下修及内存搭载容量是主因 2011-06-13 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，六月上旬DRAM合约价呈现下跌的价格走势，DDR3 2GB及4GB合约均价分别在18.25美元(1Gb $0.98)及35.5美元(2Gb $2.06)，跌幅各为2.67%与2.74%。从市场面来观察，首先在日震后硅晶圆的供应危机已正式解除，各DRAM厂对于下半年皆预计以满产能投片
【市场观察】淡季及季底共伴效应导致5月下旬部份主流NAND Flash合约均价大幅下跌8-16% 2011-06-02 5月下旬除了记忆卡及UFD通路市场受传统淡季影响需求不振外，多数的NAND Flash终端系统产品 OEM市场的采购力道也转趋疲软，再加上部份NAND Flash供货商在季底结账前，实行了较积极的降价促销策略，故5月下旬部份主流NAND Flash的合约均价出现了8-16%的较大跌幅
【市场观察】五月下旬DRAM合约价持平开出，日震后呈现的上涨力道已呈趋缓走势 2011-05-26 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，五月下旬DRAM合约价以持平走势开出，DDR3 2GB及4GB合约均价分别维持在18.75美元(1Gb $1.02)及36.5美元(2Gb $2.12)，日本大地震后所带动的上涨动能已呈现趋缓走势
【市场观察】集邦科技：2010年全球内存模组厂营收排名 2011-05-24 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查与统计各家模组厂的营收数字后，于2011年5月发布2010年内存模组厂的排名调查，由于模组厂营业项目日趋多元化，故仅针对各家模组厂的内存营收数字作为排名依据。
【市场观察】淡季效应发效，5月上旬主流NAND Flash 合约价下跌约2-10% 2011-05-18 自5月起记忆卡，随身碟及多数的NAND Flash应用产品都已进入传统的淡季时节，故目前多数下游客户的采购需求已转趋疲弱，且先前因担忧日本大地震可能带来的供给吃紧的预期心理下，多数下游客户的库存水位都已经先行垫高了，故5月上旬主流NAND Flash合约价成现下跌约2-10%的状况。
【市场观察】NB 出货第二季季增9.5%，全年成长6.5% 2011-05-17 NB代工厂近日公布四月出货，根据集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange调查指出，全球NB四月份出货总计15.4M台，较三月下滑13.2%。集邦认为，三月受到Intel芯片递延效应以及品牌厂季底拉货带动基期垫高，导致四月出货下滑。五月以及六月出货可望逐渐回温。
【市场观察】五月上旬合约价维持上涨力道，DDR3 2GB合约高价来到19美元，平均涨幅2.7% 2011-05-11 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，五月上旬合约价再度呈现上涨的价格走势，DDR3 2GB均价自18.25美元上涨至18.75美元(1Gb $1.02)，涨幅约2.74%，DDR3 4GB均价亦从35.5美元上涨至36.5美元(2Gb $2.13)，涨幅约在2.82%
【市场观察】NAND Flash品牌厂商1Q11营收排行分析 2011-05-10 1Q11 NAND Flash市场受到12月中东芝/晟碟阵营工厂跳电事件影响到1月NAND Flash市场的供给量，中国农历年长假前的库存回补需求，2月下旬记忆卡&UFD通路市场开始进入传统淡季，3月初Apple发表iPad 2的新产品上市效应及3月中日本大地震带来短中期的供给面不确定因素等的多空复合因素的影响下，改变了1Q淡季市场的原本型态
【市场观察】淡季效应发酵，4月下旬NAND Flash合约价转为下跌 2011-05-05 4月下旬NAND Flash合约价在市场多空因素交杂的影响下，呈现部份持平及部份下跌的状况，由于目前买卖双方对价格后市看法略有纷歧，4月底的市场买气呈现观望的气氛，部份NAND Flash供货商因持续受惠于部份系统产品客户的OEM订单挹注，故部份产品4月下旬的合约价仍维持不变
【市场观察】DRAMeXchange：全球DRAM产业2011年第一季营收小幅衰退4.0% 2011-05-03 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第一季营收数字83亿美元，虽然DRAM合约均价较上季下跌30%，但受惠于第一季DRAM颗粒总产出量较前一季约成长15%，以及各DRAM厂逐步降低标准型DRAM比例转为附加价值高的行动式内存及绘图式内存等产品，总括第一季DRAM厂总营收较去年第四季86亿美元小幅衰退4%左右
【市场观察】四月下旬DDR3合约均价小幅上涨1.4%，部份PC-OEM采购转趋积极及近期部份DRAM良率问题为主因 2011-04-26 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，四月下旬合约价呈现小幅上涨的价格走势，DDR3 2GB均价自18美元上涨至18.25美元(1Gb $0.98)，涨幅约1.39%，DDR3 4GB均价亦上涨至35.5美元(2Gb $2.06)，涨幅约在1.43%
【市场观察】平板新机亮相，春季计算机展火热焦点 2011-04-21 2010年第二季iPad上市以来，除了iPad本身热卖之外，也点燃了各家厂商切入平板计算机市场的商机。今年四月七日到十一日举办的台北春季计算机展，acer以及ASUS展出搭载Android 3.0平台平板计算机，Dell、ViewSonic、Gigabyte、msi、FIC以及Samsung也展出了Android以及Windows 7平台的平板计算机，为下半年将百家争鸣的平板计算机市场，进行一场暖身运动
【市场观察】4月上旬主流NAND Flash合约价维持平盘或小涨约2-5% 2011-04-19 4月上旬NAND Flash合约价大致呈现持平或部份小涨约2-5%，多数NAND Flash供货商在3月份已先行调高合约价约10-15%，以反应日本大地震后的供给面不确定因素，故他们4月上旬的合约价大多维持平盘的状况
【市场观察】四月上旬DDR3 4GB合约价涨幅逾6%，2Gb颗粒单价重回2美元价位 2011-04-12 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，四月上旬合约价再度呈现价格上扬的趋势，DDR3 2GB均价自17美元上涨至18美元(2Gb $2.03)，涨幅约5.88%，DDR3 4GB均价亦上涨至35美元(2Gb $2.03)，涨幅约在6.1%
【市场观察】平板计算机出货并入NB，Mobile PC出货年增率18.1% 2011-04-01 根据集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange调查指出，受到终端需求不振以及日本地震后对NB供应链产生的影响，造成第二季代工厂出货的不确定因素增加，尽管需求可能递延至下半年，但下半年将与平板计算机的放量效应正面冲突，预算排挤效应将对NB成长有所压抑
【市场观察】日本大地震后3月份主流NAND Flash合约均价累计上涨约5-15% 2011-03-31 日本东北(Tohoku)地区在3月11日发生9.0级大地震后，虽然初期NAND Flash现货市场已反应，因担心可能的供给短缺状况而出现急涨，但部份NAND Flash供货商在3月上旬时，因对日本震灾后的NAND Flash产业供应链受影响状况仍不清楚，故暂未变动3月上旬的合约价格，但随着东芝/晟碟(Toshiba/SanDisk)的四日市(Yokkaichi)合资厂受地震影响，而将产生一些晶圆投片量的减损
【市场观察】日本东北地震影响，三月下旬DDR3合约价涨幅逾3%，2GB均价来到17美元 2011-03-23 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，由于日本东北大地震冲击，造成半导体上游原物料短缺，尤其是位在日本东北区域的信越化学的福岛白河厂与SUMCO的山形米泽厂的停工影响最剧，保守估计全球硅晶圆产能将减少20%-25%左右
【市场观察】日本东北大地震对NAND Flash市场的可能影响评估 2011-03-18 3月11日下午在日本东北(Tohoku)地区发生芮氏9.0级大地震，天灾消息传出后，已对近期的NAND Flash市场带来新的变量，由于目前日本震灾后的损失状况及基础设施的复原进度信息仍不太清晰，故我们仅先就现有的相关信息对NAND Flash市场做初步的可能影响评估
【市场观察】NB代工厂三月出货月增40~50%，第二季订单能见度低 2011-03-16 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究机构DRAMeXchange调查指出，二月NB ODM厂出货月增率衰退21.8%。除了广达、仁宝仅出货分别为3.2M以及2.7M不如预期外，和硕二月出货较一月减少约50%，下滑幅度为五大代工厂中最大者，主因为受到华硕持续委外释单影响
【市场观察】2011年平板计算机与智能型手机合计将贡献超过50% NAND Flash消耗量 2011-03-08 苹果公司如期在3/2正式推出iPad2，再为平板计算机加入新的竞争者。过去半年来Android 3.0 Honeycomb平板计算机的机种如雨后春笋般地推出，成功的带动消费者对于平板计算机的关注，也加速周边硬件厂商与软件厂商开发的脚步
【市场观察】苹果如期推出具价格吸引力的iPad2， 2011年平板计算机市占率将可突破70% 2011-03-04 苹果公司如预期的在美国时间3/2揭开第二代iPad的神秘面纱，同时也公布了3/11在美国市场、3/25国际市场开卖的消息，将对过去半年蓬勃发展的Android平板阵营带来更强大的挑战，也为2011年平板计算机市场带来更多的火花
【市场观察】二月下旬DDR3合约价力守持平，有助于第二季DRAM合约价格反弹 2011-03-02 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，二月下旬合约价格力守持平，DDR3 2GB和4GB合约均价仍维持在16.5美元(1Gb $0.88)与32美元(2Gb $1.84)，从市场面来看，由于智能型手机、平板计算机及云端需求兴起，各DRAM厂纷纷计划调整自身产能，转战行动式内存与服务器用内存，让供过于求的标准型DRAM市场获得部份纾解
【市场观察】第一季NB出货先蹲后跳，三月出货有撑 2011-03-02 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange观察指出，一月底Intel公布芯片暇疵问题，NB品牌厂除了紧急召回有问题的瑕疵芯片，Intel也在短时间之内提出新的B3版本Cougar Point芯片组，影响Sandy Bridge产品出货进度约2~3周，之后NB ODM厂迅速恢复产品供货
【市场观察】2011 MWC:智能型手机风起云涌，有助提升NAND Flash用量 2011-02-24 2/14于西班牙巴塞隆纳举办一年一度的世界行动通讯大会(Mobile World Congress)，年度全球通讯产业最重要的盛会，在会场中我们发现许多手机与系统厂商展现出新一代的手持式产品，会展的焦点除了持续有搭配新操作系统的平板计算机之外，下一个世代的4G/LTE的智能型手机也将接露在后续一整年的产品规划
【市场观察】受中国农历年长假影响2月上旬 NAND Flash合约价大致持平 2011-02-18 2月上旬NAND Flash市场受中国农历年长假，及节后一些下游客户仍在盘点库存的影响，故NAND Flash合约价大致呈现持平的状况，但2月下旬我们预期一些多空因素将会开始影响NAND Flash市场
【市场观察】二月上旬合约价落底趋势确立，DDR3合约均价持平、低价合约价上涨约3% 2011-02-15 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，继第四季合约价格下跌50%，合约价格逐渐接近底部，一月份合约价跌幅缩小后，二月上旬合约价落底反弹趋势确立，DDR3 2GB合约均价以持平价位开出，低价成交价更从15.5(1Gb $0.81)美元上涨至16美元(1Gb $0.84)价位，涨幅约3.23%
【市场观察】DRAMeXchange：全球DRAM产业2010年第四季营收衰退达20% 2011-02-08 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第四季营收数字86.4亿美元，虽然DRAM 总产出量较第三季约成长16%，由于第四季合约价跌幅高达40%，与第三季营收107.8亿美元比较仍下跌约20%左右
【市场观察】NAND Flash品牌厂商4Q10营收排行 2011-02-01 虽然4Q10记忆卡及UFD通路市场的需求依然疲软，但在平板计算机及智能型手机等系统客户稳定订单的挹注下，使得4Q10整体NAND Flash品牌供货商的位出货量得以成长约16% QoQ。原先市场预期11月中年终假期备货高峰期过后，NAND Flash价格将开始走跌，但在12月初发生东芝的跳电意外后，下游客户预期1月份市场供货将会吃紧的心理下，提前自12月中旬开始回补中国农历年假期所需的库存，使得NAND Flash价格在12月份出现止跌反弹的状况
【市场观察】DRAMeXchange : 中国市场投机性买盘带动DDR3 2Gb现货价两天大涨20% 2011-01-28 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange所公布的现货价格调查，DDR3 1333Mhz 2Gb于1/27亚洲收盘前大涨10%，由$1.83涨至$2.03。1/28亚洲午盘继续强攻至$2.24美元，两天涨幅超过22%，DDR3 1333Mhz 1Gb则上涨12%，均价来到1.18美元
【市场观察】2011 CES: 平板计算机将蓬勃发展，将有效提升今年NAND Flash需求 2011-01-27 2011年美国消费性电子展(CES)中，各家厂商今年不约而同的将重点放在智能型产品与联网功能的再提升。透过推出一系列的智能联网电视、平板计算机、整合式数字家庭概念产品，利用互联网来连接所有生活中可以遇到的装置来提升生活质量与效率，其中平板计算机更是众所瞩目的焦点
【市场观察】DRAMeXchange : 2011年小笔电出货量衰退18%，冀望新兴市场需求 2011-01-25 根据集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange调查指出，从2010年下半年开始，小笔电的成长便受到两大挑战：一为消费者开始转回购买常规性笔电，二为平板计算机侵蚀效应明显。展望2011年，在CES大展取得众多注目眼光的平板计算机百家争鸣，不仅传统PC品牌厂展示自家最新研发平板计算机、手机厂商、电视制造厂商也纷纷推出
【市场观察】DRAMeXchange: 合约价接近落底，第二季前价格预期将反弹20%至25% 2011-01-21 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，一月上旬合约价已接近底部价位，DDR3 2GB均价约17美元，而低价成交价约在16美元价位左右，跌幅更从先前动辄10%的下跌缩小至5%-6%，而一月下旬合约价方面，目前DRAM原厂与PC-OEM间正洽谈中，预期价格将呈现持平或微幅下跌走势
【市场观察】库存回补需求自12月中提前回温1月上旬主流 NAND Flash 合约价持续上涨约2-5% 2011-01-18 市场原先预期NAND Flash价格将在年终备货高峰期过后开始回软，但受到12上旬东芝跳电意外事件的影响，导致下游记忆卡客户在预期1月份市场将发生供货减少、年底前记忆卡客户的库存处于低水位的状况下，12月中旬已提前准备中国农历年前所需库存
【市场观察】Macbook Air引领NAND Flash Storage新潮流 2011-01-05 固态硬盘(Solid State Drive)一直为Flash厂商所寄予厚望的产品，主要是单一固态硬盘的NAND Flash消耗量是随身碟的数倍之多，因此对于固态硬盘对于NAND Flash需求面来说有很大的帮助
【市场观察】2011为平板计算机起飞年，带动内建式NAND Flash应用 2010-12-21 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，由于iPad带动平板计算机的风潮，许多PC厂商与手机厂商在下半年加速在平板计算机的开发与上市计划
【市场观察】DRAMeXchange : DDR3 2GB十二月下旬合约价续跌10%，1Gb低点来到$0.9美元; DRAMeXchange 预估DDR3 1Gb 合约价于1Q11，接近$0.8落底 2010-12-21 据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，十二月下旬合约价仍持续下跌的价格趋势，DDR3 2GB的合约均价从20美元(1Gb $1.09)下跌至18美元(1Gb $0.97)，跌幅10%，低价成交价更亦下探至17美元(1Gb $0.91)价位，跌幅亦有10.5%
【市场观察】东芝跳电意外触发12月上旬主流MLC NAND Flash合约价止跌反弹约3-11% 2010-12-16 虽然11月底时下游客户的年终假期备货高峰期已过，但一些记忆卡和UFD业者因库存水位已明显下降，故在12月初开始小量的回补库存，使得NAND Flash价格开始出现止跌回稳的迹象
【市场观察】台北信息展平板计算机吸睛，1Q11平板计算机大量问世 2010-12-07 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究机构DRAMeXchange调查，消费者对于平板计算机的接受度日渐提高，可望将在年底欧美圣诞节销售旺季成为受众所瞩目的商品之一，而各大厂商也陆续加速平板计算机的开发时程
【市场观察】DDR3 2GB十一月下旬合约价续跌12%，DDR3 1Gb逼近1.2美元 2010-11-29 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，十一月下旬DDR3 2GB的合约均价再度下跌达12%，从25美元下跌至22美元，低价成交价亦下跌12.5%至21美元。DRAM市场自第四季以来，由于DRAM厂产出持续增加，计算机系统厂需求却逐月减弱，市场超额供给持续扩大，以致DRAM厂不断以降价策略，期销售出超额供给的颗粒。
【市场观察】2011年DRAM产业趋势与展望 2010-11-25 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，DDR3 2GB合约价格自2010年自上半年的高点46.5美元后一路走跌九月上旬跌破40美元，十月下旬再度跌破30美元。十一月上旬均价约25美元，与今年高点相比跌幅达46%
【市场观察】2011年PC市场展望-平板计算机崛起，NB、小笔电成长动能趋缓 2010-11-25 根据集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange调查指出，预估2011年PC产业中DT出货量127M台，年增率6.1%；NB(包含小笔电)222.7M台，年增率15.4.%，小笔电32.6M台，年增率-2%
【市场观察】2011年全球NAND Flash市场展望 2010-11-25 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，虽然明年全球经济的复苏状况比市场原先预期稍缓，但先进国家市场的经济仍将持续复苏，明年2H电子业季节性旺季需求也可望比今年明显改善
【市场观察】Huron River带动1Q11淡季不淡，2011年平板计算机蚕食NB需求，年增率15.4% 2010-11-17 各家ODM大厂近期公布十月份NB出货数字，集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange调查指出整体NB产业十月出货月增率-5.7%，总计17.3M。
【市场观察】2011年内建式Flash比重将首次突破六成大关，成长可期 2010-11-15 随着智能型手机的热卖与iPad所带动平板计算机的蓬勃发展，预期智能型手机与平板计算机的销售金额与整体出货量成长动能强劲，2011年的预测均有倍数以上的成长。
【市场观察】NAND Flash品牌厂商3Q10营收排行分析 2010-11-09 3Q10在平板计算机及智能型手机等新产品上市热卖效应及系统产品客户OEM长单的帮助下，NAND Flash品牌供货商得以部份地纾缓来自记忆卡& UFD零售市场需求疲弱的影响
【市场观察】浅谈UFS界面标准与应用市场 2010-11-04 JEDEC Task group中的一些主要成员如：三星 (Samsung)、诺基亚(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州仪器(TI)、意法半导体(ST)等国际大厂，近期正在积极推动新的NAND Flash应用界面标准UFS (universal Flash storage)的规格制定事宜
【市场观察】DRAMeXchange: 全球DRAM产业2010年第三季营收成长仅达3.4% 2010-11-02 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第三季营收数字达108亿美元，虽然DRAM 总产出量较第二季约成长15%，但由于第三季合约价跌幅超乎预期，与第二季营收104亿美元做比较，仅微幅成长约3.4%。
【市场观察】DDR3 2GB十月下旬合约价均价跌幅达14.3%, 预估第四季跌幅达30%以上 2010-11-01 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，十月下旬合约价，跌幅加剧，创下近一年以来最大跌幅，DDR3 2GB的合约均价从31.5美元下跌至27美元，跌幅达14.3%，低价成交价更下探至26美元价位，跌幅更高达15.2%
【市场观察】2011年固态硬盘出货量倍数成长，消费者接受度提高 2010-10-26 固态硬盘一直以来为各家NAND Flash厂商所寄予厚望的产品，主要是固态硬盘对于NAND Flash的使用量来说是一般内建式应用产品、随身碟与记忆卡的数倍之多，因此对于固态硬盘对于NAND Flash消耗量来说有很大的帮助
【市场观察】季节性因素及新产品上市的多空影响下，预期4Q10 NAND Flash合约价将呈缓跌走势 2010-10-19 10月上旬NAND Flash合约均价呈现部份下跌约3-5%及部份持稳的状况，虽然中国长假销售情况较预期理想，但记忆卡与随身碟业者目前仍持续努力降低库存水平，以等待10月底年终假期的备货需求回温
【市场观察】DDR3 2GB合约价十月上旬面临30美元保卫战，价格并有持续探底之势 2010-10-15 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，十月上旬合约价跌幅达6%-9%，DDR3 2GB合约价高价部份由35美元下跌至33美元，主要是韩系厂商成交价
【市场观察】集邦:USB 3.0应用将在2011年正式起飞 2010-10-12 随着USB3.0的应用将在主控端(Host)与装置端(Device)技术逐渐成熟、芯片与连接器等配套零件价格因竞争激烈而有效下降、处理器厂商Intel与AMD大力支持的情况下，将在2011年成为新一代主流的传输接口，取代USB2.0的效应将逐渐发酵
【市场观察】集邦科技： 4Q10 NB出货回稳，1Q11淡季不淡 2010-10-11 根据集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange调查，2010年九月NB出货优于预期，带动第三季季增率往上攀升至约3%。
【市场观察】9月下旬主流NAND Flash 合约价下跌1-10%，市场等待10月中年终备货需求回温 2010-10-06 9月下旬主流NAND Flash合约价受季底效应影响下跌约1-10%，但各家供货商因其客户及订单状况不同，故他们在定价策略也有所差异
【市场观察】DDR3 九月下旬合约均价续跌近6%，1Gb 年底下探$1.5 2010-10-04 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，九月下旬合约价仍持续下跌的价格走势，DDR3 1Gb颗粒均价跌破2美元关卡，DDR3的合约均价从36美元下跌至34美元，跌幅约5.5%，甚至低价合约价已经出现33美元新低价位。
【市场观察】2011平板计算机的兴起带动内建式NAND Flash的需求 2010-09-30 根据集邦科技的调查，由于苹果推出的iPad造成抢购所带动的平板计算机风潮，迫使许多PC厂商与手机厂商在下半年加速在平板计算机的开发与上市计划。为了要与iPad竞争，许多平板计算机的设计强调更强大的处理器效能、更大的储存空间与更开放性的软件支持(例如USB端口与支持Adobe Flash)。
【市场观察】NB成长动能趋缓、竞争加剧，NB ODM厂积极发展非NB产品线维持整体毛利 2010-09-29 根据集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange调查，2010年第二季，因为NB ODM大厂毛利受到原物料涨价以及EMS厂积极切入NB代工供应链，产业竞争加剧下毛利率纷纷下滑。
【市场观察】9月上旬主流NAND Flash合约均价下跌约5-10%;预计4Q10价格呈现缓跌走势 2010-09-23 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，9月上旬主流NAND Flash合约均价受到季底效应的影响，下跌约5-10%。
【市场观察】DDR3 2GB九月上旬合约均价下跌10%，预期第四季跌幅达20%QoQ 2010-09-17 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，九月上旬合约价持续下跌趋势，DDR/2GB合约均价从40美元下跌至36美元，跌幅达10%，为一年来单次最大跌幅。
【市场观察】智能型手机成长力道强劲，有助于NAND Flash需求提升 2010-09-14 由于2010年第二季受到欧洲债信风暴影响、终端需求疲软以及库存水位偏高，下半年各项信息与消费型电子的出货均大幅下修，然而第二季各手机厂商有效去化库存以及智能型手机成长力道强劲的情况下，下半年手机成长幅度将领先各项电子产品。
【市场观察】8月下旬NAND Flash 合约均价受多空因素影响呈现部份持平及部份下跌1-7% 2010-09-01 8月下旬NAND Flash合约均价在市场多空因素的交互影响下，呈现部份持平及部份下跌1-7%的状况。8月份来自系统产品客户OEM订单需求仍佳，而部份供货商因为拥有较高的系统客户比例，因此8月下旬NAND Flash 合约价格大致维持不变。
【市场观察】面对DRAM产业的竞争，台系DRAM厂的转型与挑战 2010-08-30 放眼台系DRAM产业的发展史，以华邦成立时间最早，始于1987年，孕育台系DRAM人才无数，台湾DRAM产业于1994年后快速发展，力晶、茂德与南科相继成立，与日系厂商展开技术合作，华亚科与瑞晶于2003年与2007年以台德及台日合资设厂之模成立, 使台湾DRAM产能于2008年底, 月投片量达53万片，占全球DRAM投片量之35%，成为全球12吋DRAM厂密度最高的国家. 但在2007年至2009年严重的供需失衡下, 台系DRAM厂也承受极大的财务亏损压力.
【市场观察】客层需求差异，使8月上旬主流NAND Flash合约价，呈现小幅涨跌互见的状况 2010-08-20 8月上旬主流NAND Flash合约价呈现涨跌互见的状况，主要原因为供货商客户结构及接单状况不同，因此采取了不同的定价策略。由于电子系统产品客户的旺季，OEM订单自7月底已开始回温，因此部份NAND Flash供货商因系统客户的比重较高，调高约4-6%用于系统产品的MLC NAND Flash合约价。
【市场观察】NAND Flash品牌厂商2Q10营收排行 2010-08-02 2Q10部份供货商在一些系统产品客户的稳定OEM订单挹注下，得以减缓来自传统淡季效应及欧洲债信风暴的双重影响，尤其是Apple的iPad & iPhone4的上市热卖效应，更有助于降低记忆卡及UFD市场的需求淡季冲击。
【市场观察】全球DRAM产业2010第二季营收成长达15.2% 2010-07-30 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，DRAM厂2010年第二季营收在DRAM合约价格稳定上扬及产出持续增加下，全球DRAM产业第二季营收数字达107亿美元(10.70 Billion USD)，较第一季的93亿美元(9.29 Billion USD)，成长约15%。
【市场观察】集邦科技：第三季NB出货七月偏弱，八月转强 2010-07-28 根据集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange调查，六月NB(包含Netbook)出货量总计约17M台，月增率9.3%，打破以往五穷六绝惯例。
【市场观察】季底效应使6月下旬主流NAND Flash颗粒合约价小跌约1-6% 2010-06-28 6月下旬主流，NAND Flash颗粒合约价小跌约1-6%，其它则大致维持平盘的状况。
【市场观察】集邦科技：Tablet PC成为2010 Computex火热焦点 2010-05-21 根据集邦科技调查，09年小笔电为PC市场成长的一大助力。在金融风暴的影响下，消费者购买力大受冲击，小笔电平易近人的价格为低靡的市场注入一股活水，年出货量达到两千八百万台，年增率172%。展望2010年，集邦科技认为09年小笔电成长动能已经到达高峰。
【市场观察】淡季效应影响下5月上旬NAND Flash合约均价下跌约1-8% 2010-05-12 受2Q淡季效应及近期部份金融市场不稳定疑虑等因素的影响，5月上旬NAND Flash合约均价大致下跌约1-8%。
【市场观察】NAND Flash品牌厂商1Q10营收排行 2010-05-10 2010年初以来，NAND Flash市场因等待Apple 3月中iPad的上市消息发布，而呈现买气观望的状况，故下游客户在中国农历年假前后期间仅适量地回补淡季所需的库存量。
【市场观察】集邦科技: 全球DRAM产业营收2010第一季营收续成长6.9% 2010-04-30 根据集邦科技公布价格，DDR3合约季均价与现货季均价继2009年第四季分别大涨40%与30%后，在2010年第一季分别续涨16%与14%。
【市场观察】DRAM供货持续吃紧，DDR2/DDR3 1Gb价格可能维持高档至九月 2010-04-09 根据集邦科技的调查，合约市场在PC-OEM积极拉货下，四月上旬合约价格再度呈现上涨的局面，DDR3上涨逾7%到46美元，DDR2亦上涨约5%到42美元。
【市场观察】多空因素影响使3月下旬NAND Flash合约价呈现小幅的涨跌变动 2010-03-26 3月下旬合约价在市场多空因素相互影响下，呈现小幅涨跌变动约1-5%的状况，虽然目前多数NAND Flash供货商受惠于来自电子系统产品客户稳定的OEM订单，将有助于降低1Q季底结帐效应及淡季效应对近期销货的影响程度。
【市场观察】DRAM 进入正向景气循环，未来连续获利三年可期 2010-03-23 在景气循环影响下，DRAM产业于过去十几年来，几乎每三年为一景气循环周期。以图一所示，DRAM厂的营业利益率(OP Margin)分析，2001至2003年DRAM产业连续三年亏损，2004至2006年转为连续三年获利，2007至2009年又落入连续三年亏损的循环，2010年，DRAM厂终于摆脱三年亏损，进入获利循环开始。
【市场观察】iPad 4月上市消息激励NAND Flash价格止跌回稳 2010-03-16 3月上旬主流MLC NAND Flash合约价下跌约1-7%，NAND Flash市场受1Q季底结帐效应、淡季效应及白牌TLC记忆卡供给货源渐增等因素的影响，使得中国农历年过后的市场买气显得比较清淡，因此NAND Flash价格之前也呈现一路走软的态势，故3月上旬NAND Flash合约价也呈现部份下跌及部份持平的状况。
【市场观察】DRAM需求淡季不减，Q2价格预期仍维持高档 2010-03-10 根据集邦科技的调查，三月上旬合约价DDR3/DDR2合约均价仍维持在高档，大多数以持平开出，小部份有调涨DDR3约2%-3%，但2GB”低点”及”均价”仍维持在$41.5美元及43美元。
【市场观察】集邦科技：行动装置用DRAM，2010年位需求成长达71% 2010-03-04 2010年西班牙巴塞隆纳全球行动通讯大会(mobile world congress)在2月中隆重落幕。前五大品牌手机厂，会场展示焦点皆为智能型手机平台，也显示手机的产业的竞争趋势从原本的硬件设计转变至软件系统；从推广高价格性能比的功能手机(feature phone)转变到冲刺高附加价格的智能型手机。
【市场观察】多空因素影响下2月下旬NAND Flash 合约价大致持平或部份小跌 2010-03-02 NAND Flash 2月下旬合约价大致呈现持平或部份小跌的状况，自2010年初以来NAND Flash相关业者在等待及观察一些市场短期多空变量，如Apple iPad发布后续效应。中国农历年假前后库存回补效应、1Q淡季效应及国际金融与经济局部不确定性等影响下，使得市场持续笼罩在观望胶着的氛围中，而价格也持续呈现多空拉距横盘整理的格局。
【市场观察】NAND Flash品牌厂商4Q09及2009年营收排行 2010-02-02 多数NAND Flash品牌供货商受惠于电子系统客户4Q09旺季库存回补的稳定订单，第四季NAND Flash平均销售价格（ASP）小涨约5% QoQ，整体NAND Flash位出货量则增加约10% QoQ。
【市场观察】集邦:iPad推出 NAND Flash需求增温 2010-01-29 在市场的引颈企盼下，苹果计算机(Apple)执行长史提夫贾克柏斯(Steve Jacobs)在美国旧金山时间的27日，展示出苹果计算机的最新产品─平板计算机iPad。
【市场观察】集邦科技: 全球DRAM产业营收2009第四季营收上扬42% 2010-01-29 根据集邦科技调查，全球DRAM产业营收在2009年第三季涨幅超过40%后，第四季营收涨幅在DRAM均价大幅上涨及DRAM厂产出持续增加下，上扬42%。
【市场观察】观望氛围下1月下旬NAND Flash合约价大致维持平盘 2010-01-25 1月下旬NAND Flash合约价大致维持平盘的状况，主要原因为目前NAND Flash下游系统及记忆卡客户在中国农历年假期前的库存回补需求仍然持稳，也大致符合NAND Flash业者的预期状况。因此多数NAND Flash供货商并未变动1月下旬主要颗粒的合约价格，仅部份供货商有小幅调整某些颗粒的合约价。
【市场观察】DDR3 淡季需求旺，合约价一月看涨，现货价站上3美元 2010-01-11 现货市场DDR3 1333Mhz 1Gb颗粒价格经过12月中旬短暂盘整后，价格一路往上攀升，价格从12月17日的2.45美元上涨至 3.01美元，涨幅达23%。
【市场观察】市场盘整1月上旬NAND Flash合约均价呈现持平及部份小跌1-6% 2010-01-08 1月上旬NAND Flash合约均价大致呈现持平及部份小跌1-6%的状况，主要原因为目前NAND Flash市场仍受到部份客户仍处于新年假期，以及部份北半球地区的营运活动遭受严寒天候的不便影响，使得近期NAND Flash市场的采购交易活力仍显清淡。
【市场观察】集邦科技: 2010年，PC旺，零组件缺，封测紧 2010-01-07 根据集邦科技(DRAMeXchange)的调查，今年第四季欧美感恩节与圣诞节销售情况在经济景气复苏及Windows 7带动下，销售表现一路旺到年底。
【市场观察】集邦科技: 2010 DRAM 下半年恐大缺货 2009-12-24 DRAM市场在2009年随着计算机系统厂出货大增，自八月起市场短缺持续扩大，在十月份短缺达到高峰，某些计算机系统厂采购DDR2 2GB模块甚至到现货市场以$55美元价格，相当颗粒1Gb=3.25USD向模块厂下单，远高于当时的现货价。
【市场观察】年前观望气氛使12月下旬NAND Flash合约均价呈现持平及部份小跌1%-5% 2009-12-24 12月下旬NAND Flash合约均价大致开平盘，但主流颗粒32Gb & 16Gb MLC合约均价则小跌约1%-5%。
【市场观察】集邦：今年第四季PC销售乐观明年首季出货量优于预期 2009-12-17 由于中国市场农历新年买气、英特尔Calpella平台与新一代小笔电平台新机出货带动，展望明年首季，集邦科技表示，整体市场销售与后续接单的情况良好，目前已有笔电厂商农历年生产线维持营运，以持续赶工出货。
【市场观察】12月上旬主流MLC NAND Flash合约均价下跌约1-20% 2009-12-11 12月上旬NAND Flash合约价呈现部份持平及部份下跌的情况，主流的MLC NAND Flash颗粒合约均价下跌约1-20%， SLC NAND Flash颗粒则维持平盘。
【市场观察】DDR2现货颗粒价格11月中至今下跌约15%，供给增加为主因 2009-11-27 DDR2 1Gb eTT现货颗粒价格自7月中旬起涨后，价格从1.05美元上冲至最高2.62美元，涨幅高达150%。但经过长达近四个月的价格上涨走势后，现货市场自11/10日出现价格反转向下，DDR2 1Gb自2.62美元一路下滑至今2.22美元坐收，两周内跌幅达15%。
【市场观察】11月下旬NAND Flash合约价呈现持平及部份小跌 2009-11-26 11月下旬NAND Flash 合约价大致呈现持平及部份小跌2-4%的状况，随着11月底NAND Flash下游客户的年终旺季备货高峰期将过，且下游记忆卡&UFD业者也将在年底前逐渐降低库存水位，因此年底前下游客户的采购需求将会开始递减。
【市场观察】11月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见的状况 2009-11-11 11月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见的状况，平均价格变化区间约在 -2%到 6%之间，由于11月份多数NAND Flash供货商的系统厂商旺季备货大单效应仍在，因此有些厂商小幅调高部份产品的11月上旬合约价。
【市场观察】集邦科技: 全球DRAM产业2009第三季营收涨幅高达40.7% 2009-11-05 根据集邦科技调查，2009年第三季，DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下，需求量激增，DDR3合约价在第三季大涨36%，现货价也在合约价的带动下上涨24%。
【市场观察】DDR2现货颗粒价格十月份涨幅逾35%，11月份缺货状况依然严峻，价格上看3美元 2009-11-04 DDR2 1Gb eTT现货颗粒价格自7月中旬起涨后至9月涨幅已逾约84%左右，颗粒单价更从1.05美元上涨至1.94美元，而10月单月颗粒涨幅更甚之前单月平均，涨幅逼近35%，DDR2 1Gb eTT颗粒价格更突破2美元关卡一路直冲2.62美元。至今，亦创下近二年来的新高价位。
【市场观察】NAND Flash品牌厂商2009年第三季营收排名 2009-11-02 3Q09中多数NAND Flash品牌供货商在电子系统客户4Q旺季长单回温效应的带动下，第三季NAND Flash平均销售价格（ASP）小涨约4% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加约17% QoQ。
【市场观察】10月下旬主流MLC NAND Flash合约均价上涨4-7% 2009-10-23 10月下旬主流MLC NAND Flash颗粒的合约均价上涨约4至7%。
【市场观察】台湾 2009年DRAM封测产业之挑战 2009-10-20 全球DRAM产业在2007年与2008年产能过度扩张下，位成长率分别高达95%与66%，市场严重的供过于求再加上2008下半年金融风暴吹袭之下，一度让DDR2 1Gb颗粒价格狂跌至0.62美元，与同年高点相比跌幅高达74%。
【市场观察】10月上旬主流MLC NAND Flash合约均价上涨8-10% 2009-10-09 10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8-10%，主要原因是多數供應商在10月到11月份都已接獲一些電子系統廠客戶的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求也已回溫。
【市场观察】2010年NAND Flash市场将出现缺货的状况 2009-10-06 就NAND Flash需求面而言，随着全球经济可望在2010年复苏，我们预期明年各种NAND Flash的终端应用产品的出货量，也将由今年的衰退转变为成长的情况。同时明年MP3、记忆卡及UFD等的NAND Flash的传统应用产品的内建容量，也将会持续提高。
【市场观察】台系DRAM厂面对未来挑战的策略新局 2009-10-05 标准型DRAM合约价在2007年初因供过于求开始急跌，全年YoY跌幅达83%。2008年，DDR2全年均价YoY再下跌30%。各家DRAM厂在08年第四季由于营运现金部位不断下降，资本市场募资不易，面临退出或接受政府纾困的困境。今年第一季，台系DRAM厂产能稼动率甚至降至20%-50%。
【市场观察】9月下旬主流MLC NAND Flash合约均价小幅上涨1-3% 2009-09-24 9月下旬主流MLC NAND Flash 合约均价小幅上涨约1-3%，主要原因为受到多数NAND Flash供货商在9-10月将实行优先供货给电子系统厂客户长单的排挤效应影响下，短期内无法充份供应记忆卡 & UFD客户的在中国十一长假前的库存回补所需，因此9月下旬NAND Flash合约价呈现部份上涨及部份持平的状况。
【市场观察】DRAM现货价格上涨逾63%，台系DRAM厂下半年营收大成长；Smartphone和MP3/PMP系统厂商拉货，NAND Flash十一月前供货吃紧 2009-09-17 现货市场颗粒价格自七月中旬强势上涨，DDR2与DDR3现货颗粒成交价纷纷攀升至近12个月来的新高价格，DDR2 1Gb eTT现货颗粒价格从7月15日1.05美元上涨至9月15日的1.71美元，涨幅高达63%。
【市场观察】旺季库存回补需求增温9月上旬主流MLC NAND Flash合约均价上涨3-12% 2009-09-09 受惠于旺季库存回补需求增温，9月上旬主流的MLC NAND Flash 合约均价大致上涨3-12%，目前多数NAND Flash 供货商都有接获电子系统客户的年终旺季备货订单，同时9月初记忆卡 & UFD需求也在中国十一长假前的库存回补带动下回温。
【市场观察】Windows 7带动换机潮 Q4 PC销售乐观期待 2009-08-27 今年第三季各家PC厂商公布上半年财报以及对下半年景气看法逐渐朝向乐观的角度。根据集邦科技的调查，第三季整体PC出货将较第二季大幅成长20.6%，虽然第二季受到零组件缺货的影响导致终端品牌厂客户的订单有部分无法顺利出货而基期较低的因素干扰之下，整体需求仍较预期表现来的出色许多，可以看到各个品牌厂向代工厂提高订单量，范围涵盖了传统笔电与小笔电，预料PC品牌大厂在第三季底与第四季将有不错的表现，部分品牌厂的订单能见度也可看到第四季。
【市场观察】多空交战8月下旬NAND Flash合约价呈现低容量小涨及高容量持平 2009-08-25 8月下旬NAND Flash合约价大致呈现高容量颗粒持平及低容量颗粒小涨的情况，主要原因为随着供货商们的较先进的4xnm及3xnm制程技术产出比重逐渐增加，以较成熟制程技术生产的低容量颗粒供给也随之减少，同时供货商的低容量记忆卡也多以供应手机厂客户为优先，因此8月下旬低容量颗粒的NAND Flash合约价格呈现小幅上涨的状况。
【市场观察】金士顿调涨模块2GB 达30%，带动现货价同步上涨 2009-08-12 全球第一模块大厂金士顿，在七月底调涨DDR2 2GB售价由20美元调整至23.5美元，8月10日最新官价为26.5美元，金士顿调涨模块售价也同步带动现货市场价格，DDR2 800Mhz 1Gb自七月中旬由1.10美元上涨至今日止为1.46美元，涨幅达33%，DDR2 1Gb eTT从7月15日1.05美元上涨至1.45美元，涨幅达38%，DDR3 1333Mhz 1Gb自7月15日1.65美元上涨至2.15美元，涨幅约30%。
【市场观察】多空因素影响8月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见 2009-08-11 8月上旬主流MLC NAND Flash合约价大致呈现涨跌互见的状况。随着NAND Flash供货商以较先进制程技术4xnm & 3xnm所生产的高容量产品比例逐渐提高后，由于高容量颗粒的成本下降效益逐渐显现，因此一些供货商便小幅地调降约2-5%部份高容量MLC NAND Flash颗粒的合约价来促销淡季的买气。
【市场观察】集邦科技: 全球DRAM产业2009第二季营收涨幅高达27.8% 2009-08-04 根据集邦科技调查统计，2009年第二季，DRAM合约价在减产效应持续发酵，计算机系统厂商在低价持续拉高库存水位下，第二季DRAM合约季均价上涨23%。现货价格亦在减产效应下，供给吃紧，DDR2 1Gb 667MHz 现货价格在五月一度站上1.27美元。许多市场人士乐观期待DDR2 1Gb在六月底站上1.5美元。但在五月下旬，传出某DRAM厂商释出低价颗粒到现货市场，而使六月现货价格维持在1.05至1.19间盘整。第二季DDR2 1Gb 667MHz 现货季均价上涨27%，约1.12美元。
【市场观察】NAND Flash品牌厂商2009年第二季营收排名 2009-07-30 在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下，第二季NAND Flash平均销售价格（ASP）约上涨20% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长，2009年第二季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为27亿8千6百万美元，较上一季的20亿8千6百万美元成长33.6%QoQ。
【市场观察】多空因素杂陈7月下旬主流MLC NAND Flash合约价小跌0-4% 2009-07-23 7月下旬主流MLC NAND Flash合约价小跌约0-4%，因供货商们的客户结构及其客户需求状况有所差异，因此合约价持续出现部份小跌及部份持平的情况。
【市场观察】集邦科技: DRAM七月下旬合约价，DDR3「最低价」上涨逾9%、DDR2均价上涨逾5% 2009-07-21 继七月上旬DDR3合约价上涨5%后，七月下旬DDR3合约价再度上涨。在DDR3供给趋紧下，一线PC OEM厂备货转趋积极，七月上旬，大部份DRAM厂的DDR3 2GB合约价都已达24美元，且价格维持至七月底。
【市场观察】7月上旬主流MLC NAND Flash合约价因淡季效应小幅下跌约1-5% 2009-07-13 由于7月份仍处于NAND Flash主要应用产品记忆卡及UFD的传统淡季，且部份下游记忆卡业者目前库存水位仍然在一个月以上，故在7月初的采购意愿仍低，上游供货商因此也持续地小幅调低主流MLC NAND Flash的合约价，以提高客户在淡季的采购意愿，因此7月上旬主流的MLC NAND Flash合约价大致呈现小幅下跌约1-5%的情况。
【市场观察】七月上旬合约价公布，DDR3上涨约5%左右、DDR2则呈现持平走势 2009-07-07 经过六月下旬合约价的持平走势后，七月上旬DDR3合约价再度展现上涨气势，DDR3 1066Mhz 2GB合约价格从23美元上涨至24美元，涨幅约5%左右，DDR2合约价格则呈现持平的价格走势，DDR2 667MHz 2GB的合约均价约落在21.5美元。
【市场观察】7月DDR3合约价预计上涨5%-10%，年底前DDR3占整体投片逾30% 2009-07-01 7月DDR3合约价将重启协商，由于PC OEM厂积极转进CULV平台，对颗粒的需求大幅增加，预期7月DDR3合约价格上涨约5%到10%左右，且随着景气走出谷底，DRAM大厂的DDR3投片量今年底前可望占整体30%。
【市场观察】6月下旬主流MLC NAND Flash合约均价呈现持平或小跌 2009-06-25 6月下旬主流MLC NAND Flash合约均价大致呈现持平或小跌情况，主要是NAND Flash市场受到季底效应，淡季效应及新智能型手机上市效应等多空因素的交互影响使然，因此近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。
【市场观察】DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%，唯成交反应清淡；季底效应与淡季因素，NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势 2009-06-18 DDR2 1Gb eTT现货价格自5月11日的高点1.34美元一路下滑至6月12日的低点1.04美元，跌幅将近22%，6月初开始跌势加快，两周间下跌近13%，甚至逼近了一美元的信心关卡，随着本周海力士与南科传出合约价格将继续上涨，现货颗粒价格翻扬至1.09美元均价，至今上涨约5%左右，但价涨量跌。
【市场观察】iPhone 3GS上市将有助稳定淡季的NAND Flash价格；6月上旬主流MLC合约价下跌1-6%；新iPhone对NAND Flash市场的影响性 2009-06-10 6月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见的情况，其中主流的高容量MLC颗粒合约价呈现小幅下跌1-6%的情况，主要原因为6月份受到季底效应及淡季效应的双重影响使然。
【市场观察】Computex Taipei 2009展后评析，从新产品展望未来DRAM之发展；NAND Flash：SSD的产品发展现况；受惠于Core i7、Windows 7，桌上型计算机仍有可为 2009-06-09 Computex Taipei 2009自今年6月2日开始，为期共五日的展览，吸引着全数无数买家的目光，也让众多厂商展示出研发中或是即将出货的新商品，无形中也透露中信息产业中下半年未来的走向，而在DRAM内存的未来走向，也呈现着DDR3世代交替、高容量内存与超频性的三大主轴。
【市场观察】5月下旬主流NAND Flash MLC合约均价小幅下跌2-6% 2009-05-26 5月下旬NAND Flash合约价大致呈现持平，但部份主流MLC颗粒的合约均价小幅下跌2-6%，主要原因为部份供货商在季底效应下，在5月中已开始进行部份高容量产品的促销降价活动。
【市场观察】DRAM厂商的现金状况评估 2009-05-22 大部分的厂商在DRAM价格连跌两年、持续亏损达八个季度后，帐上现金水位呈现大幅下滑，同时DRAM价格在08年第四季与09年第一季均滑落至现金成本之下，厂商现金流出的情况更为严重。从财务的角度来看，以往在价格大于现金成本的时候，来自营运活动的现金流在加回折旧费用后均可呈现流入的状况，而目前低于现金成本的DRAM价格让各家厂商在营运与资金管控上面临更严峻的考验。
【市场观察】集邦科技：全球DRAM产业2009第一季营收下滑22.3%；NAND Flash 品牌厂商2009年第一季营收排名 2009-05-12 根据集邦科技调查统计，2009年第一季，DRAM合约价在跌至DRAM厂商的材料成本约0.8美元/Gb后止跌，但因第一季在计算机系统厂商调节库存下需求急降，使得DRAM厂商的减产效应无法刺激价格回升。第一季DDR2 1Gb合约季均价下降约25%，现货价在力晶供给大幅降低，以及奇梦达宣告破产的消息刺激下，曾回升至1.2美元。第一季DDR2 1Gb现货季均价大约持平。
【市场观察】NAND Flash厂商持续调整供货策略，五月上旬合约价格上涨0-12%；Intel将持续扩大山寨小笔电占有率 2009-05-11 5月份上旬NAND Flash合约均价呈现上涨0-12%的情况。5月上旬NAND Flash供货商仍延续4月份“优先供货给系统客户”的策略，因此对记忆卡客户的供货量就明显地减少；且中国市场家电下乡政策、3G手机升级及山寨机等库存回补短单在5月仍持续下，NAND Flash合约均价因而得以持续小涨。
【市场观察】集邦科技：五月合约价预期上涨10%-15% 2009-05-05 集邦科技表示，在现货市场最大供货商，力晶及尔必达四月起停止出货至现货市场后，现货市场供给吃紧的状况下，DDR2 1Gb的现货颗粒价格已经站稳1.2美元并蕴酿上攻至1.5美元价格水位的动能，从四月的现货颗粒价格可以发现，当四月下旬颗粒价格一度攻上1.26美元后，价格呈现小幅下滑走势，
【市场观察】NAND Flash维持强势涨势，16G MLC四月上旬合约均价续涨8-18%；PC：中国市场带动NB第二季成长 2009-04-28 4月下旬主流MLC NAND Flash合约均价维持上涨趋势，上涨 8-18%，反应NAND Flash供货商厂商的持续调控市场供货量以及NAND Flash系统客户及中国手机市场的库存回补需求。
【市场观察】现货市场供给吃紧，将有助于DDR2 1Gb颗粒价格未来上涨趋势 2009-04-23 DRAM颗粒现货价格自4月13日的0.95美元上涨至4月16日的1.13美元，涨幅达19%，据市场人士表示由于eTT的主要供应者如力晶和尔必达在短期间将停止颗粒出货至现货市场中，现货市场买家进场补货,拉高库存，带动DDR2 1Gb eTT价格一度上涨至1.20美元。
【市场观察】山寨笔电来势汹汹众厂家竞逐低价市场 2009-04-16 由于价格便宜以及看好未来中国政府发展上网设备的政策，山寨笔电在中国成为热门产品，研究机构集邦科技(DRAMeXchange)预期，未来还会有更多厂商加入战局，具有上网、简易娱乐功能的笔电已打开低价市场。
【市场观察】DRAM厂50nm制程的转进与资本投资 2009-04-14 随着全球DRAM产业面临了超过二年的不景气，加上去年下半年金融风暴袭卷造成消费需求急冻之下，2008年DRAM颗粒价格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb价格回到了0.88美元均价，但仍在材料成本与现金成本之间，在DRAM厂本身面临到极大的现金流出压力下，不仅要大幅减产因应，对新制程转进，也在大减资本支出下延后时程。根据集邦科技调查统计，全球2009年的DRAM资本支出已经下修至54亿美元，比起2008年时122亿美元，大幅减少56%。
【市场观察】DRAM：四月上旬合约价再次维持持平走势，五月价格预期将翻扬；供货商调整供货策略，激励NAND Flash 4月上旬合约价扬 2009-04-07 根据集邦科技的调查DRAM制造商与PC OEM厂商的合约价格，四月上旬合约价依然维持持平的价格走势。
【市场观察】集邦科技表示，2009年DRAM市场位成长率下修至2.43%；NAND Flash：近期主流颗粒16Gb MLC现货价格走势依然坚挺 2009-03-31 全球DRAM产业历经了长达两年的景气寒冬，大部分的DRAM厂面临了现金吃紧与短期负债偿还的问题，在现金压力之下，集邦科技预估由于部份DRAM厂商直到年底产能率用率都将维持低于50%，因此2009年的位成长率将仅只有2.43%，比起2008年的66%甚至2007的95%都呈现大幅度的缩减。
【市场观察】从NAND Flash价格的变动剖析上下游业者面对的挑战 2009-03-24 NAND Flash合约价格自2008年底之后逐渐触底上升，以主流的16Gb与32Gb为例，16Gb颗粒价格2008年12月上旬合约价为1.65美元，2009年3月上旬已达到3.15美元，平均涨幅达到91%；而32Gb颗粒合约价格也由2008年12月上旬的3.62美元涨到2009年3月上旬的5.98美元，平均涨幅也达到了65%，对于NAND Flash上下游厂商而言，如此快速的价格攀升也意涵着某种程度市场策略的调整。
【市场观察】Windows 7对PC产品、市场需求之影响 2009-03-17 继Vista之后，微软计划于今年第三季末上市新版操作系统－Windows 7。其与最新服务器操作系统Server 2008 R2使用相同的核心程序代码，且继承现有Vista大部份功能，但后者被人诟病的缺点则在Windows 7中改善许多，可以说是Vista的改良版；除此之外，Windows 7更维持与Vista接近之硬件规格要求，期望能藉此一改当时Vista推移不顺的市况。
【市场观察】急单效应有助于NAND Flash价格短期内不易出现大幅波动；三月上旬合约价格评论 2009-03-10 NAND Flash市场价格这一波的上涨从去年年底开始，起因于上游各供货商陆续停止部份8吋厂的生产以及调降12吋厂的产能利用率，因而在供给量持续下降的条件下NAND Flash主流颗粒16Gb MLC的合约均价近三个月上涨了约91%，如Figure-1所示。这一波的价格上涨使上游供货商暂时解除了亏损生产的危机，并得以有足够的资金能继续营运晶圆厂的生产作业。下游部分记忆卡和随身碟业者也间接受益于这波价格的上涨，在逐渐去化掉先前以较低成本所购入的NAND Flash颗粒和记忆卡之后，近两个月的营收都有明显的往上。
【市场观察】集邦预估台湾内存公司（TMC）产能市占将达到34.40% 为全球之首 2009-03-06 2009年3月5日经济部宣布将成立台湾内存公司（TMC)，集邦科技 (DRAMeXchange)表示，若整合全台DRAM产能，并引入5x奈米制程，集邦预估TMC产能在全球的市占率将达到34.4%，为全球之首。
【市场观察】DDR2 1Gb eTT现货颗粒价格上周下跌逾10%，其余颗粒价格皆超过5%跌幅；5Xnm制程转进，全球DRAM厂最艰困的一役 2009-03-03 DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后，经过短暂的持平走势，上周（02/24-03/02）颗粒价格再次呈现下滑的走势，DDR2 1Gb eTT从0.95美元下跌至0.85美元，跌幅逾10%左右，价格亦跌破至二月中旬低点0.86美元，而原厂颗粒方面，价格就不若DDR2 1Gb eTT有着较大幅度的波动，上周DDR2 667Mhz 1Gb颗粒价格从0.89美元下滑至0.83美元，跌幅约在7%。从市场面来观察，由于现货市场中的eTT颗粒多由台系DRAM厂所主导，加上近期台湾DRAM产业合并与退出新闻不断，现货DDR2 eTT颗粒价格也呈现着诡谲的变化，随着本周台湾政府将会正式宣布台湾DRAM产业合并的大方向，将有助于DRAM颗粒价格回归基本面。
【市场观察】DRAM 现货颗粒价格上周上涨逾10%，二月下旬合约价格表现持平；中国家电下乡政策-PC商机 2009-02-24 DRAM颗粒价格自奇梦达逾1月23日正式宣布破产保护后，随着中国新年假期的沈淀，2月2日DDR2 1Gb eTT颗粒开盘随即自0.96美元跳空至1.2美元，涨幅达25%，但价格高点仅维持近一周，之后短短两周间（2/6-2/19）价格就一路下跌至0.87美元，价格与2月时高点1.21美元相比，跌幅达28%，也跌破了DDR2 1Gb eTT的一月均价0.98美元，但上周五DDR2 1Gb eTT颗粒价格再次演出急涨行情，颗粒价格上涨至均价0.96美元，涨幅达10%，而DDR2 667Mhz 1Gb仅小涨4.7%，价格落在0.89美元左右，从现货颗粒价格的急涨急跌也反应出DRAM产业的整并与退出市场与否的诡谲情况。
【市场观察】NAND Flash产业的营收结构分析 2009-02-17 4Q08 在金融风暴的影响下，使得传统旺季需求出现远不如预期的情况，迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下，而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气，因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ，由于终端产品出货量不如预期
【市场观察】展望2009年台系DRAM厂的未来；NAND Flash 品牌厂商2008年第四季暨2008年全年营收排名 2009-02-10 全球DRAM市场经历了长达将近二年的不景气，整体市况的供不应求加上去年下半年金融风暴的吹袭之下，价格更从获利一路下滑至现金成本甚至材料成本。而在台系DRAM厂方面，因为本身无自有技术的关系，往往与技术母厂与产能作为交换条件，资本支出往往更远胜技术母厂，虽景气攀升时可以互盟其利，但景气下滑不易掌控资金流出速度，偿债能力下滑，易使企业陷入经营危机。
【市场观察】集邦：奇梦达破产效应，DDR2 1Gb 现货价单日上涨25%；NAND Flash合约价回到现金成本，上涨力道趋弱,视厂商减产是否持续而定 2009-02-03 德国DRAM厂商奇梦达（Qimonda）在今年1月23日亚洲市场收盘前一小时宣布破产，在市场休完一周新年年假后，昨日（2月2日）DDR2 1Gb单日上涨25%，高点来到1.2美元。 DRAM厂商在价格连续下跌两年，甚至于2008年第四季下跌至厂商的变动成本（材料成本），使得德国、韩国及台湾政府在确保产业发展前提下，纷纷与DRAM厂商讨纾困金额及方式。去年十二月，奇梦达在德国政府与母公司英飞凌及葡萄牙州立银行同意挹注3.25亿欧元（4.22亿美元）下，出现一线生机。但在1月23日消息传出，由于母公司英飞凌资金并未注入，致德国政府也决定不与资金援助下宣布破产。
【市场观察】DRAM现货市场交投清淡，一月下旬合约价可望持平；DDR3迈入主流规格将可能递延至2010年；Flash供给成长减速及2H09需求回温将有助NAND Flash价格止稳回升；Netbook对NB价格破坏力道远大于市占率 2009-01-20 上周现货市场交投相当清淡，DDR2 1Gb eTT小幅下滑至0.97美元，跌幅约4%左右，DDR2 667Mhz 1Gb维持平盘约落在0.85美元左右，由整体市场面来分析，由于中国市场补货潮已经进入尾声，整体交易量不多，加上中国新年将近，现货市场交易量的提升仍需静待年后的表现。而在合约市场方面，随着一月上旬合约价的持平，DDR2 667Mhz 1GB与2GB均价约8美元与16美元，亦中止连续七个月下跌的走势，近日更传出某韩系大厂有意加入减产的行列达10%-20%左右，合约价格筑底态势形成，一月合约价可望持平，二、三月酝酿真正的反弹契机。
【市场观察】2009年1月止全球DRAM厂减产已逾22%；现货颗粒价格站上1美元关卡、合约价酝酿反弹契机；从CES 展望2009年消费性电子市场趋势；1月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见 2009-01-13 随着DRAM颗粒价格自2007年开始滑落至今，DRAM颗粒价格已经面临到将近连续七季的亏损，全球DRAM厂在2007年及2008年合计约100亿美金，其中台系厂约占42亿美元，分析其主要的原因，当时DRAM厂普遍对市场的内存需求呈现过度乐观的看法，在2006年间大举兴建12吋DRAM厂，产能于2007年开始陆续开出，造成供过于求导致价格急速下跌至今，根据集邦科技统计，自2007年第一季至2008年第三季为止，全球12吋DRAM厂成长近56%，即使期间八吋厂亦去化了57%左右，但整体平均产能仍成长了21%。从另一角度来分析，随着DRAM颗粒价格直线崩落与PC OEM的VISTA搭机比例升高，纵使PC OEM厂在2008年第二季大举将平均内存需求拉至2GB之上，力图扩增PC中内存的搭载容量，但仍赶不上DRAM厂间的扩厂速度，随着去年下半年景气急转直下，金融风暴终成为压死DRAM厂的最后一根稻草。所以全球DRAM厂自去年九月展开减产的动作，根据集邦科技统计去年九月至今年一月间的最新的投片量，全球减产已逾22%，其中以台湾减产幅度最高达55%，显见DRAM厂自九月宣布减产后每月仍不断持续减少投片量已超过当初对外所宣称的比例，加上实行有限度的出货策略，自十二月份起已出现价格反弹的讯号，首先现货市场DDR2 1Gb eTT颗粒价格自12月中大举反弹至今逾75%，合约价亦自一月上旬止跌回稳，待PC OEM需求归队，反弹之路指日可待。
【市场观察】DRAM 现货行情筑底并持续走扬；2009年全球DRAM产业资本支出预估削减40%-50%；NAND Flash供货商减产和库存降低，使12月下旬主流颗粒现货价出现跌深反弹；DT 绘图卡内存容量提升，无助于内存用量 2009-01-06 现货市场方面DDR2 1G eTT自十二月中开始起涨，颗粒价格从低点的0.59美元上涨至今0.91美元，涨幅将近55%，DDR2 667Mhz 1Gb亦不徨多让，价格也从0.58美元上涨至0.77美元，涨幅约33%，由市场面来观察，虽然近期适逢圣诞假期与新年关系，欧美市场陆续休兵，虽仅剩亚洲市场独撑大局，并未出现大幅下跌的走向，整体现货颗粒价格仍持续走稳上扬。再者，以现货市场为主的台系DRAM继续控制出货量的方针依然不变，原因在于以目前的颗粒价格来说，仍未达到厂商的1.3-1.5美元的现金成本，为了保有现金与价格水位，出货量的控制将有再继续的必要性。由减产方面来观察，自力晶九月宣布减产后，尔必达、茂德、南科与华亚科陆续跟进，全球DRAM厂合计减产近20%，其中又以台系DRAM厂减产幅度最高达29%，加上台系DRAM厂有较高比例的颗粒供给现货市场，现货供给已锐减了36%，比合约市场供给减少19%幅度更为惊人，待欧美市场归队后及中国新年补货潮双重影响下，对现货市场后市的发展绝对有正面的帮助。
【市场观察】2008年DRAM产业重大事件回顾；2009年NAND Flash位成长持续下修至81%，终端应用产品需求面仍显疲弱；12月下旬NAND Flash合约价评述 2008-12-30 回顾2008年，全球DRAM产业面临到严重供过于求与产业结构的问题，上半年时8吋厂陆续投入非DRAM商品，加速8吋厂去化并全力转进12吋厂降低DRAM颗粒成本，并宣示明年导入50nm的走向不变，此时DRAM业界仍普遍相信景气回春有机会于下半年浮现，可惜下半年的金融风暴将DRAM产业推入冰河时期，不光DDR2 1Gb eTT颗粒价格曾下跌至0.58美元历史新低，现金的净流出更无异于让DRAM厂再次雪上加霜，营运上出现危机，产业的减产与整并才陆续在近期正式展开，希望藉由此机会让市场回归正常机制。集邦科技整理2008年中的重大产业事件与趋势，为2008年DRAM产业做总结，并期许2009年DRAM产业能有如浴火凤凰般，再造新气象。
【市场观察】减产效应开始发酵，持续至第一季底；DDR2 1Gb现货价有机会于第一季回到1美元；NAND Flash晶圆产量减速措施将有助于改善2009供过于求市况；中国市场将成为Netbook一级战区 2008-12-23 DDR2 667Mhz 1Gb价格在10月底跌破现金成本1美元后，仍缓跌至0.6美元，来到厂商的材料成本。DRAM厂在不堪亏损下，减产幅度愈来愈大。根据集邦科技统计，在第四季台湾厂商12吋约当产能已减产近30%，韩系厂商在海力士停掉8吋产能后，十二月再减12吋产能约20%，即使三星未减产，韩系厂商总产能在第四季仍减少16%。明年一月，适逢台湾农历过年，台系DRAM厂甚至延长休假至2周，第一季产能持续下降。集邦科技预估，减产效应持续发酵，明年一月至三月全球产出持续负成长。但在全球经济不景气加上个人计算机第一季销售下降下，DRAM合约价仅可望落底，上涨动能较弱。而现货价，则在主要供应厂，台系厂商大减产能下，上涨动能较大，有机会上探1美元。(Figure-1)
【市场观察】集邦：政府适度协助，台湾DRAM产出有机会达到市占世界首位 2008-12-17 标准型DRAM合约价在2007年初因供过于求开始急跌，第一季大跌48%，全年跌幅为83%，多数厂商在2Q07即开始亏损。2008年初，DRAM价格稍稍回文件，但尚未回到厂商总生产成本(平均约2.5美元)，景气又翻转直下，DDR2 1Gb由今年九月1.75美元下跌46%至0.94美元。即使在跌破厂商现金成本(不计折旧成本)1美元，价格仍无法止跌，在金融风暴下，需求急跌，DRAM合约价及现货价都跌至厂商的材料成本(颗粒材料+后段封测)0.6-0.7美元，仍不见有价格有反转迹象，各家DRAM厂在面临营运现金部位不断下降，资本市场募资不易，已面临退出或接受政府纾困的困境。
【市场观察】DDR2 667Mhz 1GB合约价再度下跌 10%，十二月下旬合约价不排除继续下探；NAND Flash需求疲弱，SSD市场未如预期，2009年市场仍呈现超额供给状态；中国NB市场具高成长性但避免不了低价化 2008-12-09 DRAM颗粒价格情依然抵文件不住现货市场需求的疲弱，跌幅虽比上周好转，但仍呈现下跌的走势，上周(12/02-12/08)DDR2 1Gb eTT的颗粒价格从0.67美元下滑至0.61美元，跌幅约9%，而DDR2 667Mhz 1Gb亦从0.64美元下滑至0.61美元，跌幅约5%，DDR2 512Mb eTT方面虽小幅下跌近3%，但本身价格已接近封测价格，DRAM厂已无现金流入可言，更不排除减产来降低损失。由现货市场来分析，随着月底做帐结束，市场压力稍微获得趋缓，但整体现货市场库存水位依然呈现高档的状况，随着全球不景气伴随着圣诞假期需求落空，库存水位调节的时间将会延长，明年上半年需求的回复将有一定的难度。
【市场观察】DDR2 1Gb现货颗粒价格频破历史新低、DDR2 512Mb价格已接近封测价格；2009年NAND Flash位需求成长93%，记忆卡和随身碟仍为市场主要应用 2008-12-02 DRAM现货行情频破历史新低价，上周(11/25-12/01)DDR2 1Gb eTT的颗粒价格从0.8美元下滑至0.68美元，单周跌幅达15%，十一月份单月跌幅更高达34%，DDR2 512Mb eTT颗粒价格亦同步下挫，价格从0.39美元下滑至0.35美元，跌幅约10%，仅十一月份跌幅已高达33%。库存调节过高与月底做帐的关系为上周颗粒价格大幅下滑的主要原因，但值得注意的是，随着年关将近与市场需求急剧恶化下，部份现货商已考虑将手上的库存变现以渡过这波的不景气，届时不理性的价格将有可能会在年底陆续浮现。
【市场观察】DDR2 1Gb现货颗粒价格续创历史新低价，DDR2 1GB合约价破10美元信心关卡；2009将成3-bit/cell MLC NAND Flash推广年；11月下旬NAND Flash合约价开平盘；左右受制之Atom平台之All in one PC 2008-11-25 虽然近期政府是否要救DRAM市场的议题不断发酵中，也引起各方人士热烈讨论与争辩，但DRAM颗粒的价格终究仍取决于市场的需求，随着全球整体经济环境的恶化与欧美圣诞假期的需求急冻，现货市场方面，DDR2颗粒价格更频创历史新低价，上周(11/18-11/24)DDR2 1Gb eTT的颗粒价格从0.87美元下滑至0.81美元，跌幅达6.9%，从第四季开始仅仅二个月间跌幅高达33.6%，DDR2 667 1Gb颗粒价格也不遑多让，价格从0.86美元下滑至0.77美元，跌幅约10.5%，截至目前为止的第四季跌幅更高达36.8%。以往在现货市场中原厂颗粒因为经过严谨测试的关系，原厂颗粒价格大都高于eTT颗粒价格，但现今原厂颗粒价格皆低于eTT颗粒价格，显见DRAM原厂的库存压力极大与市场供过于求的情形仍未有效纾解。
【市场观察】台湾DRAM封测产业之分析 Part 2；NAND Flash：从SSD标准的制定看市场兴起的关键因素 2008-11-18 随着DRAM产业的严重供过于求与全球经济的持续恶化下，2008年的DDR2 1Gb eTT颗粒价格就从年初的1.76美元下滑至目前的0.92美元，跌幅达48%，DDR2 667 1Gb颗粒跌幅更高达53%，此外DRAM产业经过了长达近二年的亏损甚至近期颗粒价格跌破变动成本后，DRAM厂面临到现金流出与手上现金严重不足的危及存亡之秋，自今年九月开始，DRAM厂如力晶、尔必达、海力士、茂德与华亚等纷纷宣布减产，减产达13%，再再反映出DRAM市场环境的恶劣。
【市场观察】DRAM产业进入”减产或退出”的关键调整期；DRAM，4Q08、2009供需及价格趋势分析；NAND Flash供过于求市况可望于2H09获得改善；11月上旬主流MLC NAND Flash合约价下跌0-20%；11月上旬NAND Flash合约价简评；前景不明的PC市场 2008-11-11 DRAM产业，由于资本投入庞大，以及设备折旧占成本比高达4-5成。厂商的生产规划，必须以产能满载方式生产，降低产品平均成本，回收投资。正因为如此，当供需不平衡时，很难出现像其它产业会有自律性的减产。甚至，具有成本竞争力的厂商，在资金允许下，在市况不佳下再逆势扩充厂能，转进技术，期待弱势厂商不堪亏损，退出市场后，可趁机坐大市占率。如此，也让DRAM空头持续更久。
【市场观察】台系DRAM厂财报陆续出炉，创单季史上最大亏损金额！NAND Flash 品牌厂商2008年第三季营收排行 2008-11-04 十月开始随着各台系DRAM厂财报陆续出炉，第三季的亏损随着颗粒价格持续下跌而扩大，力晶、茂德、南科与华亚科分别净损了150亿、87.9亿、87.7亿与40.5亿台币，第三季合计亏损了近366亿，前三季台系DRAM厂共亏了908亿左右。其中台系厂中以力晶与茂德为亏损幅度最高的厂商(Figure-1)，由现货颗粒价格来分析，DDR2 1Gb eTT颗粒价格从七月初的1.95美元下滑至九月底约1.23美元，跌幅达37%，也导致力晶的亏损缺口持续扩大，而仍以DDR2 512Mb 颗粒为销售主力的茂德，DDR2 512Mb eTT亦从七月初的0.97美元下跌至九月底的0.71美元，跌幅达27%，从跌幅比例上来观察虽不比DDR2 1Gb颗粒价格，但因成本结构远高于DDR2 1Gb的关系加上库存跌价损失等因素，也让茂德第三季的亏损大幅增加的主要原因。但值得注意的是十月底DDR2 eTT 1Gb与512Mb颗粒价格再次下滑至1.02美元与0.53美元，与十月初相比颗粒单价又下跌了近15%与25%，预料第四季的亏损金额将会比第三季更为扩大，也让目前现金不断流出的DRAM厂再次雪上加霜。
【市场观察】DDR2 1Gb颗粒价格逼近1美元历史新低价，持续减产才是产业的自救之道；Intel IDF Taiwan揭橥下一代行动与储存技术，NAND Flash合约价格短期呈现止稳态势；全球PC第四季出货目标将下修 2008-10-28 九月以来，力晶、尔必达、海力士与茂德纷纷宣布减产，日前南亚科（Nanya）与华亚（Inotera）也于法说会正式宣布加入减产的行列，南亚科方面，除了与美光合作的亚美（Mei-ya）与Fab3 Phase2扩厂计划暂缓外，原有的Fab3 Phase1也因应转换至美光（Micron）堆栈制程的关系，到明年第一季投片量也将从30K减少至15K，而华亚方面也从十月开始减产20%，产能从原有130K修正至104K。加上之前所减产的部份，集邦科技估计所减少的产能占全球产能的12-13%左右。
【市场观察】DRAM价格跌落现金成本以下，需求成长不佳，DRAM厂势必大规模减产因应；直通硅晶穿孔TSV：解决多层NAND Flash芯片堆栈困难的未来封装技术；Intel CPU新平台上市，有助内存规格改朝换代 2008-10-21 DRAM DDR2 1Gb 667MHz现货价由今五月六日高点$2.29，至十月十七日$1.13下跌近50%。自九月六日就正式跌破$1.5，DRAM厂平均现金成本的关卡。在市场库存消化不易及需求前景不佳下，DRAM厂势必大规模减产因应。而且，一旦DDR2 1Gb低于$1.3，对成本压力大的DRAM厂，营收带来的是现金净流出，继续生产已无必要。
【市场观察】DRAM: 美光正式取得奇梦达在华亚的股权，美光南亚联盟市占率大跃进；NAND Flash相关产品容量提升合约价呈现涨跌互见情况 2008-10-14 美光(Micron)已于美国时间10月12号正式宣布买下奇梦达(Qimonda)在华亚(Inotera)的35.6%的股份，总值约130亿台币(4亿美元)，延宕多时的华亚归属问题终于尘埃落定，南亚与美光关系将更为密切，华亚也将按照计划未来将沟槽式(Trench)技术转换为堆栈式(Stack)的技术，正式与美光技术接轨。
【市场观察】DDR3技术演进及未来发展; NANA Flash封装技术介绍 2008-10-07 对于DRAM产业来说，2007与2008年绝对是艰困的二年，市场供过于求与DRAM厂的大幅扩产导致DDR2颗粒价格严重下跌，随着第四季的PC销售可能不如预期下，更让DRAM颗粒库存水位攀升，价格更是频频破底，截至目前为止DDR2 1Gb eTT的现货报价仅在1.15美元，而DDR2 667 1Gb落在1.19美元间，纵使目前DDR2的价格已远低于变动成本，对于DRAM厂而言，DDR3内存的开发仍是下一场战争的必要关键。
【市场观察】DRAM: 需求冷清，减产效应未现，短线价格持续悲观；slotMusic创造快闪记忆卡市场新需求；一刀两刃之Netbook 2008-10-01 九月以来，DRAM厂纷纷宣布减产，力晶、尔必达、海力士分别在九月八日、九日、十八日做出宣示减产动作，只要如期进行，预计将减少全球DRAM产出5~6%左右，实际效应最快将于十月底至十一月开始显现。现货市场在九月初第一次减产讯息传出后，价格确实受到激励，指标颗粒DDR2 1Gb eTT均价由九月八日的1.32美元反弹至十日的1.4美元上涨6%，但涨势在十一日后告一段落继续盘跌。然海力士宣布减产后，现货价格不再受到激励，均价小幅上扬一美分后随即转弱。整体而言，减产讯息仍不敌现货市场需求冷清的现实，现货市场九月持续冷清。现货价格在九月三十日，更因月底结帐压力而重挫，指标颗粒DDR2 1Gb eTT下跌6.37%，以1.23美元做收。
【市场观察】集邦预估成本结构不佳DRAM厂须跟进减产，才有机会渡过产业史上最严峻的寒冬；NAND Flash供给成长放缓将有助4Q价格止稳 2008-09-23 继力晶与尔必达(Elpida)相继宣布减产后，韩系大厂海力士(Hynix)亦于9月18日宣布减产自家20%的DRAM产能。集邦(DRAMeXchange)分析师表示，海力士在全球市占率约20%，所减少的产能约占全球DRAM产出的3%-3.5%，加上日前力晶与尔必达已宣布减产的部份，集邦科技估计目前所减少的产能共占全球产能的5%-6%左右。
【市场观察】DRAM：减产议题发酵现货价格攀升约6%，供需问题仍待市场机制解决；NAND Flash：Apple推出新型高容量iPod nano以提振买气 2008-09-16 力晶自九月八日正式宣布将于第四季减少DRAM产出约10%-15%后，尔必达亦在九日宣布减产10%的DRAM产出（日本广岛工厂），以目前力晶和尔必达的DRAM产能来分析，分别为十三万片与十一万五千片，合计全球市占率约20%，预估所减少的产能约占全球DRAM产出的2%-2.5%左右。
【市场观察】力晶第四季减产10%-15%,呼吁DRAM厂商减产以求复苏；DRAM产业50nm之挑战—Part II；从SATA 6Gb/s和USB 3.0规格的制订看未来NAND储存装置的发展; NB第四季出货乐观看待，但仍有潜在压力 2008-09-09 力晶于9月8日傍晚正式宣布将于第四季减产DRAM总产能约10%-15%，就力晶整体产能来分析，目前力晶产能约130K(P1+P2+P3)，含给尔必达的部份，约占全球产出10%-15%，因此所减少的产出预估占全球产出的1%-2%左右。
【市场观察】上周DRAM现货价格创历史新低价，九月上旬合约价将再续跌；NAND Flash 价格疲软，市场充满对SSD未来广泛应用的期待 2008-09-02 中国自8/24奥运结束后，现货市场需求未见明显回升，在期待落空下，模块厂转而以低价策略在中国市场销售DRAM模块，DDR2 1Gb eTT跌破自去年11/27所创下的1.57美元的历史低价，来到了1.51美元的新历史低价，单日跌幅近7%，八月以来DDR2 1Gb eTT现货价下跌达20%。DDR2 667 1Gb原厂颗粒价格也来到1.65美元的历史新低。
【市场观察】库存水位太高将使DRAM价格重返年初价格低点；市场等待NAND Flash传统旺季的回春效应 2008-08-26 DRAM厂在去年第二季开始进入亏损，虽然今年DRAM资本支出大减高达40% YoY， DRAM厂扩厂及产能增加也大幅下降。但在三星及尔必达仍高度积极增产，力图在逆势中增加DRAM市占率，也使今年DRAM供给成长率接近65%。DRAM单机搭载率在年初低价刺激下，2GB以上搭载快速增加，但在2GB以上的搭载率超过50%后，其成长速度也减缓下来。
【市场观察】旺季不旺，DRAM现货市场表现清淡，八月下旬合约市场下探机率高；2009年低价计算机搭载SSD的出货和NAND Flash搭载容量预期皆将成长一倍；内存规格演进，NB有机会快于DT 2008-08-19 上周现货市场自八月七日DDR2 eTT跌破1.8美元的信心关卡后，价格呈现疲弱走势，未见任何的反弹力道，集邦科技统计8/12-8/18的现货价格，eTT价格方面，DDR2 eTT 512Mb从0.81美元下跌至0.78美元，跌幅约3.7%，而DDR2 eTT 1Gb亦从1.79美元下滑至1.76美元，跌幅约1.7%，而品牌颗粒的部份，DDR2 667 512Mb从0.85美元下跌至0.83美元，跌幅约2.4%，而DDR2 667 1Gb维持平盘，价格在1.86美元盘旋。
【市场观察】台湾DRAM封测产业之分析；NAND Flash:观望气氛中买气及价格俱显疲软，期待传统旺季来临 2008-08-12 随着DRAM产业自2007年的位成长率高达94%，市场供过于求的情形超乎预期导致价格严重下滑，DDR2 512Mb与 1Gb价格分别下滑了86%与70%，甚至逼进了变动成本，而台湾DRAM封测产业虽然表面上享受到颗粒产能大幅度的增加而接到比以往更多的订单，但也因为颗粒价格的大幅滑落而必须与DRAM原厂共体时艰，除了封装成本往下调降之外，测试时间也必须缩短，再再挑战封测厂的应变能力。
【市场观察】DRAM：现货市场出现短期反弹，然需求依旧不振；NAND Flash 品牌厂商2Q08营收排行; PC：内存需求的提振及世代交替，仍需时间 2008-08-05 现货市场近期交投冷清，价格自七月初下滑之后呈现盘整的疲软走势，就七月而言，需求疲弱，供给充裕。至七月底，现货市场方感受到供给略有趋缓。上周下半，现货价格略出现反弹，DDR2 eTT 1Gb现货均价上周五反弹至1.84美元，再次来到七月中高点，唯成交量依旧无法放大，加上模块厂、经销商及投机客手中库存水位仍高，抑制价格反弹。
【市场观察】DRAM现货市场交投表现清淡，供需平衡仍是价格反弹的首要条件；NAND Flash市场静待北京奥运后的旺季需求回暖 2008-07-30 上周现货市场依然延续平稳的价格走势，价格表现疲软且交投相当低迷，DRAM价格依然呈现小幅涨跌互见的走势，DRAMeXchange统计7/22-7/28的现货价格，eTT价格方面，DDR2 eTT 512Mb呈现平稳的表现，价格维持在0.86美元，而DDR2 eTT 1Gb也从1.80美元上涨至1.82美元，涨幅约1.1%。而品牌颗粒的部份，DDR2 667 512Mb从0.95美元下跌至0.94美元，跌幅约1.1%，而DDR2 667 1Gb从1.96美元下跌至1.94美元，跌幅也约1.0%。
【市场观察】DRAM:七月上旬合约价持平，下旬合约价力守持平，八月偏弱；NAND Flash:总体不确定性弱化淡季需求，期待低价促销刺激旺季买气；PC: 需求不振下，桌上型计算机市场将日益缩减 2008-07-22 DRAM 合约价在四月出现落底讯号，五月强劲反弹， 1GB 均价由四月17.5美元上涨至七月22美元，涨幅达30%。然而在同期现货价 DDR2 1Gb 667MHz 却由2.16美元下跌至1.97美元，下跌幅度约9%。合约与现货的价差也由四月底负13%( 1.88美元 vs 2.16美元) 到7月21日，合约高于现货21% (2.38美元 vs 1.97美元 )。现货价格的疲弱也拖住了合约价格进一步上涨的动能。DRAM厂原本估计七月上旬合约价可上涨5%，最后多以持平成交。七月下旬合约价目前DRAM厂力守持平，但八月合约价可能偏弱。
【市场观察】七月上旬合约价出炉，平均价格仍维持持平走向，唯低价部份仍有上涨5%的空间；NAND Flash价格短期止跌回稳，期待3Q08中需求回温 2008-07-15 现货市场DDR2 eTT 512Mb 与DDR2 eTT 1Gb价格自上周(7/7-7/11)大幅滑落之后，DRAM价格就呈现价跌量缩的走势，DRAMeXchange统计自7月1日至7月14日为止的eTT现货价，DDR2 eTT 512Mb从0.97美元下跌至0.91美元，跌幅约6.2%，而DDR2 eTT 1Gb也从1.95美元下跌至1.84美元，跌幅约5.6%。而品牌颗粒的部份，DDR2 667 512Mb与DDR2 667 1Gb的跌幅也约在2.9%与5.9%。
【市场观察】DRAM: DRAM产业50nm之挑战; NAND Flash: 记忆卡下半年的出货量预期较上半年成长近三成; PC: 低价NB市场机会已露曙光 2008-07-08 半导体技术演进过程，每个时期都曾遇到物理极限，而使人担忧尔后发展是否受限。截至目前，半导体制程碰到的瓶颈，每每透过技术改良或新发明，一一安然突破。在当前 DRAM制造产业，显影(lithography)设备仍以传统 ArF机台为主力，而传统ArF机台的物理极限在65 nm。小于 65nm 以下的制程，目前必须透过浸泡式(Immersion) 机台才可达成。所谓浸泡式技术，即把在黄光显影镜头与晶圆间的介质由水取代原本的空气，经由水折射率的不同，使晶圆上显影的线距更为缩小，来突破原本 65nm的物理极限。而对目前大多处于亏损的 DRAM 厂而言，购买昂贵的浸泡式机台考验其财务能力。
【市场观察】DRAM：合约价格稳定趋坚，但现货与之仍有价差；NAND Flash：受季底及淡季效应双重冲击，价格呈现下跌走势 2008-07-01 现货市场处于淡季，成交量低迷乃为正常状况，然现货价与合约价近期呈现反向走势，实较为少见。此波现货价格没跟上合约价上涨，DDR2 eTT 1Gb现货均价反自六月高点2.15美元下跌至6/30的1.97美元，跌幅约为8.4%。纵使合约价在六月呈现缓步垫高走势，原厂在合约市场出现供给吃紧状况，然现货价自六月中旬却径自走跌，至上周才止跌回稳。
【市场观察】现货价低于合约，OEM开始涉入；Micron Memory Day —勾勒美光对未来NAND Flash产品的发展愿景 2008-06-24 伴随欧美市场第二季 PC出货可能低于预期，及三星回收问题产品新闻影响，市场担心该批产品可能流入现货市场造成多余供给，上周DRAM现货市场走势相对弱势，DDR2 eTT 1Gb价格一度跌破2美元，均价一周内高低差达5%，为近期少见跌幅。此波下跌属短线利空导致，市场对DRAM后市仍看好，纵使开始下跌时成交量不大，跌至2美元以下强劲接手买盘浮现，使价格在此止稳。现货指标DDR2 eTT 1Gb五月至今维持在2美元以上盘整。
【市场观察】DRAM价格等待第三季走坚；iPhone 3G版本七月上市，预期可对NAND Flash市场带来一阵甘霖 2008-06-17 DRAM现货市场，一周以来市况冷清，成交量维持低档。在需求与供给两端都维持量缩的趋势，因此价格虽小幅滑落，DDR2 eTT 1Gb仍维持在2.1美元附近。预计近期现货价格将小幅盘整，向下修正幅度相当有限，集邦科技对第三季现货价格依旧维持缓步盘坚的看法。
【市场观察】现货价相对便宜且下档有限，引起OEM觊觎；MID诱发下一世代行动上网装置新需求 2008-06-10 上周DRAM现货市场交投气氛虽持续冷清，价格却在一周内上涨约5%左右，主要导火线在某韩系厂商供给OEM的产品发生部分瑕疵进行回收。市场在预期此一状况对短期DRAM供给产生影响，同时PC又进入淡季的尾声，纵使现货市场当前实质需求并不强烈，但往下价格跌幅有限，往后又有旺季到来，投机买盘开始在淡季结束前再次进驻。
【市场观察】上周现货市场成交量清淡，DD2颗粒价格仍在区间波动，静待旺季需求来临；Samsung Mobile Solution Forum 揭橥新一代手机应用趋势与科技；旺季需求可期，但仍有隐忧存在 2008-06-04 受到DRAM传统淡季的影响，上周现货市场仍延续之前的价格走势，无论是DDR2 eTT 颗粒或原厂的DDR2颗粒，价格仍旧在小区间上下徘徊波动。以5/27-6/2的价格来分析，现货eTT颗粒方面，DDR2 eTT 512Mb和DDR2 eTT 1Gb的收盘价为0.98美元与2.01美元，涨幅分别为0.0%与1.5%；而品牌颗粒的部份，DDR2 667MHz 512Mb和DDR2 667MHz 1Gb收盘价为1.02美元与2.13美元，跌幅为0.0%与0.9%。
【市场观察】上周现货市场DD2颗粒价格持平，唯成交量仍显清淡，静待六月计算机展行情；1Q08全球MP3/PMP 回顾与2Q08 展望 2008-05-27 上周DRAM现货市场的颗粒价阁并未因海力士(Hynix)无锡厂停电的关系而让颗粒价格有所上扬，整体而言颗粒价格仍呈现持平走势，涨跌只在小区间内上下波动，分析5/20-5/26的价格，现货eTT颗粒方面，DDR2 eTT 512Mb和DDR2 eTT 1Gb的收盘价为1.0美元与1.98美元，跌幅分别为2.9%与1.0%；品牌颗粒部份，DDR2 667MHz 512Mb和DDR2 667MHz 1Gb收盘价为1.04美元2.17美元，跌幅为0.0%与0.9%。
【市场观察】中国无锡工业区停电15小时，Hynix合资厂HNSL受影响；SSD成为储存服务器的明日之星 2008-05-20 5/19下午，市场传出中国无锡工业区停电，根据海力士(Hynix)官方宣布，因为无锡工业区的电力传输系统出问题，停电时间自5月19日早上11:30am开始，至5月20日2:50am恢复供电。而海力士的合资厂HNSL(Hynix Numonyx Semiconductor Ltd.)虽受到停电影响，但立即启动紧急供电系统，影响工厂的产能应不致于太严重，目前实际影响状况仍在评估中。目前海力士的无锡合资厂HNSL有一座8吋厂，月产能约5万片，主要生产消费型DRAM、DDR及SDRAM；另一座12吋厂月产能约10万片，主要生产标准型DRAM。依DRAM厂运作的经验，一旦停电超过2小时，将造成生产中的晶圆片受损，最大影响可扩及两星期之产能。
【市场观察】2007年全球模块厂内存模块营收前15名出炉，不景气中唯金士顿与创见逆势成长约30%；2007年全球记忆卡与随身碟业者的营收排行；低阶芯片组当道：DDR3取代DDR2路程漫长 2008-05-13 对于DRAM产业而言，2007年的确是艰辛的一年，DDR2 512Mb与1Gb价格分别跌落了86%与70%，甚至逼近了变动成本，除了DRAM厂本身营运受到严峻的挑战，连模块厂也受到价格不断下滑的影响，财务操作或是库存管理稍微不慎，就有可能陷入危机，但纵使大环境极其恶劣，仍有模块厂逆势成长，成为不景气中的异数。
【市场观察】DRAM 五月上旬合约价，主流1GB成功上涨10%；NAND Flash品牌厂商1Q08营收排行 2008-05-06 在第一季财报公布后，韩系DRAM厂海力士(Hynix)在产能调整下，第一季DRAM比特销售率仅成长5%，而欧洲DRAM厂奇梦达(Qimonda)第一季DRAM比特销售率为负9%。华亚科(Intotera)也在转进70nm中，产出成长平缓。虽然日系厂商尔必达(Elpida) 第一季产出高达33%，但其DDR2客户主要为数家大模块厂，而非计算机系统厂商(PC OEMs)，使得DRAM的产出在合约市场供给呈现吃紧。加上市场预期DRAM价格落底讯号形成而不断拉高库存，造成四月份现货颗粒价格大涨，自三月中至五月初，品牌颗粒DDR2 1Gb 667MHz由1.91美元上涨至2.16美元，上涨了11.3%，DDR2 1Gb 677MHz eTT更由1.6美元涨至2.04美元，大涨约27.5%。
【市场观察】新阵营陆续形成，威胁三星龙头宝座；从Apple和SanDisk第一季营运结果看第二季NAND Flash市场的发展 2008-04-29 2008年第一季，根据集邦科技分析，DRAM合约价下降约19%，现货价下降约11%。DRAM产业的品牌营收受到DRAM价格仍旧在低档盘旋的影响，与2007年第四季相比，下降了5.8%。除了尔必达(Elpida)与力晶(Powerchip)受到瑞晶产能持续强劲开出的拉抬，在第一季的营收都有所成长之外，其余厂商都有营收滑落的情形出现，也使得尔必达与力晶在市占率都有微幅的成长。
【市场观察】黎明初现，DRAM价格六月正式反弹，DDR2 1Gb将上攻2.5美元；未来SSD在PC的应用型态将朝向多元化发展 2008-04-22 现货市场在供给控制下，价格底部在上周缓步垫高。本周一价格开始急速攀升，DDR2 1Gb 128Mx8 eTT与512Mb 64Mx8 eTT周一均价分别以1.9与0.96美元做收单日涨幅达5.32%与6.69%，4/21市场追价力道强劲，瞬时涨升速度极快，最后卖方缩手观望。现货市场目前看似出现中期整理后，初步喷出脱离底部的现象。这是DRAM现货市场自二月下旬回档整理至今以来较大的一次单日涨幅。上涨主因除市场对未来价格上涨预期心理，价格在低档整理已久。在此价位附近卖方多不愿卖出，惜售状况普遍。
【市场观察】现货合约价格分别持稳，模块厂面临最后的冬天；NAND Flash颗粒价格近期反弹，后续走势仍视终端产品需求的强弱而定 2008-04-15 上周现货市场价格如预期呈现攀高整理态势，交投平淡，尤其周三之后，买卖盘价差大致呈现僵固，先前追价买盘不再，然杀低意愿亦不高。上周eTT在现货市场上供给量维持相对较低水位，相对不容易出现太大卖压。自三月底以来不论DDR2 1Gb 128x8或 512Mb 64x8 eTT均价涨幅约在4~5%之间，其中128x8甚至一度达到1.82美元创下二月下旬以来新高，在淡季的此时，现货价格能有如此表现，可谓相对强势。
【市场观察】新闻议题烘托，DRAM现货价格缓步盘坚; Numonyx(恒忆)将开启NAND Flash产业合纵连横新生态 2008-04-08 宁静一阵子的DRAM市场，上周不少新闻事件发生，主要新闻包括：Elpida社长坂本幸雄宣布将调涨四月DRAM合约价20%，三星将调高四月份合约价，另有2700-3000万颗某韩系厂商 66nm制程1Gb颗粒出现瑕疵遭到退货等三大新闻。以上部分新闻对于DRAM现货价格有所激励，上周DRAM现货价格再次攀升，周一DDR2 1Gb 128x8 eTT均价再次站上1.76，原因在于价格已经跌深，市场上杀低意愿不高，加上市场消息影响，部分买盘进驻，缓步推升现货价格。
【市场观察】DRAM厂未有减产共识下，2008年的竞争模式将从淘汰赛转为延长赛；4X nm制程及multi-bit/cell技术的开发将是NAND Flash业者保持成本竞争力的关键之一 2008-04-01 自2005年DRAM厂展开扩厂的序幕后，2006年间各家DRAM厂因为颗粒价格的上涨而享受到丰厚的果实，然而快速扩张的同时也伴随着供过于求的隐忧，再者DRAM厂本身对于VISTA的需求过于乐观，更种下了2007年至今DRAM价格快速下滑趋近于崩盘的结果。
【市场观察】奇梦达(Qimonda)的最后王牌 - Buried Wrodline技术；高容量与高速兼备SDHC卡将成为DSC与Smart Phone存取主流 2008-03-25 随着南亚(Nanya)与美光(Micron)合作开发50nm的新制品后，奇梦达(Qimonda)也发表了Buried Wordline的新技术。Buried Wordline的宣布表示58nm将是沟槽式(Trench)技术发展的最后阶段，显示沟槽式技术无论是在技术开发与材质上的物理特性皆已发展到上限，因此未来58nm以下的制程发展将全数使用堆栈式(Stack)技术。而Buried Wordline与堆栈式技术最大的不同点在于Buried Wordline是将Wordline埋在晶圆表面之下，而堆栈式技术将Wordline置于晶圆表面之上，正因为Buried Wordline的设计会使线路排列的更为紧密，就相同制程做比较，整个裸晶(Gross die)的尺寸会小于堆栈式技术，将更为有效地节省生产成本。
【市场观察】DRAM市场诡谲多变，DRAM模块厂强化体质并扩大市场占有率；MID搭上全球在线社群网络蓬勃发展的趋势，将为NAND Flash创造新的应用需求 2008-03-18 随着上周宏亿发生跳票危机，甚至在3/12打入全额交割之后，模块厂的未来发展再度引起大家的关注，由于DRAM厂产能不断扩张的结果，以DDR2 eTT 512Mb的价格为例，价格从2006年9/13的7美元下跌至目前0.83美元，跌幅达88.1%，整个产业链除了封测厂以外，无不受伤惨重。因为DRAM颗粒价格下滑的速度超乎预期，模块厂如果不能在短时间内将存货消化完毕，往往只能以亏损收场，因此体质不佳的模块厂纷纷退出市场，生存下来的模块厂也力图振作并强化未来的商业模式。
【市场观察】DRAM产业合纵连横再现，台系DRAM厂将扮演关键性角色；SSD厂商纷纷推出高容量的SATA SSD将带动新风潮 2008-03-11 从上周开始，南亚与美光(Micron)发布将在未来共同开发50nm以下的新制程消息，揭开DRAM厂商间的合纵连横联盟战役历史上崭新的一页。如同1998年时，8吋晶圆厂扩张速度过快，导致颗粒供过于求，SDRAM价格大幅滑落，迫使当时DRAM厂展开一场整并风潮，以期在景气寒冬中生存下来。同样的场景亦有机会在今年重现，由于12吋晶圆厂的积极扩张，但VISTA效应不如预期，使得DRAM颗粒价格一路下跌，更曾低于变动成本；即便如此，目前DRAM厂仍无减产共识，更让价格始终无法回升到获利的状态。
【市场观察】南亚与美光合作计划定案，未来将共同开发50nm以下的新制品；随身碟市场竞争激烈，业者推出低价高容量的商品以利库存去化 2008-03-04 根据2008/3/3美光(Micron)官方网站所宣布的新闻稿，南亚与美光(Micron)将在未来共同开发50nm(暂定)以下的 DRAM制程，并计划在往后数个月间针对此合作计划签订合约。集邦科技分析师表示，此一合作案象征的意义，是DRAM技术发展阵营，堆栈式(Stack)与沟槽式(Trench)的壁垒不再分明，两者的市占率，也将随着阵营间的交互合作而呈现变化。
【市场观察】春节过后至今，DDR2 eTT 512Mb与1Gb价格分别下跌约16%与21%，唯上周出现止跌讯号；Toshiba/SanDisk即将推出43奈米 MLC型和56奈米 x3芯片，将推升终端应用的储存容量 2008-02-26 中国新年过后，现货市场DDR2 512Mb eTT和DDR2 1Gb eTT在2007年2月13日与2月15日再次跌破1美元及2 美元的关卡，DRAM价格就呈现下滑的走势，DDR2 512Mb eTT现货价从2月12日1.02美元下滑至最低的2月20日0.86美元，跌幅约15.7%，DDR2 1Gb eTT现货价从2月12日2.11美元下滑至最低的2月20日1.66美元，跌幅约21.3%后。上周(2/19-2/25)现货市场出现了止跌回稳的讯号，以一周的平均价格来观察，除了DDR2 512Mb与1Gb价格分别固守在1美元与2美元而未破底之外，上周DDR2 1Gb eTT的现货颗粒价仅微幅下跌约2.3%，DDR2 512Mb eTT的现货价则是出现了上扬约3.4%的状况，就市场人士表示，自去年12月变动成本的议题披露之后，市场普遍视0.8美元为DDR2 512Mb eTT颗价格的底部，当上周价格跌至0.85美元后，现货市场出现补货的迹象甚至投机性的买盘的出现导致价格攀升，但由市场面分析，第一季与第二季本属市场淡季，加上整个现货市场交投清淡，价格应属于短期的反弹，对于后市的价格发展仍需谨慎观察。
【市场观察】需求不振，现货价格下跌加速，预期底部将有支撑；Apple推出更高容量的iPhone和iPod Touch以满足爱用者的需求 2008-02-19 上周现货市场表现疲软，交头相当低迷，DRAM现货呈现价跌量缩走势。二月原属DRAM需求淡季，今年更见不到实质需求，已冲高的现货价格在短线投机买盘陆续出场后，eTT颗粒价格于上周下跌10%左右。上周(2/13-2/18)DDR2 512Mb eTT及DDR2 1Gb eTT的现货颗粒价格，截至2/18下午，分别下跌10.78%及10.9%，以0.91美元与1.88美元做收，主流品牌512Mb颗粒报价大致仍维持在一美元上下。市场上成交主要集中在512Mb eTT，1Gb成交量在上周更为萎缩。
【市场观察】现货价短线回档整理，合约价缓步盘坚；NAND Flash品牌厂商4Q07营收排行 2008-02-13 上周适逢中国农历新年，亚洲现货市场多处于假期。经过一个礼拜休假后，台湾现货市场于周二开始交易，下午虽开始有较大之成交量，但交投相对平常水平仍显冷清；在中国方面，市场参与者仍在陆续回到工作岗位途中，交易状况更为清淡。上周(2/4-2/12)DDR2 512Mb eTT及DDR2 1Gb eTT的现货颗粒，截至2/12下午，分别下跌0.97%及1.4%，以1.02美元与2.11美元做收，DDR2 1Gb颗粒与两倍DDR2 512Mb颗粒之价差逐渐缩小。
【市场观察】长假将至备货买盘力道暂退却，现货价小幅下跌；USB 3.0规格今年问世，预计2009年开始影响随身碟市场 2008-02-05 DRAM现货价自一月初发动回升行情，DDR2 512Mb eTT由0.8美元上涨至碰触波段高点1.22美元后，此波农历年前行情在近期逐渐降温。现货价经过一周(1/22-1/28)平稳走势，上周(1/29-2/4)现货市场价格开始缓步回文件。以一周均价观察，上周DDR2 512Mb eTT及DDR2 1Gb eTT的现货颗粒价分别下跌1.9%及1.38%，但DDR2 512Mb eTT与1Gb eTT均价仍分别力守于1美元与2.1美元关卡之上，只是交投已趋冷清。此回檔行情有一说是中国大雪造成部分交通中断，然实际回软主因仍是农历年前备货买盘动作暂告一段落所导致。
【市场观察】DRAM价格稳定DDR2 512Mb守住一美元；iPod和iPhone仍为 2008年影响NAND Flash市场需求的最重要产品之一 2008-01-29 DRAM现货价经过一周(1/17-1/20)激情地演出，价格强劲反弹XX%，上周(1/21-1/25)现货市场趋于平稳，以一周平均价观察，上周DDR2 512Mb eTT及DDR2 1Gb eTT的现货颗粒价仅微跌1%，DDR2 512Mb与1Gb价格分别守在约1.10美元与2.20美元左右。品牌颗粒与eTT颗粒价差也缩小，显示市场激情虽歇，但对于后市的价格趋势表现，持乐观的态度，尤其DRAM厂普遍预测DRAM价格于第一季落底，并有机会于季末三月反弹，也使市场人士乐观以待。
【市场观察】DDR2 eTT 1Gb现货价劲扬23%，一月下旬合约价持平或微涨3%；Apple展示令人惊艳的MacBook Air可选配64GB SSD 2008-01-22 DDR2 512Mb eTT及DDR2 512Mb 667MHz品牌颗粒现货均价分别于2007年11月7日及11月23日跌破1美元关卡，又跌了近一个月的时间方才落底。DDR2 512Mb eTT价格于12月11日落底0.75美元，DDR2 512Mb 667MHz品牌颗粒则于12月18日落底至0.92美元。如集邦科技1月15日周报所预测，DDR2 512Mb即将上攻1美元。DDR2 512Mb eTT及DDR2 512Mb 667MHz品牌颗粒现货均价于1月17日及1月18日正式突破1美元，而于昨日(1月21日)收盘在1.09美元及1.1美元。DDR2 512Mb eTT价格最高甚至成交至1.2美元。以1/15至1/21区间价格走势而言，DDR2 1Gb eTT价格涨幅最高，达21.6%；DDR2 512Mb品牌颗粒价格涨幅也达14.7%。
【市场观察】筑底完成，DDR2 512Mb逐步走坚，上攻1美元；UMPC与MID搭配无线宽带网络将带来NAND Flash的新应用商机 2008-01-15 开春第一周，DDR2 512Mb eTT现货价格维持在0.84美元到0.85美元之间，呈现狭幅整理格局，并于第二周开始反弹，从1/7的0.84美元上涨至1/14的0.92美元成交，涨幅约9.5%。同时DDR2 1Gb eTT价格涨幅也有6.4%，由1.72美元上涨至1.83美元。品牌颗粒方面，DDR2 512Mb价格则从0.92美元上涨3.3%至0.95美元，DDR2 1Gb的价格由1.88美元上涨2.7%至1.93美元。
【市场观察】NB市场持续成长可望吸收部份DRAM产出；漫谈2008年NAND Flash市场发展概况 2008-01-08 上周现货市场DDR2 512Mb eTT价格呈现下滑的价格走势，DDR2 512Mb eTT的价格从12/31的0.89美元下跌至1/7的0.84美元成交，跌幅约5.6%；而DDR2 1Gb eTT的价格从12/31的1.77美元下跌至1/7的1.72美元成交，跌幅约2.8%。而品牌颗粒的部份，价格则是呈现平稳的状况，DDR2 512Mb的价格从12/31的0.93美元下跌至1/7的0.92美元成交，跌幅约1.0%；DDR2 1Gb的价格从12/31的1.90美元下跌至1/7的1.88美元成交，跌幅约1.1%。就市场面来观察，虽然欧美市场因为圣诞假期的关系而暂时休兵，但亚洲市场方面却因为时近中国新年假期的关系与市场普遍预估DRAM颗粒价格下探空间已不大的状况下，出现少见的补货潮，甚至上上周现货市场DDR2 512Mb eTT的颗粒曾一度出现0.95美元的报价，但随着上周现货市场的需求依然疲软与市场信心不足的情形下，价格又重新探回到前两周的水平，预计本周DDR2 512Mb eTT的价格仍会持续微幅下滑的市场走势。
【市场观察】DXI打W底，短期呈底部整理，蕴酿反弹契机；ITRS & IEDM 论坛揭橥NAND Flash未来技术新走向 2008-01-02 DRAMeXchange所推出的DXI，本身代表DRAM产业的产值，不仅显现其对DRAM产业景气的敏感度，且具有DRAM厂股价领先指标的特性。DXI经过集邦科技多年来不断测试修正后，DXI可视为目前DRAM厂股价趋势转折的重要指标。
【市场观察】台系DRAM厂明年决胜，技术与资金是关键；欧美年终销售旺季过后中国将成1Q08 NAND Flash需求的主要市场 2007-12-25 上周现货市场DDR2 512Mb eTT价格呈现上扬的价格走势，DDR2 512Mb eTT的价格从12/17的0.78美元上涨至12/24的0.84美元成交，涨幅约7.7%，而DDR2 1Gb eTT的价格从12/17的1.70美元下跌至12/24的1.69美元成交，跌幅约0.6%，而品牌颗粒的部份，价格则是呈现平稳的状况，DDR2 512Mb的价格从12/17的0.91美元上涨至12/24的0.92美元成交，涨幅约1.0%，DDR2 1Gb的价格从12/17的1.88美元下跌至12/24的1.87美元成交，跌幅约0.5%，就市场面来观察，虽然欧美地区已经进入圣诞假期，需求也暂时停歇，但上周现货市场中的DDR2 512Mb eTT颗粒供货低于预期，加上日本及亚洲地区需求仍然存在，现货颗粒供给不足导致价格攀升，盘中甚至出现0.85美元的价格出现，预计本周DDR2 512Mb eTT的价格仍会持续平稳的市场走势。
【市场观察】台系DRAM厂考虑岁修，有助明年第一季价格反弹；NAND Flash厂商相继推出SSD，MLC型芯片能否顺利被厂商采用将是市场起飞的关键 2007-12-18 上周现货市场仍持续近期的价格走势，受到整体市场面需求不佳，DDR2 512Mb eTT的颗粒价格虽呈现平稳但也露出疲弱的态势，DDR2 512Mb eTT的价格从12/10的0.79美元小幅下跌至12/17 的0.78美元成交，跌幅仅1.2%，DDR2 1Gb eTT的价格从12/10的1.83美元下跌至12/17的1.70美元成交，跌幅约7.1%，而品牌颗粒的部份，DDR2 512Mb的价格从12/10的0.95美元下跌至12/17的0.91美元成交，跌幅约4.2%，DDR2 1Gb的价格从12/10的1.98美元下跌至12/17的1.88美元成交，跌幅约5.0%，就市场面来观察，因为时序进入圣诞假期，欧美地区的需求也暂时停歇，加上整体现货市场的库存水位仍高与市场人士还是普遍看淡的情形下，预计本周DDR2 512Mb eTT的价格仍会持续往下的走势。
【市场观察】DDR2 eTT 1Gb颗粒需求渐增且价格涨幅约10%；年终销售旺季来临前NAND Flash厂商策略性降价以刺激买气 2007-12-11 上周现货市场呈现近几周少见的价格震荡格局，DDR2 512Mb eTT的颗粒价格虽然曾上涨至0.90美元，但价格还是从12/03的0.81美元下跌至12/10以0.79美元成交，跌幅约2.4%，而DDR2 1Gb eTT颗粒的涨幅最为犀利，价格从12/03的1.65美元上涨至12/10 以1.83美元成交，涨幅10.9%，而品牌颗粒的价格相对于eTT颗粒就相对平稳许多，DDR2 512Mb的价格从12/03的0.92美元上涨至12/10以0.95美元成交，涨幅约3.2%，DDR2 1Gb的价格从12/03的1.96美元上涨至12/10 以1.98美元成交，涨幅约1.0%，就市场面观察，目前现货市场的库存水位仍然不低与时序进入淡季的情形下，预计本周DDR2 512Mb eTT价格将持续下探。DRAMeXchange表示，以上周价格来分析，虽是市场上供货量还以512Mb的颗粒为主，但单只2GB的内存模块的需求殷切与相对于512Mb所组成1GB内存模块更具成本优势，不难看出1Gb颗粒已渐渐成为市场的主流规格，从这次的价格涨幅就隐约嗅出世代交替的意味浓厚。
【市场观察】DRAM颗粒价格已跌至变动成本，此波涨价将是未来价格上扬的起跑点；厂商将加速改善NAND Flash应用上的技术瓶颈 2007-12-04 上周现货市场仍延续近期的价格走势，DDR2 eTT的颗粒价格虽然小幅下跌但已有支持的力道出现，DDR2 512Mb eTT颗粒价格从11/26的0.82美元下滑至12/03 以0.81美元成交，跌幅约1.2%，而DDR2 1Gb eTT颗粒的价格，价格从11/26的1.64美元下滑至12/03 以1.61美元成交，跌幅约1.8%，而品牌颗粒的部份，DDR2 1Gb的价格从11/26的2.01美元下滑至12/03 以1.96美元成交，跌幅约2.41%，但值得注意的是DDR2 512Mb eTT颗粒价格，在上星期中曾跌破0.80美元关卡至0.77美元的价位，但随即反弹至原来的价格，预期本周DDR2 512Mb eTT颗粒价格将会持平或是呈小幅上扬的价格趋势。
【市场观察】DRAM：美国黑色星期五行情可望刺激新销量；十一月下旬NAND Flash合约价呈现持平状态 2007-11-27 如DRAMeXchange所预测，上周现货市场仍延续近期的价格走势，因为现货市场库存水位不低，DDR2的价格方面持续疲软的状况，DDR2 512Mb eTT颗粒价格从11/19的0.93美元下滑至11/26 的0.82美元成交，跌幅约11.8%，而DDR2 1Gb eTT颗粒的价格，价格从11/19的1.91美元下滑至11/26 的1.65美元成交，跌幅约13.6%，比较引人注意的是DDR2 1Gb 品牌颗粒的价格，价格从11/19的2.46美元下滑至11/26 的2.01美元成交，跌幅约18.2%，主要的原因受到上周的DDR2 1Gb eTT颗粒的价格跌幅过快的关系与合约价方面持续探底的双重影响，再加上整体需求面依然不佳，预期现货市场的颗粒价格仍会持续往下的走势，甚至DDR2 512Mb eTT颗粒价格将可能跌破0.8美元的目前关卡。
【市场观察】DDR2 1Gb eTT与DR2 512Mb eTT的世代交替已正式启动；新的ONFi 2.0规格将使NAND Flash在PC 领域的应用效能更佳 2007-11-20 上周的现货市场仍持续近期的价格走势，DDR2的价格方面持续走弱，虽然上周DDR2 512Mb eTT颗粒价格从11/12的0.95美元下滑至11/19 以0.93美元成交，跌幅约2.1%，但值得关注的是DDR2 1Gb eTT颗粒的价格，从11/12的2.10美元下滑至11/19 以1.91美元成交，跌幅约9.0%，价格正式跌破2.0美元，就市场面来分析，DDR2 512Mb eTT颗粒的价格虽有稳住的趋势，但需求量依然冷清的情形下，再加上DDR2 1Gb eTT颗粒的价格跌幅过快，DDR2 512Mb eTT颗粒价格将可能下探并跌破0.9美元关卡的目前价位。
【市场观察】第三季DRAM厂营收排名，唯海力士最为亮眼；1GB Micro SD 晶粒原料缺货渐获纾解 2007-11-13 如DRAMeXchange所预测，上星期DDR2 ett现货价格正式跌破1.0美元，DDR2 512Mb eTT价格从11/05的1.03美元下滑至11/12以0.95美元成交，跌幅约7.7%，而品牌颗粒的价格方面，现货价格从11/05的1.13美元也滑落至11/12 以1.06美元成交，跌幅约6.1%，就市场面分析，主要是现货市场中的低价原厂模块的效应持续发酵中，导致DDR2 ett现货价格受到影响，再加上整体需求不好与市场库存水位仍高，DDR2 eTT颗粒价格将可能持续下探并跌破0.9美元关卡的目前价位。
【市场观察】台系三大主要模块厂财务分析；NAND Flash厂商3Q07营收成绩斐然 2007-11-06 威刚、创见与劲永此三大台系模块厂，各有不同的经营方针与销售策略，威刚自有品牌与OEM并重，积极开发Flash商品攻城略地；创见善于自有品牌经营，创造低毛利中的新蓝海、劲永贴近时尚潮流，打造Flash商品如精品般的质感。迥然不同的销售战略创造出不同的营收表现，DRAMeXchange由各方面来深度剖析这三家台系模块厂的经营表现。
【市场观察】DRAM价格持续走弱，晶圆厂转进70nm与减少资本支出是首要课题；十月下旬NAND Flash合约价平均下跌0~10% 2007-10-30 如同DRAMeXchange之前公布的预测，上周现货市场eTT颗粒的价格短期反弹至高点后，开始回跌，DDR2 512Mb eTT价格从10/22的1.17美元回到10/29 1.05美元成交，跌幅约10.2%，相较于eTT颗粒的价格变动，而品牌颗粒并未因eTT颗粒的价格波动而有所大幅度的跌价，跌幅仅有5.8%。就市场面观察，这次跌价的原因，主要是DDR2 eTT的供给大量开出，买气缩手。而本周更适逢月底做帐，买方除非有订单在手，否则不会进场买货，再加上上周所释出的DDR2 eTT颗粒尚未全数消化完毕，DDR2 eTT颗粒将会很快再回探并逼近1美元的价位。
【市场观察】DRAM合约价持续下跌，ETT现货价格反弹约12%；业者展示闪存在手机及PC储存的应用方案 2007-10-23 上周现货市场eTT颗粒呈现近几周少见的急涨局面，DDR2 512Mb eTT价格从10/15的1.03美元起涨至10/22 1.17美金成交，涨幅约11.9%.。相较之下，品牌颗粒则仍呈现平稳走势，在eTT强劲的涨势下，仅上涨1.4%。就市场人士的观察，上周DDR2 eTT的强劲涨势，除了因为eTT主要的供货商进行70奈米转进，致使供给量减少，一些买主看准时机，逢低买进，拉抬买气，带动价格上扬。因此此波价格上扬主要是短期市场操作结果，而非市场终端需求带动。而此波投机性买盘主要集中在DDR2 eTT的颗粒，因此并没有带动品牌颗粒价格同步上涨。市场人士认为，在接下几周，DDR2 eTT的供给将会大量开出，DDR2 eTT也会再回探1美元。在DDR 512Mb方面，因为需求量仍属平稳的状况下，均价在10/22以2.51美元做收，下跌5.9%。
【市场观察】需求不振，供给过剩，DRAM价格持续走弱；10月上旬NAND Flash合约价下跌约0-10% 2007-10-16 本周现货市场大致延续上周走势，在DDR2价格方面持续走弱，DDR则因供给不足价格持续缓步盘坚。DDR2 512Mb eTT最低价格跌至1美元左右后，暂时止跌并微幅反弹，反弹区间大致在1.02至1.05美元，幅度不大。10/15 DDR2 512Mb 667MHz均价以1.35美元做收，较10/8均价1.39下跌2.9%， DDR2 512Mb eTT价格则是由1.09美元下挫至1.03美元，跌幅为5.5%。在DDR1市场方面，由于现货市场供给数量依旧不足，本周市场上亦曾出现缺货状况，价格持续小幅上扬。DDR 512Mb 400MHz均价在10/8以2.66美元做收，较上周上涨5.6%。目前现货市场反弹力道依旧薄弱，预计下周将会持续本周趋势。
【市场观察】中国休假现货市场冷清，十月上旬合约价下跌20%；千万画素渐成为数字相机主流规格，2GB的记忆卡将是相机用户的首选 2007-10-09 上周在中国十一长假以及需求不振两大因素影响下，市场DRAM现货市场交投清淡，成交量大幅萎缩价格盘跌。10/8 DDR2 512Mb 667MHz以1.39美元做收，较10/1收盘均价1.45下跌4.1%， DDR2 512Mb eTT价格则是由1.23美元下挫至1.09美元，跌幅高达11.4%。诚如上周预期，现货价格小幅的反弹只是昙花一现。毕竟合约价下跌趋势持续，现货市场目前各环节库存水位不低，盘商就算手上库存不多，除非很有把握可以迅速流通的商品，也不愿意在下跌趋势中积极备货。
【市场观察】现货市场上扬应为短期反弹；9月下旬NAND Flash合约价平均下跌约2-15% 2007-10-02 上周DRAM现货市场呈现先跌后反弹的走势。在9/26至10/1间，纵使DDR2 512Mb 667MHz小幅下跌2.03%，以1.45美元做收，DDR2 512Mb eTT价格则由1.17美元反弹至1.23美元，上涨幅度达5.13%。现货市场反弹主要的原因有二，一为跌深反弹，DDR2 512Mb eTT低价最低见到1.10美元；二为9/28某韩系厂商宣布，因现货市场价格跌幅太大，将暂不供货至现货市场。然而目前DDR2 512Mb eTT均价与667MHz低价已经相当接近，若品牌颗粒未顺势反弹，将压抑整体现货市场反弹趋势。
【市场观察】部分模块厂收购低价颗粒将使现货市场价格有机会跌深反弹；中国十一长假备货效应显现，NAND Flash市场需求略显提升 2007-09-26 观察现货市场，虽然大陆十一长假前，新兴市场确实有需求出笼。但是现货市场价格没有明显落底迹象，部份模块厂及通路商在不堪亏损的情况下将库存停损，使得DDR2 eTT价格最低跌到1.15美元。而品牌颗粒价格也跌到1.48美元左右。
【市场观察】九月下旬DRAM合约价格预计下滑10%左右；九月前半月NAND Flash平均合约价往下调整5-15% 2007-09-19 上周DRAM现货市场需求不佳，整体报价呈现下跌的情形。DDR2 512Mb 667MHz 之下跌幅度达7.8%，价格下跌至1.54美元。其余颗粒报价皆呈现微幅下跌，DDR2 eTT下跌至1.31美元。八月以来由于市场需求不振以及买卖双方抱持着观望的态度，使得价格持续缓跌。然而当DDR2 eTT价格跌破五月低点后，部份通路商及模块厂开始备货，使得上周四现货价格出现反弹，间接带动了些许买气。
【市场观察】DRAM现货价格跌破上半年低点，合约价格向下修压力仍大；内建大容量储存装置的手机与MP3播放器相继问世，高容量NAND Flash颗粒找到供货出口 2007-09-11 上周DRAM现货市场出现明显跌幅，DDR2平均跌幅达10%以上。DDR2 512Mb 667MHz价格下跌至1.67美元。而在DDR2 512Mb eTT 部份，也大幅度下跌至1.32美元左右。目前现货市场需求普遍不佳，报价持续下跌引发许多通路商及模块厂争相抛出DRAM库存，使得DDR2 eTT报价甚至跌破五月1.32美元的低点。
【市场观察】九月上旬合约价格下修压力沉重，现货市场仍不见好表现; 2008年起NAND Flash将更广泛应用在PC市场 2007-09-04 上周现货市场在没有出现明显需求的状况下，除了在周一延续前一周五上涨的格局，DDR2 512Mb 64Mbx8 eTT最高曾经来到1.8美元，但在周一下午随即下跌，整周皆在1.5至1.6美元之间盘桓。基本上，DDR1堪称维持平盘，DDR2报价缓慢下跌，DDR2之跌幅皆在2%附近。而现货市场上之原厂内存模块，DDR2 667 1GB UDIMM之价格，也出现了32至34美元的价位，此种现象对于九月上旬合约价来说，并不是个正面的讯息。
【市场观察】DRAM合约市场需求持续上扬，但价格走势上涨有限；欧美返校需求不明显使得NAND Flash颗粒价格走软 2007-08-28 上周DRAM现货市场市场需求不佳，整体报价也持续下探。DDR2 512Mb 667MHz价格下跌至1.9美元。而在DDR2 512Mb eTT 部份，许多模块厂以及通路商仍在期待9月以后欧洲地区市场需求回笼，因此DDR2 eTT价格大幅下跌至1.5美元以后陆续有投机性买盘涌现，使得价格在8/27一度反弹至1.8美元的水平。但是高档追价力道不足，DDR2 eTT价格收在1.57美元左右。
【市场观察】八月下旬DRAM合约价格几近持平，现货市场缺乏需求刺激；NAND Flash合约价格短期内持稳，8 月下旬NAND Flash合约价开平盘 2007-08-21 上周现货市场在没有出现明显需求的状况下，DDR1堪称维持平盘，但DDR2报价持续下跌，DDR2 512Mb 64Mx8 eTT跌破1.8美元，下跌超过7%，来到了1.78美元。 DDR2 512Mb 64Mx8颗粒价格也下跌将近6%，DDR2 533/667之价位来到了2元美金附近。时序进入八月下旬传统PC销售的旺季中，却尚未见到来自于终端市场的需求明显走高，中国地区的暑促也未显现出大量需求的力道。而在品牌计算机搭载DRAM模块 2GB比例提高，也使现货市场售后市场需求萎缩。在需求能见度不高下，上周有些模块厂及中间商开始抛出手中存货，使得现货市场价格向下修正。
【市场观察】DRAM合约价缓步攻坚; 8月上旬NAND Flash合约价反应三星停电事件平均上涨约15-25% 2007-08-14 虽然上周现货报价受到三星停电事件影响而走高，但是后续追价力道不强，使得部份库存水位较高的通路商反手杀出手中的库存。DDR2 eTT报价又跌破2美元关卡，来到1.93美元。
【市场观察】八月上旬DRAM合约价格续涨5%; 2Q07全球NAND Flash销售额达28.67亿美元，QoQ仅成长7.5% 2007-08-07 上周现货市场开低走高，在月底仍交易清淡，DDR2 eTT 64Mx8 512Mb颗粒价格稳定在1.94至2.00美元之间。八月初，价格微幅上涨, 站稳2美元且交易量扩大。上周DDR2 eTT颗粒回升至2.13美元，涨幅7.58%。而品牌颗粒DDR2 512Mb 64Mx8则是上涨至2.23美元，涨幅4.69%。
【市场观察】现货市场预期8月上旬回补库存需求出笼，合约市场价格趋势仍稳健向上；MP3/PMP市场下半年的出货量将比上半年成长超过50% 2007-07-31 上周现货价格持续缓步下跌，主要原因在于终端通路以及部分模块厂仍在消化其库存水平，导致现货市场交易量平淡。而尽管七月份为大陆市场的传统销售旺季，然而大陆地区终端市场需求也依旧不振。预计八月上旬终端市场库存逐渐去化后才会有回补库存的需求出现。DDR2 eTT颗粒正式跌破2.0美元来到1.98美元。品牌颗粒DDR2 512Mb 64Mx8则下跌至2.13美元。至于合约市场方面，由于PC市场旺季效应，DRAM厂目前仍希望持续涨价，预期仍有5%左右涨幅。
【市场观察】力晶宣示加快NAND FLASH布局，期许与Elpida 联合，朝向世界第一内存阵营；NAND Flash 7月下旬合约价大致呈现持平及部份小涨局面 2007-07-24 上周现货价格持续缓步下跌，主要原因在于终端通路以及部分模块厂仍在消化其库存水平，导致现货市场交易量平淡。预计七月底至八月上旬库存逐渐去化后将会有回补库存的需求出现。DDR2 eTT颗粒下跌至2.05美元。品牌颗粒DDR2 512Mb 64Mx8则下跌至2.19美元。
【市场观察】DRAM現貨市場交易清淡，現貨價格微幅向下修正；供應商轉先進製程不順，市場價格短期內仍將持續上漲 2007-07-17 據DRAMeXchange觀察，近期現貨需求疲弱原因，其一為Intel CPU將於七月下旬展開另一波降價活動，使得終端市場消費者等待降價以致終端需求尚未轉強。其二為DRAM現貨價格在上月走強，價格已高於合約價，市場追高意願不強，模組廠普遍以消化之前低價庫存以增加獲利。通路商及模組廠進一步於現在價位囤貨之意願不高；其三DRAM合約價格在七月初急漲之後，DDR2 512Mb顆粒價格拉升至2美元之上，市場仍在觀望七月下旬合約價是否仍續漲，可否帶動DRAM現貨價買氣，致使買氣緊縮。
【市场观察】七月上旬DRAM DDR2 512MB合约价涨幅超过12%；小型记忆卡的主流容量与市场需求量变化 2007-07-10 上周现货市场价格因合约市场价格上涨，进而跌深反弹。但需求并无特别强劲，DDR2 eTT颗粒小跌至2.21美元。品牌颗粒DDR2 512Mb 64Mx8则上涨至2.30美元。
【市场观察】DRAM业者第二季难逃亏损命运，冀望第三季价格上涨；iPhone伴随第三季iPod升级产品的出现，将影响下半年NAND Flash市场供需 2007-07-03 上周现货市场由于月底盘点，使得市场交易清淡。大陆市场方面，由于由香港走私进入大陆的货源减少，因此询价动作也相对变少，现货市场报价呈现缓跌走势。DDR2 eTT颗粒小涨至2.28美元。品牌颗粒DDR2 512Mb 64Mx8则下跌至2.26美元。显示前几周价格短期上涨，来自市场投机需求居多。市场实际需求尚不够强至支撑价格持续走扬。
【市场观察】大陆暑促备料需求涌现，现货市场价格将可望支撑于2美元之上；SLC型NAND Flash目前产出较不足，预期价格仍将持稳向上 2007-06-26 上周现货市场DRAM报价持续上涨，但在连日的急涨后报价涨幅已经趋缓。DDR2 eTT颗粒上涨至2.23美元，涨幅达9.3%。在DDR2 eTT带动下，品牌颗粒DDR2 512Mb 64Mx8则上涨至2.38美元，上涨7.7%。部份品牌的模块价格也开始跟上颗粒报价，其中三星的现货市场模块价格DDR2 667MHz 1GB最高曾经来到了48美元，相较于上周低点31元，涨幅达54%。
【市场观察】DRAM厂70nm制程转换阵痛期，带动现货市场报价反弹；IT厂商相继推出搭载SSD的高阶NB，宣告NAND Flash今年正式跨入PC市场 2007-06-20 近期现货市场DRAM报价出现大幅上涨走势，DDR2 eTT颗粒上涨至2.04美元，涨幅达27.5%。而在DDR2 eTT带动下，品牌颗粒DDR2 512Mb 64Mx8则上涨至2.21美元，上涨22.8%。
【市场观察】未来低价计算机的出货量增长带动内存需求，令业者充满期待；低容量NAND Flash颗粒供货短缺，促使市场价格开始出现向上调整 2007-06-12 上周台北国际计算机展盛大开幕，吸引不少业者参观以及展览，使得现货市场报价减少且买气清淡。现货市场DRAM报价呈现缓跌走势，DDR2 eTT颗粒下跌至1.6美元，跌幅8.0%。而品牌颗粒DDR2 512Mb 64Mx8则缓跌至1.8美元。
【市场观察】六月份上旬DRAM合约价续跌5%，止跌反弹希望延至七月；台湾科技业者自创记忆卡规格miCARD，将带给相关厂商更多的应用选择 2007-06-06 上周DRAM原厂没有放货到现货市场下，现货价格持续上涨。而由于现货市场价格的回稳，六月份上旬DRAM合约价续跌5%，预期在Computex结束后，七月份才有机会出现今年首见的上涨格局。而尔必达全球销售长大冢周一在6/4的访谈中也透露出对于下半年DRAM产业乐观的讯息，认为下半年甚至有机会出现供给吃紧的现象。
【市场观察】DRAM价格底部呈现?数码相机出货仍是NAND Flash需求的主要应用之一 2007-05-29 DRAM主流颗粒DDR2价格自今年一月来即呈现持续下跌趋势，期间虽有短暂反弹，但反弹次数仅3次左右，每次幅度仅10-15%不等，且反弹时间仅维持不到10天。根据DRAMeXchange价格数据显示，DDR2于Q107均价跌幅达20%QoQ，而Q207均价跌幅更将高达50%QoQ。DDR2 512Mb 667MHz主流颗粒在跌破2.0美元时，市场不少买方均进场买货，拉高库存水位。但由于DDR2供给成长过大，且市场旺季未来临，仅靠买方拉高库存水位的买气仍无法支撑价格，也使市场开始对DRAM后势呈现悲观气氛。然而，上周在价格跌破厂商制造成本仍无止跌迹象后，主要 DRAM厂商表示不愿意再砍价出清库存。市场解读DRAM DDR2底部即将呈现，而带动一波买气，现货市场交易量明显放大，也带动现货价格反弹。
【市场观察】部分DRAM厂已小幅减产将有助于舒缓下半年供需失衡状况；从OLPC和Classmate PC的出现来看NAND Flash新的商机 2007-05-22 现货市场方面，由于仍未见到明显的需求，因此现货价格持续下跌，再度出现10%以上的跌幅。DDR2 512Mb (64Mx8) 667MHz eTT最低价为1.32美元，上周多在1.35至1.50美元之间盘桓，而DDR2 512Mb (64Mx8) 667MHz最低也出现过1.50美元。相较于DDR2的跌幅，DDR则维持在缓步下跌的状态，DDR 256Mb/512MB 400MHz之跌幅皆为3.5%。 SDRAM则在供给与需求皆稳的状态下，价格持稳。
【市场观察】DRAM厂积极提高利基型内存比重;NAND Flash主要厂商对下半年市场的需求表达正面看法 2007-05-15 在DRAM厂产出不断增加下，下游通路商以及模块厂无法顺利去化的过高库存水位，导致上周现货价格大幅度下跌。而DRAM厂商最近也动作频繁，以各种策略来避开杀价竞争的标准型DRAM市场，将有助于减缓DDR2供过于求的窘境。
【市场观察】5月份DRAM合约价持续下跌，八吋厂转型专业代工；SanDisk和Sony共同开发新的记忆卡规格－SxS 2007-05-08 现货市场方面，上周为大陆五一黄金周假期，通路商于前一周备齐库存之后，上周亚太地区之交易清淡。整体现货价格走势仍是持续下跌，DDR2 512Mb 667MHz微幅下跌约4.3%，来到2.21美元；DDR2 512Mb 667MHz eTT有超过6%的跌幅，跌破2美元关卡，在1.8-1.9美元间整理。本周在中国以及香港恢复正常上班之后，是否能增加市场需求，值得观察。
【市场观察】DRAM价格大幅修正仍未见供给减少，下半年需求是否能跟上供给增加速度将是最大变量；Samsung正式量产50nm级16Gb MLC闪存 2007-05-02 接近月底的库存压力增加，使得现货价格持续下跌。而部份通路商以及模块厂积极拉高库存水位来赌DRAM价格反弹，然而若5至6月市场需求依旧不振，过高的库存水平恐将影响现货市场价格。而今年DRAM价格大幅修正也未见DRAM厂商有打算减产的动作出现，因此下半年需求是否能跟上供给增加速度将是最大变量。
【市场观察】DRAM报价低点不远；NAND Flash：内建式内存行动通讯市场逐渐浮现 2007-04-24 4月下旬合约价格下跌至20美元左右，连带影响现货市场价格走势。展望下半年PC旺季的到来，PC OEM厂将开始回补库存水位将有利于DRAM需求的回温，因此4月下旬的超低价格或许是近期DRAM价格的低点。而目前DRAM厂普遍已面临亏损的窘境，下半年新制程以及1Gb出货比例将是影响DRAM厂商成本的决胜关键。
【市场观察】支持DDR3主机板将于近期现身市场；从iPod缔造一亿台的累积销售成绩看Apple对NAND Flash市场的影响性 2007-04-17 DRAM市场需求不佳，DRAM现货价格持续下跌，而合约市场下旬价格预期仍会下跌，但跌幅将逐渐趋缓。此外，Intel将于4月底推出Bearlake系列台式机芯片组，其中P35以及G33芯片组同时内建DDR2及DDR3内存控制器，因此支持DDR3的主机板以及DRAM模块将会在今年第二季就会出现在市场上。但DDR3 512Mb颗粒报价过高，预期至2009年DDR3才会成为主流规格。
【市场观察】DRAM厂库存水位逐渐降低，将有助于减缓DRAM价格下滑幅度；NAND Flash短期内供应端产出不足，市场价格易涨难跌 2007-04-10 在DRAM厂低价出清库存下，4月上旬合约价格下跌至22至24美元。而厂商的库存水位逐渐下降到正常水位后，DRAM产业结构转趋健康。以4月上旬的合约价格来看，成本结构偏高的DRAM厂商将蒙受不小的亏损，甚至已接近部份厂商的cash cost。因此若价格持续下跌，将有部份厂商减少生产DRAM，对于DRAM产业而言价格下滑的空间将会有限。
【市场观察】DRAM厂库存压力减轻，现货价格跌深反弹；数字生活将带来Flash新的应用机遇 2007-04-03 在部分DRAM厂库存去化顺利下，现货市场DDR2 eTT价格跌深反弹，并带动品牌颗粒价格上涨，现货市场继续破底危机暂时解除。然而目前合约市场价格仍低于现货市场，因此4月份合约市场需求将为DRAM价格是否落底的关键。
【市场观察】NAND Flash合约价往上调整，反应此时市场上游货源供应不足；PC OEM厂季底结帐压力影响DRAM需求，预计5月以后需求才会回温 2007-03-27 根据DRAMeXchange上周所公布的NAND Flash最新合约价信息，MLC 4Gb、8Gb、16Gb、32Gb四种容量的合约价格都往上调整，调涨幅度在4至7%之间。而SLC部分，多数容量的价格均维持不变。这次合约价格的调整是继三月上旬之后，今年第二次的价格调涨。根据DRAMeXchange观察，这次合约价往上调整主要是反应预期NAND Flash市场四月上游供应量的不足。
【市场观察】Intel推出采用内嵌式USB接口的Solid State Drive，宣告正式进入SSD市场 2007-03-20 Intel于3/12正式对外发表一款采用内嵌式USB传输规格的Solid State Drive (SSD)。根据Intel官方网站所提供的信息，Intel这颗型号Z-U130的SSD初期以1GB和2GB两种低容量作为进入SSD市场的试金石；预计今年四月推出4GB容量，2007年底前推出8GB容量的SSD。
【市场观察】现货市场价格持续下跌，DDR跌幅较DDR2为缓；Samsung正式推出支持Vista的混合式硬盘 2007-03-13 上周合约价大幅下跌超过10%，使得DDR2 512Mb 667MHz合约价格低于现货市场价格的品牌颗粒价格。现货市场价格在市场需求疲弱的状态下，无论DDR或是DDR2，皆呈现小幅缓跌的走势。相较于DDR2之产能不断增加，需求并无明显成长。DDR虽然亦无明显需求，但在产出未见增加的状况下，价格获得支撑的力道明显强于DDR2。
【市场观察】3月上旬合约价跌幅近10%，合约价格已较现货市场价格为低；NAND Flash颗粒农历新年后缺货，市场价格反弹上扬 2007-03-06 DRAM报价方面，本周为中国农历年假期后第一周，年假后的补货以DDR为主，DDR2的需求较弱。虽然成交量并不大，但DDR 256Mb eTT之价格仍微幅上涨2.3%至1.79美元，DDR 512Mb 400MHz则上涨3.2%至3.86美元。上周NAND Flash现货市场价格呈现反弹上扬的局势，尤其是高容量8Gb和16Gb的价格有单日涨幅超过8%的纪录。
【市场观察】DDR2 eTT价格跌深反弹；随身碟 4GB以上高容量产品的市场逐渐成熟 2007-02-27 尔必达于2/19宣布将把广岛的8吋厂设备出售给中芯的合作伙伴成芯半导体，未来将专注发展先进制程并提高12吋晶圆的生产比重。
【市场观察】中国农历年假期将至，现货市场需求明显萎缩；NAND Flash市场处于淡季时刻，业者推广新的应用以刺激需求 2007-02-13 现货市场方面，中国农历年将至使得市场需求进一步萎缩，DDR2现货价格持续下跌，DXI指数由4139下跌至3998。但相较于DRAM产业的淡季效应，茂德的ECB却能顺利溢价
【市场观察】二月份合约价格修正与现货价格之差距，平均成交价落在43美元左右；ONFI 1.0规格的制订对NAND Flash产业的影响 2007-02-06 现货市场方面，市场需求不振以及DRAM厂商增加现货市场的供货比重，使得DDR2现货价格持续下跌，DXI指数由4262下跌至4139。二月份上旬合约价格开始修正与现货价
【市场观察】DRAM厂商增加现货市场的供货比重使得DDR2现货价格持续下跌；50奈米级16Gb颗粒的推出使NAND FlASH进入下一个世代的制程竞赛 2007-01-30 现货市场方面，市场需求不振以及DRAM厂商增加现货市场的供货比重，使得DDR2现货价格持续下跌，DXI指数由4363下跌至 4262。
【市场观察】DDR2因模块厂降低库存水位使得现货市场价格崩跌；苹果iPhone能否成为NAND Flash市场下一个杀手级应用？ 2007-01-23 现货市场方面，市场需求不振使得DDR2现货价格大幅度下跌，DXI指数由4549下跌至 4363。至于一月下旬DDR2合约价格由于部分DRAM厂商与PC OEM厂商价格谈判改为一个
【市场观察】DDR2因家用版VISTA上市前后的需求空窗期使得价格持续盘跌；由CES看NAND Flash的新应用商机 2007-01-16 现货市场方面，市场需求不振使得DDR与DDR2同步下滑，DXI指数由4600下跌至 4549。DDR在PC组装市场仍有些许需求，加上DRAM厂产出减少，因此预期价格下跌空间有
【市场观察】一月上旬DRAM合约价仍维持平盘；SSD为NAND Flash的下一个杀手级应用 2007-01-09 现货市场方面，DDR因价格跌幅已深而买气出笼，但DDR2仍需求不振，DXI指数由4622下跌至 4612。合约市场部分，在PC OEM业者提高DRAM库存下，一月上旬DDR2合约价
【市场观察】DRAM：年底库存盘点以及地震影响通讯，现货市场交易量明显萎缩；Nintendo Wii和中高阶手机的热卖稳住部分NAND Flash颗粒的现货价格变化 2007-01-02 现货市场因年底库存盘点以及地震影响通讯而交易量萎缩，DXI指数由4633下滑至4631。而近期游戏机的热卖造就2006下半年DRAM供给吃紧。展望2007年，持续高度成长的
【市场观察】圣诞假期前夕通路商备货意愿不高，现货市场价格明显下跌；浅谈Vista ReadyBoost 在NAND Flash上的应用 2006-12-26 现货市场因厂商观望下，DRAM价格走势下跌，DXI指数由4644下跌至4633。合约市场部分，部分PC OEM厂因终端需求销售状况超出预期，使得12月下旬合约价格以持平开
【市场观察】欧美地区NB热销支撑起DRAM需求；NAND Flash现货价格走势处于稳中带软的格局 2006-12-19 现货市场DRAM走势疲软，DXI指数由4651上涨至4652。合约市场部分，部分PC OEM厂因终端需求销售状况超出预期，将持续供货至月底，因此对于DRAM需求仍有一定支
【市场观察】PC OEM厂商于淡季期间提高库存水位，12月下旬合约市场价格跌幅有限；微软Vista操作系统的ReadyBoost功能将带动新的随身碟需求 2006-12-12 现货市场DDR2价格走势并无太大变化，DXI指数由4622上涨至4644。合约市场部分，PC OEM厂为避免明年上半年持续缺货，因此在淡季期间持续拉货增加库存水位，使得12月下旬合约价格跌幅有限。
【市场观察】12月上旬DDR2合约价格多数持平，合约市场供给仍吃紧；任天堂Wii热卖，对NAND Flash产能消耗颇有帮助 2006-12-05 在模块厂及通路商月底作帐结束后，DDR2现货市场价格展开反弹走势，DXI指数由4492上涨至 4578。合约市场部分，12月份上旬DDR2合约价大致上持平，部分DRAM厂供货
【市场观察】明年第一季DRAM合约价可望淡季不淡；2007年音乐手机出货比重将大幅增加，NAND Flash厂商找到产能缺口 2006-11-28 现货市场DDR价格大幅度下跌，使得DXI指数维持在4496附近。合约市场部分，12月份DRAM供给缺口可望缩小，但由于部分 PC OEM厂已经签订长约至明年第一季,
【市场观察】DRAM:欧美地区笔记型计算机热销，带动DDR2 合约价格上涨2至4%；NAND Flash:多媒体功能手机的兴起，microSD成为记忆卡厂商的新获利来源 2006-11-21 现货市场需求并不强劲，DXI指数小幅上涨13点至4480。然而合约市场DRAM需求强劲，11月下旬DDR2价格走势超乎市场预期，大约上涨2至4%来反应欧美地区NB出货畅旺。
【市场观察】主机板出货量因CPU缺货而下滑，影响DRAM现货市场需求，11月下旬合约价格预计持平；NAND Flash市场供过于求，价格持续往下修正 2006-11-14 现货市场需求受到主机板出货数量下滑影响，DDR2价格呈现缓步下滑，DXI指数持平在4420没有大幅变化。而11月下旬合约市场价格谈判仍在拉锯中，
【市场观察】现货市场DDR2 eTT价格跌深反弹，而合约市场价格呈现持平；月底到货效应使NAND Flash现货价格滑落 2006-11-07 现货市场在DDR2 eTT价格跌深反弹下，DXI指数由4356上涨至4392。而合约市场部份，由于DRAM厂产能持续开出，因此11月上旬大多数PC OEM厂的合约价格持平。
【市场观察】DDR2 eTT因通路商月底作帐抛货而大幅下跌；NAND Flash现货价格出现止跌，市场谣言众多影响价格变化 2006-10-31 现货市场因部份通路商月底作帐DDR2现货价格持续盘跌，DXI指数由4378下跌至4350。而合约市场部份，在PC OEM厂出货畅旺下，使得合约价走势至11月仍有机会维持高
【市场观察】DRAM合约市场供给持续吃紧至11月；NAND Flash现货价格仍在向下修正中 2006-10-24 现货市场交易量转趋清淡，DDR2现货价格持续盘跌，DXI指数由4414小跌至4406。而合约市场部份，由于部份DRAM厂90nm出货不顺，造成短期供给缺口使得合约价走势至11月仍有机会维持高档。
【市场观察】亚洲长假过后，现货市场需求回温，现货价格跌势趋缓；NAND Flash现货市场出现需求疲乏，价格往下修正的现象 2006-10-17 亚洲地区长假过后现货市场需求逐渐回温，但DDR2现货价格仍小幅回文件，DXI指数由4400小涨至4402。而合约市场部份，一线PC OEM厂已无缺货困扰，但二线的PC
【市场观察】DRAM合约价格预计10月下旬涨幅趋缓；NAND Flash现货市场供应量短缺，价格不易下跌 2006-10-11 亚洲部分国家仍处于假期，因此现货市场交易清淡，DDR2现货价格小幅回文件，DXI指数由4385小涨至4395。而10月上旬合约价涨幅约2至4.5%，预计下旬涨势将趋缓。
【市场观察】DRAM 10月上旬合约价格涨势持续，现货市场呈现高档震荡；NAND Flash上周到货状况不如预期，现货市场交易平淡 2006-10-03 现货市场面临月底库存盘点使得需求减弱，DDR2现货价格小幅回文件，DXI指数由4362小涨至4383。而10月上旬合约价在DRAM厂积极拉抬下，仍有机会上涨4至5%。
【市场观察】DDR2现货价格出现修正；NAND Flash现货价格开始出现缓跌 2006-09-26 DDR2现货价格在通路商获利了结下，已开始出现回档，但由于正值传统PC出货旺季，因此预期DDR2现货价格6美元以上仍有支撑力道。在合约价部份涨势仍有机会持续至
【市场观察】DRAM合约价格涨势持续至10月，现货市场涨势趋缓；NAND Flash现货价格仍持续上涨，唯交易量开始出现下降的状况 2006-09-19 DDR2现货价格涨势趋缓，DXI指数由4256小涨至4285。但是由于DDR2价格涨幅过大，下游买气已经出现有缩手状况，因此仍需要数周待低价库存消化后，
【市场观察】DRAM现货市场投机气氛浓厚；传统旺季需求带动NAND Flash现货价格的走势往上 2006-09-12 DDR2现货价格持续大涨，DXI指数由4022大涨至4221。然而DDR2 eTT现货价格大涨并且超越品牌颗粒价格，显示目前市场投机气氛浓厚，因此现货市场短期价格随时都有拉
【市场观察】DDR2现货价格荣景将可延续至11月；NAND Flash现货价格全面上扬 2006-09-05 DDR2现货市场供给吃紧，带动价格大涨，DXI指数由3800上涨至3981。现阶段DRAM现货价格短期涨幅过大，未来上涨空间将受到限制，但是整体而言，
【市场观察】DDR2现货价格超越合约价形成黄金交叉；NAND Flash现货价格出现止跌回升的迹象 2006-08-29 上周DDR2现货价格大涨，带动DXI指数由3661上涨至3800。而DDR2现货价格也超越合约价格形成黄金交叉。DDR2颗粒在各种传言推波助澜下，价格持续上涨。
【市场观察】DDR2 64x8 ETT与品牌颗粒价差缩短；NAND Flash现货价格仍维持向下缓跌的趋势 2006-08-22 上周DRAM仍是需求明显，就价格表现而言，DDR2的涨幅高于DDR，显示DDR价格已接近高档，市场追高意愿不强。DXI指数由3616上涨至3661，涨幅为1.24%。
【市场观察】DRAM 现货价稳健持平，DDR2需求持续增温；NAND Flash现货市场价格的波动趋于平稳 2006-08-16 上周DRAM的需求仍是稳健强劲，就价格表现而言，DDR价格呈现持平，DDR2则小幅上扬。DXI指数由3559上涨至3616。DDR与DDR2的供给仍呈现吃紧状态。
【市场观察】DDR与DDR2双缺，8月上旬合约价格普遍上涨；NAND Flash上周现货市场价格开始回稳 2006-08-08 上周DRAM价格涨幅集中于DDR颗粒，DXI指数由3516上涨至3559。DDR 256Mb因供给短缺，使得报价持续被追高，DDR 256Mb与DDR 256Mb eTT颗粒分别上涨至2.77美
【市场观察】DDR2 颗粒合约市场价格8月将持续走扬；NAND Flash价格出现大幅度向下修正；CPU两强竞争张力持续增加 2006-08-03 上周现货市场DDR与DDR2价格涨跌互见，DXI指数由上周3510小幅上涨至3516。在力晶即将停产DDR 256Mb(32x8)颗粒消息刺激下，DDR 256Mb价格涨势较为强劲，
【市场观察】DDR2颗粒价格获利了结买压出笼；NAND Flash现货价格预计七月底前不易上扬；CPU双雄未蒙其利，先受其害 2006-07-25 上周现货市场DDR与DDR2价格涨跌互见，DXI指数由上周3479小幅上涨至3509。DDR在现货市场缺货情况下，价格持续攀高。
【市场观察】DDR2 eTT官价调高，带动现货市场价格上扬；NAND Flash现货价格跌幅趋缓；英特尔即将发表台式机CPU-Core 2 Duo 2006-07-18 上周现货市场DRAM价格大幅上涨，带动DXI指数由上周3405上涨至3464。现货市场价格在力晶上周将DDR 与 DDR2 eTT官价调整至与现货价格相同下，市场低迷气氛一夕之间反转。
【市场观察】DDR现货价格维持高价，合约价上涨，DDR2持平；7月底NAND Flash现货价格可望回升止稳；微软强调Vista操作系统亮点，以刺激升级需求 2006-07-11 上周现货市场DDR价格小幅上扬，带动DXI指数由上周3374小幅上涨至3405。DDR颗粒在现货市场货源不足及模块厂商库存减少下，DDR 256Mb eTT价格
【市场观察】DRAM：DDR与DDR2现货价格走势两极化；NAND Flash：现货价格跌幅稍缓，市场需求持续低迷；PC：应用于数字家庭之机会与挑战一样高。 2006-07-04 近期现货市场DDR走势仍较DDR2强劲，DXI指数反应DDR价格上涨，由上周3347小幅反弹至3368。现货市场在供给量持续减少下，目前不太容易找到DDR货源，使得DDR价格持
【市场观察】DRAM and NAND Flash:现货市场需求平淡; PC: 惠普看好笔记型计算机市场 2006-06-27 现货市场方面，DRAM价格并无明显变化，大致上还是维持在平盘水平，DXI指数由上周3324小幅反弹至3344。DDR部分，DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz以及DDR 512Mb
【市场观察】CPU降价递延需求; NAND Flash 现货市场买气平淡; PC大厂发展探微 2006-06-20 现货市场方面，在模块厂及通路商手中均备有DDR库存状况下，DDR价格微幅走跌。DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz 价格小跌至2.39美元，
【市场观察】PC淡季影响需求，现货市场交易清淡。 2006-06-13 现货市场方面，由于力晶已经两周未在现货市场放货，因此贸易商与模块厂均在观望力晶何时会决定官价，使得市场交易清淡。而疲弱的需求对应到PC市场的出货量，
【市场观察】NAND Flash现货价格微幅上涨,DDR2不升反跌,CPU大厂各自图强 2006-06-06 现货市场方面，在DRAM厂将DDR产能转至DDR2下，在供给减少的预期心理下使得DDR为市场上抢手的颗粒，DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz 价格持平在2.39美元，
【市场观察】DXI反应DRAM走势下跌;NAND Flash现货市场买气平淡，产品价格均下跌; Lenovo 積極投入市場與組織調整、力圖長期發展 2006-05-30 现货市场方面，DDR ett颗粒较其它颗粒走势强劲，主要原因在于力晶6月初倾向不放货，在供给减少的预期心理下带动价格上涨。DDR 256Mb eTT上周价格由2.18美元反弹至2.24美元。
【市场观察】DDR合约价持续上涨；NAND Flash除2Gb价格持续走高，其余产品皆呈下跌的趋势；微软积极发展新兴市场 2006-05-23 DXI指数指数由上周3325上涨至3344。现货市场方面，近期市场还是未见到明显的买盘，现货市场仍交易清淡。在DDR部分，由于模块厂商手中仍有库存，
【市场观察】DXI指数上周持续小幅上涨0.85%；NAND Flash现货市场价格全面上扬 2006-05-16 现货市场方面，上周亚洲的长假结束后，市场还是未见到明显的买盘，现货市场仍交易清淡。在DDR部分，虽然在DRAM厂减产下无法完全供应足够的DDR颗粒给模块厂，
【市场观察】DRAM五月上旬合约价DDR1上扬3%-5%，DDR2 大致持平 2006-05-09 计算机系统大厂自去年十二月以来即陆续提高DDR2模块需求，因此在DDR2合约价ASP第一季大涨，DDR2 512MB Q106 ASP 为$41.23美元，较Q405 DDR2 512MB之$37.27美元
【市场观察】若DDRⅡQ4持续上涨，则Q4有机会成为2006 DDRⅡASP 最高的一季 2006-05-02 DRAM现货市场方面，上周由于5/1长假即将来临，亚洲各地区交易清淡。DDR与DDR2价格持平或小涨。DDR 256Mb eTT价格，上周价格小幅上涨至2.37美元，
【市场观察】2006年第一季DRAM 位成长率仅达3.8%；NAND Flash 现货需求低迷,价格微跌；五一来临，双核笔记型成重点 2006-04-25 DXI指数上周持续反弹,价格指数由上周3113上涨至3209。DDR现货市场价格上涨带动DXI指数持续上扬。现货市场方面，市场需求并不强劲，
【市场观察】DRAM: 指数上周持续反弹；NAND Flash:现货价持稳并对合约价出现溢价；PC: 打击盗版软件 2006-04-18 DXI指数上周持续反弹,价格指数由上周3078上涨至3099。DDR现货市场价格上涨带动DXI指数持续上扬。现货市场的DDR部分，由于DRAM
【市场观察】DXI指数上周持续反弹，NAND Flash现货价重回下跌趋势，超微试图突破英特尔防线 2006-04-11 现货市场方面，DDR 256Mb eTT价格上周均价最高来到USD 2.01后，周五时,部分贸易商便出清库存来获利了结，因此价格拉回到$1.95.本周开始买盘持续走强,
【市场观察】DRAM 现货价向上修正 ; NAND Flash 分配不均导致现货价激涨 2006-04-06 DXI(DRAMeXchange DRAM 产值综合指数 ) 自三月廿日即开始反转向上，价格指数由 2984 向上至四月四日亚洲早盘的 3006 ，指数上扬，
【市场观察】DDR现货价格跌势稍歇.DDR2现货价格下跌压力扩大 2006-03-29 现货市场方面，在PC市场淡季效应下，DRAM价格买气依旧不振。但是DDR价格跌势稍歇，甚至DDR 512Mb (64Mb*8) 400MHz价格微幅上扬，
【市场观察】DRAM下修成长率;NAND Flash跌幅19-31% ;Ultra-Mobile PC 正式登场 2006-03-23 根据DRAMeXchange所调查的三月下旬合约价，DRAM厂已无进一步提高价格，不论DDR模块或DDR2模块,大致以持平成交。一些计算机系统大脑试图谈判更低的价格，
【市场观察】淡季DDR颗粒的底部即将浮现，价格提前逆转;NAND Flash 高容量终端产品需求出现 2006-03-15 DRAMeXchange指数于本月份七号到十三号，由3007下降至3000，反映DDR与DDR2现货市场的价格均微幅走跌。现货市场方面，DRAM价格买气不振，
【市场观察】DDR2 现货价与合约价呈现死亡交义讯号 2006-03-08 DXI 指数由上周的 3013 下降至 3007 ，主要在反映 DDR2 现货市场的价格小幅下滑。现货市场方面，上周 DDR 256Mb (32Mb*8) UTT 在价格下跌最低至 USD 1.77 后已有开始止跌反弹到 USD 1.8 。
【市场观察】DRAM一月份总产出微幅下跌0.4%DDR2紧缺状况至少持续至三月底，DRAM厂商预计在三月继续调涨DDR2合約價 2006-03-02 DRAMeXchange 指数 ( 正对应于 DRAM 总产值的指数 ) 由上周的 3042 下降至 3015 。现货市场方面，上周 DDR 256Mb (32Mb*8) UTT 在价格下跌最低至 1.75 美元后已有开始止跌反弹到 1.8 美元。
【市场观察】DRAMeXchange : DRAM 现货交易不热络，价格小幅下滑 2006-02-22 DRAM 二月下旬合约价，DDR 大致持平，DDR2 大部份涨幅约10% ；季节性需求低靡和库存使NAND Flash 价格锐减18-25% DRAMeXChange 指数由上周的 3078 下降至 3052 ，主要反应 DDR 价格仍持续走跌。
【市场观察】DDR2供给吃紧将延续至3月，DDR合约价因需求不强涨幅仅2%-2.5% 2006-02-15 (bruary 14, 2006)DRAMeXchange指数由上周的3101下降至3083，并无太大变化。现货市场方面，DDR2价格走势平稳，
【市场观察】二月上旬合约价: DDR2 劲扬近15% - 18%,DDR1上扬9% - 10% 2006-02-07 （2006年2月7日）由于适逢中国农历年，因此上周亚洲地区交易清淡，并无太大变化。现货市场方面， DDR与DDR2价格也没有大幅波动。根据DRAMeXchange报价：DDR2 533MHz 512Mb (32*8)价格...
【市场观察】DRAMeXchange :DDRII二月份合约价格继续上扬，将带动DDRI价格小幅上涨或持平 2006-01-24 DXI( DRAMeXchange Index)指数上周微幅上涨，指数由上周的3136上涨至3158。现货市场方面DDRII价格走势仍强劲，但是DDRI明显乏人问津。由于Mira的DDRI 256Mb eTT(UTT)已经开始在现货市场放货，价格大约在2.1美元附近，因...
【市场观察】DDR2价格荣景可望维持到第一季;供过于求的情况使NAND Flash的现货价格下跌 2006-01-17 DXI指数持续缓步上涨，指数由上周的2,900上涨至2,925。主要还是在反映DDR2供给吃紧的问题。现货市场方面，由于传言Mira的UTT将在现货市场放货，使得买家对于DDR部分多呈现观望态度，...
【市场观察】DDR2 512Mb现货价上周飙涨15% ;NAND Flash 低容量现货短期缺货 2006-01-10 (2006年1月10日)新年假期结束，市场再度活络，DRAM买家发现供给吃紧，而纷纷进场抢货。根据内存市场研究机构DRAMeXchange数据来源，从本月份二号到九号，DDR2 512Mb 64Mbx8 颗粒涨幅最大，最大涨幅为 15.5%，...
【市场观察】DRAM 现货价持平及微幅上扬 2006-01-03 在圣诞节和新年假期间, DRAM现货市场交易逐渐趋缓。大多数的买卖双方对价格的走势保持观望的态度, 等待年后更明确的价格走势。 DDR 256Mb 400MHz价格维持在2.11 美元和DDR 512Mb 64Mbx 8 400MH价格从4.13 美元上扬...
【市场观察】DDR2交易逐渐热络，合约价格呈现落底并蕴酿反弹的契机 2005-12-27 DXI指数由上周的2665反弹至2702，主要因为DRAM厂商临过低的DRAM价格不愿意放货带动UTT的价格反弹。而上周适逢香港12/24至12/27的圣诞节连续假期，市场上买家也较为谨慎的控管手中库存，部分SI以及OEM...
【市场观察】需求大于供给的情况使得DDR 32Mx8的现货价格上涨5% 2005-12-20 DRAM 的买家发现最近现货市场上DRAM供给情况开始吃紧, 因此刺激了DRAM的买气, 特别是eTT (UTT)颗粒以及Hynix 512Mb 64Mbx8. 自十二月初开始, 主要eTT(UTT)供货商停止以$1.85的低价销售...
【市场观察】DRAMeXchange: 11月份DRAM的总产出月增率趋缓, 仅达2.65% 2005-12-13 由于部份模块厂商及DRAM买家上周在现货市场上呈现较佳买气, 因此, DRAM的现货价格呈现持平,或仅小幅下跌的走势. DDR 256Mb 32Mbx8 成交价在$1.99~ $2.0. ...
【市场观察】DRAMeXchange表示:DDR 64Mbx8 现货价上周重挫8.5个百分点, 现货市场需求仍未见起色 2005-12-06 随着Hynix 停产DDR 256Mb 32Mbx8的同时, 有愈来愈多的DDR 512Mb 出货到现货市场以及Micron 推出更多低价的DDR 512Mb 颗粒搭配NAND Flash颗粒出货给现货市场上部分主要客户, 因此,...
【市场观察】DRAMeXchange表示DRAM 制造商于上周企图在现货市场上倾销DRAM颗粒;Hynix 4 GB NAND Flash冲击市场价格 2005-11-29 由于接近月底，大部分的DRAM 制造商于上周企图在现货市场上倾销DRAM颗粒以达到当月业绩。感恩节期间，美国现货市场休市。即使如此，部分贸易商仍尽力的找寻客户达成些许交易。DRAM主流颗粒，....
【市场观察】DRAM现货市场交易清淡, 现货价下跌1% to 1.5% 2005-11-22 上周DRAM现货市场交易维持清淡, 价格小幅下跌1% to 1.5%.. 主流颗粒DDR 32Mbx8 400MHz由$2.22美元下跌至 $2.19 美元. 同样256Mb的eTT颗粒则从$1.96 小跌至$1.94. DDR 512Mb 64Mx8下跌较大, ...
【市场观察】DRAM与NAND Flash颗粒双双出清库存 2005-11-16 由于主流颗粒的价格下跌，导致DXI数值在11月8日至15日之间，掉了2.3%(65点），来到了2750。上周（11月8-15日）间，DDR 256Mb 32Mx8 400MHz的现货价格由2.34美元跌至2.25美元，跌幅3.8%。同时，相同容量的ETT (UTT)颗粒...
【市场观察】DDR2转回DDR产能逐渐开出，DDR与DDR2价差将逐渐收敛 2005-11-09 现货市场方面，2005年11月03日到11月08日，DXI指数从2853下降34点，到2819，降幅达1.2%。本周主流颗粒DDR 256Mb（32Mbx8）400MHz的价格下跌约1.2%，而256Mb eTT颗粒从2.1美元下跌至2.01美元，.....
【市场观察】OEMs 将采购重心移至DDR 而非DDR2, NAND Flash的荣景将持续至十二月初 2005-11-02 回顾过去一周，相对于炙手可热的NAND Flash，不管是DDR或是DDRⅡ仍旧呈现非常弱势，除了合约价下滑外，现货价也是一样继续探底，短时间内似乎还看不到反弹力道，主要原因还是在于整体市场需求还是一样不振，连带地造成现货市场交易量冷淡，所以也就无法将价格向上推升。
【市场观察】DDR2需求不振，拖垮DRAM合约价格 2005-10-26 现货市场方面，2005年10月18日到10月25日，DXI指数从2967下降32点，到2935，降幅达1%。上周由于需求不振，DRAM现货市场价格仍属于缓跌走势，但是由于DRAM厂产能集中于DDR2 512Mb，使得DDR 256Mb走势相对平稳...
【市场观察】1Q06後DDR2可望帶動整體需求, 載板供需將成為高容量nand flash價格走勢的關鍵 2005-10-19 DDR2部分，绝大部分的DRAM制造商已经陆续将DDR产能转移到DDR2，但对于整体终端市场的实际需求还是供过于求，这个情形恐怕要等到明年第一季才有机会舒缓，因为英特尔（Intel）今年第二季发表的945P/G系列芯片组后，...
【市场观察】因需求不振，DRAM成交价在小范围内浮动 2005-10-12 2005年10月4日到10月11日，DXI指数从3046.31下降33.49点，到3012.82，降幅达33.49个点。上周，由于需求不振，DRAM成交价在小范围内浮动。DRAM现货市场由于交易范围小，主流颗粒...
【市场观察】DRAMeXchange: 疲软的合约价让内存的价格蒙上了一层阴影 2005-09-28 上周二所公布的的9月下旬DRAM合约价全面走跌，其中256Mb及512Mb DDR颗粒合约价下滑3%，而512Mb DDR2颗粒则下滑近5%，整体表现依旧呈现弱势状态，这是因为市场上原本期待的9月份返校潮买气似乎消失了，再加上中国大陆...
【市场观察】现货市场：因即将到来的十一长假，交易情况有所回温 2005-09-22 持平的价格反映出9月13日到20日的一周内的记忆体市场平淡。包括DDR、DDR2、SDRAM和NAND Flash在内的所有记忆体现货价都在2%的范围内浮动。由于国内十一长假即将到来，交易变得活跃起来。
【市场观察】DRAM成交价在小范围内浮动 2005-09-14 9月6日到13日这段时间内，主流颗粒DDR 32Mbx8的亚洲市场的价格由9月6日的2.54美元，在9月 8日升到了2.59美元，但在13日时又跌回至2.56美元。有效测试颗粒(eTT)32Mbx8 DDR芯片同一时期的成交价也由2.28美元先升到2.33美元，然后又回落到2.27美元。
【市场观察】九月DRAM现货价格趋势: 缓涨向上 2005-09-07 主流颗粒DDR 256Mb (32Mbx8) 400MHz的现货价自 9/1 US$2.46微幅上涨到US$2.53。而原本自六月涨至八月底, 持续三个月上扬的DDR 512Mb (64Mbx8)颗粒 (6/1 US$4.67 ~8/23 US$6.11)，...
【市场观察】2005 第一季至第三季 DRAM现货价走势之回顾与第四季之展望 2005-09-02 今年第一季，在DDR2 制程转换不顺，低良率及芯片恐因此而遭受损失的压力下，一月DRAM供给的位成长率仅微幅增长个位数百分点。主流颗粒，256Mb 32Mbx8的现货价在一月仍维持US$4以上，但，自二月中开始，价格就呈现下跌的走势。
【市场观察】即使对未来有乐观的看法，DRAM现货价仍旧微幅下跌 2005-08-24 8/16 至 8/23，DDR 256Mb 32Mbx8 现货价下跌的幅度已慢慢的缩小，但仍有约莫两个百分点的下跌幅度。DDR 256Mb 32Mbx8 400MHz的现货价从US$2.58下跌至US$2.53。而300MHz 则是从US$2.60下跌至US$2.55...
【市场观察】需求愈振乏力，DDR 256Mb 现货价在低价徘徊 2005-08-18 7/15 至8/5之间，主流颗粒DDR 256Mb 400/333MHz 的价格在US$2.68至$2.73的狭幅区间震荡。但，从8/6开始，价格开始有缓慢下滑的趋势。而8/8至8/15，400MHz自US$2.70下跌至US$2.61，跌幅3.3%..
【市场观察】八月上旬合約價最新市況 2005-08-10 八月上旬，各大DRAM製造商以及PC OEMs 對DDR 256MB 模組合約價的議價調整約莫在US$0.5-1。許多DRAM製造商企圖將報價提高US$1-2。而PC OEMs 僅能接受的漲幅在US$0.5-1的區間.(註: 集邦科技公佈合約價,採綜合加權, 故少量成交量之價..
【市场观察】DRAM的现货价格呈现缓慢上升的趋势 2005-08-03 DDR 256Mb 400MHz 的现货价格小幅成长了1.1%，8/2当日则是以2.73美元收盘。SDRAM在上周则呈现持平的走势，价格波动区间约莫1.5个百分点。有效测试颗粒(eTT)则是延续上周上涨的走势，本周上涨了1.95个百分点..
【市场观察】DRAMeXchange: DDR 256Mb的现货价格将会在第三季的尾声达到高峰 2005-07-27 在对未来价格走势一片看好声中，主流DRAM的现货价格在本周(7/19~7/26)大致呈现持平的走势。然而，由于季节性需求的因素，我们相信，约莫在九月至十月之间，256Mb DDR的价格将会达到逼近三美元的高峰。不同密度的DRAM现货价，..
【市场观察】DDR 256Mb 32Mx8 现货价格持续上扬向三美元逼近 2005-07-20 自七月十二日到七月十九日，DRAM主流颗粒DDR 256Mb 32Mbx8 400MHz已从$2.64连续上涨了三个百分点到$2.72。同样的时间，由于eTT(UTT) 供货商并没有将太多货释放给主要的客户及...
【市场观察】在供给趋紧及投机需求下DDR 256Mb现货价一周内上扬8% 2005-07-13 两家韩系DRAM大厂在计算机系统大厂合约需求转强及因转换产能至NAND Flash 致供给成长减缓下, 至七月初起, 便减少至现货市场的供给量. 三星更将原厂制作模块256MB官价调至 $24 美元. 另外,.
【市场观察】DRAM記憶體廠商調高DDR 256MB模組七月上旬報價達1至1.5美元 2005-07-06 DRAM記憶體現貨及合約價在第二季一齊跌至谷底, DRAM内存厂商力图在七月上旬调高DDR 256MB模块报价达美金一至一点五美元, 大约五至七个百分点. 另外DDR2 模块也调涨三至五个百分点..
【市场观察】DDR 256Mb 的合约价是否会在第三季上涨至三美元? 2005-06-22 六月下旬合约价，大多数的DRAM制造商将DDR 256MB模块的价格相较六月上旬价格提高0.5美元。然而，部份的OEMs买者为了维持价格的稳定，因此，迟迟未下订单。经过了几天的议价，...
【市场观察】市场对DDR512Mb以及DDR2 512Mb的看法迥异 2005-06-15 主流颗粒 DDR 256Mb 32Mb 400/333MHz 上周行情呈现狭幅区间震荡，从6/7到6/14, 400MHz的价格从$2.42~$2.45的价格区间下跌至$2.39, 而333MHz则是一度从$2.39上涨了2.5%到$2.45之后又下跌..
【市场观察】DDR 256Mb 32Mbx8 400MHz 上周的交易价格上涨了四点八个百分点 2005-06-08 上周的现货市场价格回升，许多买者积极进场补货。DDR 256Mb 32Mbx8 400MHz的价格涨幅最为明显，从5/31 $2.31上涨4.8%，而在6/7的亚洲早盘以$2.42收盘。同样的期间...
【市场观察】DRAM 的现货价及合约价在上周变化幅度不大 2005-05-25 具有指标意义的颗粒，DDR 256Mb 32Mbx8，在上周的价格变化幅度不大。DDR 256Mb 32Mbx8 400/333/266 MHz 从5/17的收盘价格$2.31、$2.33、 $2.39 至5/24的亚洲早盘跌了...
【市场观察】NAND Flash高低容量的价格走势呈现一涨一跌!近期eTT 会价格回升! 2005-05-18 五月的NAND Flash合约价依然维持与之前相同的价格走势(高容量呈现下跌; 低容量呈现持平) . 1 Gb/2Gb/4 Gb/8Gb的平均合约价分别为USD7.6/USD14.96/USD28.4/USD54.6.
【市场观察】日月光中坜厂大火刺激DRAM买气 2005-05-11 五月一日在日月光半导体台湾中坜厂的大火,刺激了大陆内陆市场的买盘, eTT(UTT) 价格在五月三日一早即涨了10美分到$2.25, 但是买气并没延续, 至下午,价格又回跌至..
【市场观察】近期eTT 会价格回升! 2005-05-04 上星期碰巧是中国长假前一周与月底, 两者对于价格产生的一增一减的作用使得最终的价格维持不变. DRAM的主要颗粒价格如下, DDRII 256Mb 32Mbx8 533MHz以及 ..
【市场观察】近期eTT 会价格回升! 2005-05-04 上星期碰巧是中国长假前一周与月底, 两者对于价格产生的一增一减的作用使得最终的价格维持不变. DRAM的主要颗粒价格如下, DDRII 256Mb 32Mbx8 533MHz..
【市场观察】eTT(UTT)的价格从$1.93,反弹12个百分点, 以$2.18收盘。 2005-04-27 上周，eTT(UTT)的价格主导了现货市场的买盘，成交价从四月二十九日$1.91~$1.93一路飙涨了将近13个百分点，四月二十五日在亚洲晚盘以$2.15~$2.18收盘。..
【市场观察】MP3市场成长强劲.,致NAND Flash供不应求 2005-04-20 DRAM主流颗粒DDR 256Mb现货价自中国农历新年后,价格直泻而下,至今己跌了近二个月.上周跌势稍歇. 约计一周以来,,DRAM DDR 400/333/266 MHz 小跌 1.65%, 1.69% and 0.42%, 至今早亚洲早盘...
【市场观察】512Mb NAND Flash价格上涨4% 2005-04-13 虽然这星期的DRAM现货市场供给有限但是需求依然疲弱不振, 使得多数的买主不敢进场, 而是在场边等待价格落底. DDRII的价格下跌6-8%成为这星期价格下跌幅度最大的产品. DDR 256Mb...
【市场观察】现货交易商上星期预期短期价格底部出现 2005-04-07 在现货市场中，因为上星期DRAM原厂并未释出太多的芯片，所以现货市场似乎有触底的迹象。一般而言，DRAM原厂均会在每一个季度前将库存降至较低的水平。所以季度结算前，现货价会有较大向下修正的压力..
【市场观察】又是价格低迷的一周! 2005-03-30 上周3/22至3/29, 主流DDR颗粒的价格仍旧持续下跌中.除了星期四, 有少部分来自香港的需求, 使价格短暂停止下跌, 大致上而言, DDR 400/333/266到今天为止, 下跌的幅度分别为2,3以及5个百分点. ..
【市场观察】NAND Flash 价格上涨6% ! 2005-03-23 现在DRAM进入淡季使得来自大陆欧洲以及美国的需求依然处于观望的阶段，因此价格也呈现下跌的走势。除此之外，我们发现DDR的供给有因为DDRII转产能至DDR而有增加的现象。我们有发现DRAM大...
【市场观察】计算机大厂有较大的议价力 2005-03-16 在过去二个月中，整体计算机出货量不如预期，因此DRAM合约市场的消耗量也不如预期。然而，DRAM原厂并未将芯片释出到现货市场，而是将原本2到3周的库存增加到4到5周。由于库存量的增加，...
【市场观察】信心不足, 价格走跌 2005-03-09 如图, 自今年元月开始, 主流颗粒DDR400的现货价格从$4.04跌破了$3,3/4则是以$2.88为收盘价, 而eTT的价格自今年年初的$3.68跌至3/4以2.51收盘,两个月下跌三个百分点,这样的跌幅的速度也带来市场上不小的恐慌...
【市场观察】合约是否会受到现货价的影响？ 2005-03-02 上周的DRAM市场似乎没因为过完中国农历年出现原先预期的买气，价格一点回升的迹象都没有，在DDR与NAND Flash两者的现货价格持续下跌的走势。对于DDR现货下跌的原因，第一是受到去年12月整个对PC厂商...
【市场观察】这星期的重点产品是NAND Flash! 2005-02-23 在过完农历新年的第一个交易周我们看到疲弱的需求以及大量的现货供给导致DRAM现货价呈现下跌的走势。疲弱的需求是来自于实际需求的降低以及买方市场对未来现货价的悲观预期；而大量的现货供给是来自于原厂的月底作帐压力..
【市场观察】预期中国DRAM需求转强，但强度如何? 2005-02-16 因为中国农历新年的缘故，DRAM现货市场上星期交易清淡。根据上半月合格价格下跌，我们认为计算机大厂在二月上半月的需求保持疲软。在现货市场因为现货价格在二月初价格下滑，买家对买进芯片的态度..
【市场观察】需求不强，价格持续疲软 2005-02-02 整体来说,上礼拜的DDR市场交易状况清淡,价格也持续的下滑,原先预期PC OEMs在农历年前会有释出大量的订单并没出现.我们认为是因为大部分PC OEMs厂商们皆有足够的库存的以应付生产线在农历假期间...
【市场观察】有限的供给及谨慎的需求 2005-01-26 上星期现货市场交易疲软且供给有限。因为DRAM供货商认为为中国农历新年的需求将会在月底出现，所以他们在过去二星期中并未释出芯片到现货市场。然而，买家因认为价格将会下跌因此仅买进与手上订单...
【市场观察】平淡的一周! 2005-01-20 DRAM于上星期的市场交易清淡，我们发现大陆以及欧洲的买方因为不看好未来的需求都呈现犹豫的态度而不愿买货。除此之外，我们还发现有部分大陆的贸易商在现货市场倒DDR主要颗粒..
【市场观察】更低的现货价和合约价 2005-01-12 上星期在供给不多且需求薄弱的状况下DRAM交易有限，根据一月份上半月合约价格下滑的状况来看，来自计算机大厂的需求还是维持薄弱的状态，且计算机大厂对下半月合约价及需求还是维持跟上半月的看法一致。虽然DRAM供货商还是..
【市场观察】什么是价格启动的最大因素? 2005-01-05 年末最后一个星期的现货市场整体的表现十分萧条，交易及订单的需求都非常有限。库存盘点是最主要的市场变量。市场上很难看到主要品牌的DRAM在交易，DDR400/333/266的价格在狭幅区间震荡，然而，eTT是上周众所瞩目的目标，价格...
【市场观察】疲软的需求，合约价将会再度上涨! 2004-12-29 在耶诞假期过后，在DRAM现货市场上的交易变的比圣诞节前清淡。再由12月的二次合约定价的状况来看，12月的需求的确转弱，然而部份DRAM厂提前在11月底卖出12月份的产出及部份厂商增加库存的影响下，我们认..
【市场观察】北极特快车可能将回归常轨 2004-12-22 上周DDR现货市场气氛诡异，价格持稳，成交量持续萎缩，市场参与者多抱观望心态。从基本面来看，在需求方面，PC OEM厂商十二月的需求较十一月为低；在供给方面，全球DRAM制造商的产出十一月较十月成长超过10%，十二月产出预期...
【市场观察】逃命波! 2004-12-15 如我们所预期的，上星期的DRAM现货市场行情不错，现货价格呈现上涨趋势，特别是DDR 256Mb 32Mbx8这颗颗粒的价格从上星期二的USD3.82上涨5%到USD4.01。SDRAM的现货市场亦呈现反弹行情...
【市场观察】本周现货市场仍疲软不振.... 2004-12-08 *By Jamie Lo, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange本周现货市场仍疲软不振，据消息来源指出，Hynix为调降库存水位而将放货于现货市场。业者对于下周市场的变化持以谨慎保守态度，认为未来市场若要趋于好转必须到....
【市场观察】现货价能否在下周反弹? 2004-12-01 由于上星期欧美国家正享受着感恩节的气氛, 整体现货市场表现十分的低迷且价格也没有任何拉回的迹象,， DDR 400下跌了将近四个百分点到达了$3.87,，eTT也下跌了七点五个百分点价格
【市场观察】对于DRAM的现货价及合约价走势, 我们仍抱持悲观的态度 2004-11-24 上周整体DRAM现货市场的表现显得十分的冷清,成交量也十分的有限.就目前现货价格, 中国市场的贸易商们对于交易DRAM颗粒显得不十分的热络, 而美国的模块商也每天的调降其目标价，
【市场观察】NAND是下跌趋势中的新星？并不是！ 2004-11-17 上周的现货市场在DRAM端并无大事发生，然NAND在下跌一段时间之后，现货价格开始大幅反弹，以4G NAND现货均价为例，从近期低点十一月四日的35.28美元一路攀升到上周四（十一月十一日）的37.14美元，上涨幅度高
【市场观察】下跌的价格走势是短线还是趋势? 2004-11-10 DRAM现货市场在进入十一月的第一个星期依然停滞！需求面依然不好，使得市场上的供需越积越多。纵观价格走势，DDR 为下滑的走势；SDRAM 为持平；NAND Flash亦为下跌。
【市场观察】目前的情况是否逐渐有利于合约市场 ? 2004-11-03 十月的最后一个礼拜，如同往常，价格比起前几个礼拜显得特别的疲软，且现货市场也显得特别的冷清。上个星期，由于策略性的将晶圆产能投注在 PC OEMs, Promos 提高了财务预测
【市场观察】这样的需求力道是否强劲 ? 2004-10-27 在接连几家 DRAM 原厂公布第三季的财报之后，我们可看出第三季的确为他们带来了相当可观的业务收入。随着感恩节及耶诞假期的脚步逐渐逼近，这些所谓消费性电子产品的旺季，无论是 DRAM 制造商或是 PC OEMs 对第四季皆抱持着乐观的态度。
【市场观察】我们维持对DRAM现货及合同价的正面看法 2004-10-20 过去一个星期，DRAM现货交易保持温吞的状态。虽然部分DRAM经销商及交易商因为高现货价而出脱部分库存，但现货市场并未出现太多的供给。
【市场观察】中国长假之后价格会涨? 2004-10-13 由于中国长假效应，上周现货市场的交易较为清淡。然而十月上旬合约价的上涨或许会有机会带动下周的现货价格有不错的表现！
【市场观察】由冷转热，DRAM 现货后市看俏！ 2004-10-06 上周对DRAM现货市场而言，本来在台湾、中国、香港、韩国等亚洲地区休假效应的影响价，上周二至周四市场交投冷清，多以询价为主。除了中国、香港等地区为了长假备货外，买方多以欧美为主。
【市场观察】DDR和Flash正在撼动着市场 2004-09-29 据我们了解，价格扬升再度证明整个DDR市场表现优异。外界多方臆测DRAM原厂于制程出现问题并会再度提高合同价，就整个价格走势而言，DDR价格较为偏高。
【市场观察】持续上涨的价格 2004-09-22 自9/15到9/21, DDR与NAND Flash的价格表现, 总是令人振奋. DDR 400/333/266分别上涨了. 至于NAND Flash, 由于三星将Flash 1G与2G用来组装4G与8G,导致市场1G与2G的供给缩减,
【市场观察】二个工作天前开始现货市场交易逐渐热络... 2004-09-15 二个工作天前开始现货市场交易逐渐热络，而且我们对下星期报价仍然保持正面的看法。相对而言，过去一周的上半周现货交易清淡，主要原因为买家持续等待更低的DRAM报价，而卖方则认为现货报价已经触底短期即将反弹。
【市场观察】过去一周现货市场交易活动较不热络... 2004-09-08 过去一周现货市场交易活动较不热络，整体交易量也因而下滑，整个市场疲弱不振缺乏动能。下午的亚洲市场,DDR 256Mb 32Mx8 400/333/266 MHz的交易价格跌幅低于二到三个百分点,分别以$4.34, $4.12及$3.9收盘。
【市场观察】DRAM价格回档只是一个昙花一现？ 2004-09-01 因为上周台风艾利过境台湾，使得台湾DRAM现货市场于八月二十四日及二十五日两日休市，亚洲市场在此其间交易显得较为清淡。许多DRAM业者及通路商仅在询价并未下场参与交易。
【市场观察】DDR SDRAM 价格出现反弹 2004-08-27 即使DRAM现货价格已持续数周呈现抑郁走势，我们仍对本周价格持以乐观态度。我们相信目前大多数的PC 代工厂及通路商库存水位仍处贫瘠阶段。英特尔于八月底至九月份调降中央处理器及芯片组的价格，另外...
【市场观察】返校需求何时才会出现? 2004-08-18 许多DRAM厂及市场人士在六月时均对季节性的需求寄与厚望，预期市场在沉寂几周之后，将因从七月底或八月初增强的返校需求、新产品促销活动及公司换机潮，而有上扬机会。
【市场观察】市场现况... 2004-08-11 DRAM现货价上周持续下跌，不过成交量因部份模组厂备料增加采购量而扩大。DDR 256Mb 32Mx8 400/333/266MHz 周二亚洲尾盘报价分别为4.34美元、4.22美元及4.16美元。
【市场观察】DRAM厂商对8寸晶圆厂的策略 2004-08-04 当各家DRAM厂纷纷大幅投资兴建12寸厂且努力扩增现有12寸厂产能时，在讲求利用最先进制程以降低成本的标准型DRAM生产上，8寸厂将逐渐失去成本优势，面对此一情形，多家DRAM厂已陆续开发去化8寸产能的新策略。
【市场观察】DRAM 现货市场持续低迷不振 2004-07-29 由于DDR SDRAM 价格依旧跌跌不休，使得DRAM 现货市场持续低迷不振。在市场上价格普遍不理想状况下，买家已缩手观望。DDR 32Mx8 256Mb 400/333/266 MHz 的价格在今天亚洲下午盘时，分别跌至$4.63, $4.5 及$4.53。
【市场观察】DDR 256Mb 32Mx8 价格依旧难见起色 2004-07-21 由于市场人士退场观望，DDR 256Mb 32Mx8 价格依旧难见起色。市场迟滞不前主要肇因于欠缺动能且价格在上周持续下探。不过，大部份市场人士仍旧对传统第三季旺季的价格抱持乐观的态度。
【市场观察】DDR 32Mx8 价格续跌至4.7美元 2004-07-15 DDR 32Mx8 颗粒价格较前周下跌二至三个百分点，在现货及合约市场需求未见好转前，DDR SDRAM 价格近期内预料将难有起色。
【市场观察】DDR现货价格反弹将是暂时现象 2004-07-13 由于中间商增加库存，256兆DDR的现货价格出现了上涨。但由于终端用户的需求持续保持疲软，这种价格反弹将是暂时的。 7月6日256兆DDR266/333/44的价格分别为，4.86美元，4.84美元和4.90美元。
【市场观察】淡季及季底共伴效应导致5月下旬部份主流NAND Flash合约均价大幅下跌8-16% 2002-06-02 5月下旬除了记忆卡及UFD通路市场受传统淡季影响需求不振外，多数的NAND Flash终端系统产品 OEM市场的采购力道也转趋疲软，再加上部份NAND Flash供货商在季底结账前，实行了较积极的降价促销策略，故5月下旬部份主流NAND Flash的合约均价出现了8-16%的较大跌幅
【市场观察】客層需求差異，使8月上旬主流NAND Flash合約價，呈現小幅漲跌互見的狀況 1900-01-01 8月上旬主流NAND Flash合約價呈現漲跌互見的狀況，主要原因為供應商客戶結構及接單狀況不同，因此採取了不同的定價策略。由於電子系統產品客戶的旺季，OEM訂單自7月底已開始回溫，因此部份NAND Flash供應商因系統客戶的比重較高，調高約4-6%用於系統產品的MLC NAND Flash合約價。

【市场观察】1月上旬合约价持平但成交价有往上趋势，2月甚至1月下旬起DRAM合约价上涨可能性高
2012-01-12
根据集邦科技（Trendforce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查，1月上旬DRAM合约价仍以持平价位开出，DDR3 4GB均价固守16.5美元，DDR3 2GB均价则维持在9.25美元，但整体成交量已从低价区渐渐转向平均价格移动，除了减产效应于第一季正式发酵，目前合约价格仍属历史低价，部份PC-OEM厂已缓步拉高库存水位，并开始接受较高价格的合约价，加上硬盘短缺问题在第一季陆续获得纾解，PC出货将在二月后将回复正常。

【市场观察】集邦科技： 4Q10 NB出货回稳，1Q11淡季不淡
2010-10-11
根据集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange调查，2010年九月NB出货优于预期，带动第三季季增率往上攀升至约3%。

【市场观察】季底效应使6月下旬主流NAND Flash颗粒合约价小跌约1-6%
2010-06-28
6月下旬主流，NAND Flash颗粒合约价小跌约1-6%，其它则大致维持平盘的状况。

【市场观察】淡季效应影响下5月上旬NAND Flash合约均价下跌约1-8%
2010-05-12
受2Q淡季效应及近期部份金融市场不稳定疑虑等因素的影响，5月上旬NAND Flash合约均价大致下跌约1-8%。

【市场观察】年前观望气氛使12月下旬NAND Flash合约均价呈现持平及部份小跌1%-5%
2009-12-24
12月下旬NAND Flash合约均价大致开平盘，但主流颗粒32Gb & 16Gb MLC合约均价则小跌约1%-5%。

【市场观察】10月下旬主流MLC NAND Flash合约均价上涨4-7%
2009-10-23
10月下旬主流MLC NAND Flash颗粒的合约均价上涨约4至7%。

【市场观察】中国长假之后价格会涨?
2004-10-13
由于中国长假效应，上周现货市场的交易较为清淡。然而十月上旬合约价的上涨或许会有机会带动下周的现货价格有不错的表现！

【市场观察】DDR 32Mx8 价格续跌至4.7美元
2004-07-15
DDR 32Mx8 颗粒价格较前周下跌二至三个百分点，在现货及合约市场需求未见好转前，DDR SDRAM 价格近期内预料将难有起色。

◇专题报导◇

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【专题报导】苹果iPad终亮相或开创平板电脑元年 2010-02-01 传闻已久的苹果平板电脑ipad终于在美国时间2010年1月27日正式亮相。这款外界翘首以盼8年，被苹果CEO乔布斯誉为“公司推出过的产品中最重要的一款”的产品无疑值得市场期待。事实上，苹果公司还没正式发布，ipad就已被媒体热炒多月。集邦科技表示，目前，关于ipad的看法褒贬不一，如果这款产品成功，或将引爆平板电脑市场。
【专题报导】“绿色电脑”催生PC产业新商机 2010-01-05 所谓“绿色电脑”，最初指的是美国环保署“能源之星”计划规定标准的个人电脑，现在已扩展为具有节能、低污染、低辐射、易回收等多方面特征的电脑。近几年，PC性能不断攀升，与此同时用户也开始更多的关注电脑的节能设计：怎样节省电费开支、延长电脑的使用寿命、降低对人体的辐射度等。
【专题报导】微软、谷歌、苹果三巨头争霸战开演 2009-08-28 随着苹果市值超过谷歌、苹果全面封杀谷歌产品、谷歌CEO施密特8月3日辞任苹果董事等一系列事件的出现，这两家科技巨头已显露出开战迹象。至此，谷歌与苹果联手对抗软件巨头微软的联盟开始出现明显裂痕。集邦科技认为，随之而来的是三大巨头之间的分庭抗争，试问在电脑行业未来10年的发展中，谁将成为真正的王者，或许还要拭目以待。
【专题报导】三大运营商拼3G 上网本市场涌起新热潮 2009-07-24 09年1月7日，中国3G牌照正式发放，中国移动、联通、中国电信三大通信运营商迅速展开3G网络建设，同时也都积极与计算机厂商合作，国内外一线计算机厂商全部积极投身于运营商定制上网本的研制。集邦科技认为，尽管3G上网本市场诱人，但这股新热潮也眼生出一些棘手的问题。
【专题报导】家电“以旧换新”商机大各方急盼细则出台 2009-06-15 “以旧换新”政策对于农民来讲相比家电下乡政策不同的是，把城市居民耐用品消费升级换代放到了重要位置。此政策的出台，集邦科技认为在促进消费、扩大内需、拉动农村经济增长的同时也有利于提高全社会能源资源利用效率，减少环境污染，促进节能减排和循环经济发展。然而在实施细则尚未出台的情况下，这项政策还存在着些许问题亟待解决。
【专题报导】电脑下乡障碍多 PC厂商需长远布局农村市场 2009-03-10 中国日前公布的电脑下乡政策中，得标的有14家电脑机厂，市场预期未来3年内，起码会增加2,700万台到3,600万台的电脑需求，但集邦科技(DRAMeXchange)指出，农民收入低、农村缺乏互联网建设，以及厂商需建立多点销售通路、后续维修服务，都造成电脑下乡的障碍，PC厂商需要长远的目光来开拓农村市场。
【专题报导】影响笔记本计算机下半年出货状况的主要变数 2007-08-21 笔记本计算机今年出货量至七月为止一路畅旺，从ODM角度来看，许多公司的月出货数字，一再超过市场预期。根据DRAMeXchange数据显示，截至七月底为止，全球笔记本计算机累计出货量为51,868千台，其中一至七月出货量累计，前两大ODM的广达为16,400千台，仁宝为12,015千台，两家在七月份出货量皆超过两百万台，分别为2,800千台及2,000千台。这样的出货数字，让今年笔记本计算机出货量年成长率，有机会突破三成。截至七月为止，笔记本计算机出货状况基本上都仍依照OEM品牌计算机厂商规划，并没有看到太多存货或其它影响出货计划的状况。若依照这样的成长速度，笔记本计算机继续取代台式机，将有机会提前在2009超过PC年出货量的一半，超越台式机，这将比原先市场预期的2010年来得早。
【专题报导】高分辨率显示对于内存之需求 2007-07-24 在数码家庭的概念中，对外以光纤或是xDSL联机，对内则是以网络系统连接计算机、电视、影音系统，以及冰箱、冷气、电话、洗衣机等家电产品。而对于一般大众来说，较容易接触与理解的，还是计算机与电视影音等系统的连结。
【专题报导】由NOKIA推出GPS导航功能手机看手机市场新一波应用的兴起 2007-07-17 十多年前当手机开始出现在一般人的生活当中时，多数人想象不到一支原本只具备通话功能的小装置，现在却演变成这个小装置将各种不同的应用功能整合到其中。现在的手机功能可以说是五花八门，但实际上仍以照相和音乐播放这两项功能为主。目前手机具备照相功能的出货比重已经超过五成以上，而具备MP3音乐播放功能的手机出货比重虽没有照相功能手机高，但出货比重目前仍在持续地增加中。在照相手机和音乐手机的市场逐渐成熟之后，下一个会在手机上兴起的新应用将是GPS导航系统。
【专题报导】主机板产业风云再起? 2007-07-10 2007年第二季PC市场来到传统淡季，其四月份时CPU大厂 Intel 和AMD相继降价，致使五月份主机板出货高于预期。然五月之后出货量渐渐下滑，除了淡季影响之外，亦受于下列因素影响。
【专题报导】2006年全球自有品牌内存模块销售调查 2007-07-03 2006年全年内存产出成长率仅有53.2%，DDR2 667 64Mx8颗粒的全年均价为每单颗5.47美元，eTT也有4.59美元。DRAM厂于2006年供货短缺，市场DRAM之ASP居高不下，享有了高毛利，也因此更积极的进行12寸厂的扩产及转进70nm。
【专题报导】DDR3封装形式尚未定论，DRAM封装产业谨慎扩产 2007-06-26 2006年DRAM产业经历了一段美好的时光，而台湾后段封装业者也跟着雨露均沾。虽然各家封测业者经过2001年空头洗礼后资本支出便较为谨慎，但是在台湾地区12寸DRAM新产能持续增加的激励下，各家后段封装测试厂商也依照DRAM厂商的扩产计划纷纷增加资本支出。其中日月光、硅品等两家世界级的封测大厂也在2006下半年加入DDR2后段封装测试的战局，使得DDR2封测产业的供需状况增加许多变量。
【专题报导】2007 WiMAX Asia-Pacific Conference & Exhibition 2007-06-12 2007 Taipei Summit，WiMAX Asia-Pacific Conference & Exhibition于5月14-15日在Taipei International Conference Center举行，4主题着重在WiMAX系统之发展与实际应用之可能性。展出项目包含系统设备、零组件、测试设备以及应用服务等，完整的包含了WiMAX产业之上中下游。同时设置了主题馆，展示现今WiMAX产业应用现况，涵盖了道路监控、医疗救援、道路监控、远距教学以及多媒体应用等项目。并邀请了Intel、WiMAX Forum等单位进行论坛讨论。
【专题报导】新帝SSD 5000 2.5吋32 GB固态硬盘测试 2007-06-05 SSD到底有多快？它真的能带给较传统硬盘更大的效能吗？它对PC读取档案、系统运作的效率提升有多少？它究竟能不能帮笔记本计算机（NB）省下更多的电力，提高电池的使用时间？这些问题的答案目前还没有确切的解答，不过DRAMeXchange这次借测了由美商新帝（SanDisk）所推出的新型SSD固态硬盘，是以闪存为基础的产品，将试着寻找上述问题的答案。
【专题报导】CPU价格、技术竞争不停，然单核仍为市场最爱 2007-05-29 2007年第一季MB处理器采用比重，Intel与AMD分别为78.6%和21.4%。AMD市占率较上季小幅下滑，主要是受制于Intel产品线完整、低价抢攻市场以及Dell出货未如预期，影响CPU出货实绩。
【专题报导】PC出货依赖下半年旺季 2007-05-15 2007年第一季全球主机板出货状况，受惠于4Q06买气递延，规模达40M，较去年同期成长6%，较上期则下跌6.8%。较以往第四季对第一季下滑之历史记录通常为10%之水平，1Q07其跌幅相对缩减。主要原因是4Q06出货规模基期已低，其次部份买气延至1Q07。
【专题报导】警报解除！Vista笔记本电脑来势汹汹 2007-05-08 Windows Vista家用版在一月推出之后，确实带动部分NB需求。消费笔记本电脑为目前搭载Vista主力，带动1Q07成长。根据厂商规划，商用笔记本电脑在第三季后搭载Vista的比率将逐步提升。预计在3Q07，消费笔记本电脑出货量中，搭载Vista将超过八成，比年初预期乐观。
【专题报导】802.11n的可能成长性 2007-04-17 第一个无线局域网络协议发表于1997年，经过了两年的讨论之后，业界于1999年成立了Wi-Fi联盟，并于IEEE通过了802.11a标准，成为第一个正式的业界标准。经过数年发展，无线网络通讯已成为一项普遍且方便的技术。而在多媒体成为因特网的应用主流之后，利用游乐器或是台式机作为家用多媒体分享中心，或是利用网络系统建立数字家庭，都使得无论是下载或上传，对于传输速率的需求都大幅的增加，势必需要新的无线传输通讯协议，来取代旧有的802.11a/b/g。
【专题报导】浅谈Solid State Drive市场的未来发展性 2007-04-10 NAND Flash产业在过去数年呈现高速成长的状况，主要是受益于下列几项消费性电子产品：数字相机、行动电话、随身碟和MP3/PMP播放器。其中，数字相机和行动电话使用NAND Flash当作储存媒介是以外接记忆卡的方式为主，MP3/PMP播放器则是将NAND Flash内建在装置内作为储存媒介，而随身碟也是采取内建NAND Flash做为储存媒介，作为取代软盘片成为一般PC使用者平日储存备份数据的装置。这四种消费性电子产品使用NAND Flash的数量约占整体NAND Flash市场需求的百分之九十左右，但除了行动电话之外其它三种应用的市场成长正逐渐趋向稳定。因此，对于NAND Flash市场未来下一波的成长动力，业界人士莫不将希望寄托于NAND Flash在PC平台上的新应用。
【专题报导】2007年三星行动内存论坛 2007-04-03 第四届的Samsung Mobile Solution Forum于2007年3月27日在台北的六福皇宫饭店举行，超过140间公司的参与，以及近千位的来宾加入了上下午的技术探讨。Samsung展出了与Mobile Technology相关的技术，自OneNAND、OneDRAM、MCP、LSI、Mobile DDI，到Mobile TV之芯片，现场皆有实品展出或是相关讨论。
【专题报导】从2007 CeBIT看PC产品发展 2007-03-27 2007年CeBIT展于三月十五日开幕，台湾一线主机板（MB）厂全员到齐，在微软今年大推Vista新操作系统之下，MB厂将展出全系列支持Vista的产品，以吸引欧洲市场买家。而在硬件方面，新一代芯片组亦为各家主机板展出重点。如支持英特尔最新FSB 1333芯片组、45奈米技术的中央处理器、以及DDR III内存的Bearlake系列芯片组主机板。或是支持AMD 690G 以及 NVIDIA 7050 芯片组，两者皆内建强大绘图核心，并支持HDMI、DVI、D-SUB 显示功能。从主机板厂商产品展示重点来看，似乎宣告着高解析(HD)世代的来临。
【专题报导】GDDR市场近况 2007-03-20 自GDDR系列产品问世以来，每一代的产品所追求的，是更高效能的数据处理能力，而非一般DDR所追求的提升速度及降低电压。主要应用范围，也由一开始的显示卡，延伸到现今热门的次世代游乐器，近期更有数字电视等消费性电子产品端的新应用出现。
【专题报导】国际集成电路研讨会参展心得-移动通讯市场内存趋势 2007-03-13 深圳的技术研讨会中，移动通讯产品中的内建内存趋势为内存厂商讨论的焦点。主要原因在于中国移动通讯以及消费性电子市场规模庞大，除了国际手机大厂之外，白牌手机厂商也盘据各山头。虽然低价手机仍为当地市场销售主流，但多媒体以及智能型手机成长力道惊人。而在手机功能日趋复杂的趋势下，各家内存厂商也针对于不同市场的移动通讯产品提出了相关的内建内存解决方案，并且从中寻求最低成本的内存配置方式为所有内存厂商与手机业者所关注的焦点。
【专题报导】由3GSM展看无线通讯发展趋势与NAND Flash未来应用机会 2007-03-06 2月中旬在西班牙巴塞罗那举行的2007年3GSM展中，参展者除了电信运营商与电信硬件业者外，来自计算机软硬件、计算机互联网、广电娱乐界等业者也共襄盛举与会，我们观察此次3GSM展的活动，主要在展示及探讨如何把现有的计算机互联网、电视广播传媒网、音乐/电影/游戏/广告等商业运作模式，成功的复制到由手机所建构的无线宽带网络系统上，以创造新的无线宽带内容及服务商机，我们兹归纳3GSM展上无线通讯业未来的主要发展趋势如下：
【专题报导】Windows Vista问世后之显示芯片市场 2007-02-27 Microsoft Windows Vista于2006年11月发行了企业版，2007年1月则发表了个人版。对于显示芯片市场而言，则有两项重要的规格在Vista上市后，成为重要的指标。一是Vista内建的功能： Aero，另一项则是DirectX 10的支援。
【专题报导】DRAM价格下跌对Vista推动的影响 2007-02-13 2006年第四季旺季不旺的情形，主要肇因于Vista与Santa Rosa平台即将推出所带来的的递延效应。Vista继2006年十一月推出商用版后，微软于2007年一月底Vista推
【专题报导】从五大手机厂商最新公布的财报乐观看待NAND Flash今年的市场需求 2007-01-30 2007年1月全球前五大手机厂商陆续公布去年第四季的财报，顺带揭露各家手机业者2006年的整体发展状况并对2007年手机市场的发展做出预估。
【专题报导】DDR2记忆体效能 - Windows Vista 个人版实测报告 2007-01-16 Microsoft于2006年11月推出Windows Vista Enterprise Edition，并预计于2007年1月底推出Windows Vista Personal Edition。DRAMeXchange特别针对
【专题报导】漫谈2007年NAND Flash新的应用趋势 2007-01-02 目前3C电子厂商未来产品的设计趋势，多已朝向依照消费者预算及不同应用需求，来设计具有不同功能/质量/性能等级的产品，以进军各种的市场区隔，
【专题报导】DRAM荣景下的受惠者-成长中的测试产业 2006-12-26 2007年DRAM产能大幅扩充以及新制程70nm导入的趋势下，DRAMeXchange预估DRAM后段的测试产业有机会在2007下半年出现测试产能吃紧的状况。然而未来日月鸿的产能变化以及Hynix的DDR2测试订单是否委外，都将牵动产业供需的重要变量。
【专题报导】下一个世代的DVD光驱系统，Blu-Ray or HD-DVD？ 2006-12-19 传统上，消费性电子业者在制定一个新产品标准，为了降低进入市场的障碍，较不会贸然躁进，但次世代DVD规格的制定却早在1997年DVD尚未开始商业化应用时，就已经
【专题报导】浅谈SDHC对未来快闪记忆卡市场的影响 2006-12-05 快闪记忆卡是目前消耗NAND Flash产能的最大终端应用装置，举凡DSC、MP3 Player、Mobile Phone、PMP和GPS的手持式装置PND
【专题报导】2006年第三季全球DRAM厂商销售额调查 2006-11-30 根据集邦科技调查，2006年第三季全球DRAM品牌厂商销售额较第二季成长19.6%(表一)。成长动力来自于PC市场的Vista Compatible机种推升DRAM需求，使得DDR2合约市场
【专题报导】AMD与Intel在笔记型计算机市场现况与未来 - Part 2 2006-11-14 当前个人计算机已相当成熟，但因产值大，所以每一个百分比的市场占有率，背后代表着相当可观的营收数字。不论在笔记型或者台式机，AMD都尝试着去扩大每一点的
【专题报导】AMD与Intel在笔记型计算机市场现况与未来 - Part 1 2006-11-07 近期以来，AMD在桌上型计算机中央处理器市占率有所斩获，根据集邦科技数据显示，在1Q06达到27.6%。AMD先前在高阶应用市场上，AMD64技术一度占有优势，
【专题报导】DRAM产业的未来应用 – Part 3 2006-10-24 本周是此专题之最后一篇，将讨论手持式装置与车用电子系统。手持式电子装置又可分为”Mobile Phone”、“PMP”、 “DSC”、 “GPS”等产品。车用电子系统则
【专题报导】DRAM产业的未来应用–Part 2 2006-10-17 电视游乐器在一开始，每年只有数百万美金的销售额；但谁也没有想到，在二十年后会发展成上百亿美元的巿场。它不但改变了许多人的娱乐方式，使得人们将电视游乐器
【专题报导】DRAM产业的未来应用 – Part 1 2006-10-11 2006年对于DRAM厂来说，是一个顺利的年度，产能增加、成本降低以及制程转换到90nm也堪称到一段落。至于最重要的获利能力，以DDR2 667 512Mb的颗粒价格来看，
【专题报导】笔记型计算机全球市场渗透率2010年将近五成 2006-09-26 回顾PC发展，从1980年至今经历25年，在1999年时市场规模达一亿台，至2006年，经7年时间，达两亿台，预计2010年将可超过3亿台规模。
【专题报导】探究SanDisk成为快闪记忆卡霸主的成功秘诀 2006-09-21 随着NAND Flash产值的不断快速成长，全球内存厂商纷纷看好NAND Flash在未来五年内将可取代DRAM成为产值最大的内存商品，因而许多原本在DRAM或NOR Flash领域的
【专题报导】NB出货高点预计落在十一月 2006-09-12 2006年上半PC主要市场欧美地区需求低迷，尤其是欧洲市场表现反常，无论是CE或PC产品，第二季消费活动呈现停滞，原本预期世足赛带动买气亦让业者大失所望。
【专题报导】Push Mail，商务人仕的行动通讯新选择 2006-09-05 手持装置的整合，手机是未来发展性最好的平台，Push Mail为商务人士带来新的工作时间表。随着通讯科技的进步，手机所能提供的功能，
【专题报导】跳脱巢臼，寻找PC市场新机会 2006-08-29 PC主要市场如美国、西欧、日本等地，长久以来左右PC销售，面临主要市场成长趋缓，长期高成长率不再，PC上游大厂至中端制造业者，莫不积极寻找未来成长机会。
【专题报导】浅谈NAND Flash 产业新近发展动向 2006-08-29 为了获取高容量应用市场的采纳，未来NAND Flash业者的竞争重点，将转向降低每bit成本发展，multi-bit/cell 将是首选方案。对新进者而言专利、资金、
【专题报导】浅谈NAND Flash在NB上的应用与发展趋势 2006-08-22 根据DRAMeXchange的观察，NAND Flash终端应用产品的主角从过去两年的DSC和MP3 Player，渐渐在今年下半年开始转移至Mobile Phone。
【专题报导】2006下半年PC市场需求回温、PC厂商谨慎看待 2006-08-15 由于PC主要市场西欧地区需求疲软，以及Intel 和AMD CPU平台切换，造成买气观望，2006年第二季PC出货不如预期。主机板出货规模达3,289万片，与上季相比下跌
【专题报导】2006年第二季全球DRAM厂DRAM销售额较第一季成长15.5% 2006-08-01 根据DRAMeXchange最新出炉报告显示，2006年第二季全球DRAM销售额较第一季成长15.5%(表一)。主要原因来自于台系厂商产能持续开出，以及第二季DDR与DDR2供给吃
【专题报导】Graphic Memory市场报告 2006-07-25 在竞争激烈的DRAM产业，不断的「扩充产能」技术转进至更先进的制程，持续性地「降低生产成本」，以维持市场竞争力，为DRAM生产厂商的重要任务。
【专题报导】集邦:06年第一季全球内存条实际销售额达到49.2亿美元 2006-07-18 根据集邦(DRAMeXchange)最新研究数据，2006年第一季全球DRAM内存条实际销售额为49.2亿美元。扣除DRAM原厂直接提供PC OEM业者之内存条出货，
【专题报导】百花齐放的4C“虹海”(下) 2006-07-11 桌上型 PC将会变得家电化，营销诉求将变成类似汽车市场，以性能、造型、省油、安全、舒适性以及多媒体等诉求，做差异化产品设计组合，形成不同市场区隔，
【专题报导】百花齐放的4C“虹海”(上) 2006-07-04 随着不同领域的电子厂商跨界合作持续开发出多功能3C整合型电子产品，未来在数字家庭的架构下，这些桌上型及可携式的新兴3C整合型商品，将由办公室普及到家庭各角
【专题报导】AMD AM2 and DDR2 800 2006-06-27 原来AMD预计在06年Q1发布AM2，最后还是延迟到Q2，在Computex中发表支持DDR2的AM2，支持的内存规格也提升到DDR2 800。相较于原本的Socket 939，
【专题报导】新一代的服务器用内存:FBDIMM 2006-06-20 FBDIMM运用了JEDEC的DDR2标准，使得这一种新世代的服务器用内存，初问世的产品就是DDR2-533以上的速度。目前制定的规格自DDR2–533到DDR2–800，
【专题报导】看游戏机世代交替所创造的新一波内存市场商机（下） 2006-06-13 Sony自从推出第一代的Play Station游戏机后，在新世代游戏机的开发策略上一直采取「使用领先同业的创新性技术」、「产品的关键零组件在自家生产」、
【专题报导】看游戏机世代交替所创造的新一波内存市场商机（上） 2006-06-06 自2000年3月Sony推出Play Station 2（PS2）后，次年Nintendo和Microsoft也分别推出Game Cube和Xbox，全球游戏机市场从此正式进入三强鼎立的时代。
【专题报导】Window Vista推升明年需求，DRAM厂积极扩产应对 2006-05-30 2006年DRAM产业在供给受限的影响下，造成上半年淡季不淡的状况。主要原因在于部分DRAM厂将产能移往获利较高的Mobile RAM 及Graphic RAM等产品。此外，
【专题报导】DRAM厂的另一条路(Part2) 2006-05-23 GDDR3是专门为配合绘图芯片使用而开发的内存，由于这种专门应用的特性，ATI与nVIDIA皆参与了GDDR3的开发. GDDR3的特性主要是可工作频率更高，
【专题报导】DRAM厂的另一条路(Part1) 2006-05-16 打自您一早睁开眼睛，各式的内存就充斥在您四周，协助各色的微处理器陪伴您的生活。从微波炉到电视机，桌上型计算机/笔记型计算机，
【专题报导】3C整合时代将衍生新的NAND Flash 应用需求 2006-05-10 随着3C(计算机/通讯/消费性电子)整合潮流的加速发展,2007年影像储存需求容量将会在可携式3C多媒体新产品中快速的增加,只要NAND Flash的单位成本持续下降,
【专题报导】由行动电话应用多元化的趋势看内存市场的下一波商机所在（下） 2006-05-02 在本文上篇中，我们了解到NAND和NOR两种Flash在手机上面应用方式的差异，NOR是专门作为储存手机开机程序代码所用的内存装置，而NAND则是专门作为储存大量数据的媒介。
【专题报导】由行动电话应用多元化的趋势看内存市场的下一波商机所在（上） 2006-04-25 行动电话在过去十年之间，从原先只具备语音和简讯发收的基本功能逐渐演变成具有照相、摄录像、播放MP3、收看电视和PDA等多媒体服务的功能，
【专题报导】SDRAM 产业分析-PartⅡ 2006-04-11 2004年初SDRAM产业经历了难得一见的多头走势但是在三星将SDRAM产能转换至0.11um投产后使得供给大量增加，瞬间造成市场的供需失衡，使产品价格纷纷重挫，
【专题报导】Origami 为 UMPC 敲出一记安打 2006-04-06 平板计算机自 2002 年底问市至今已逾 3 年，当时微软看好平板计算机的前景而投入平板计算机操作系统的开发，然市场回响却不如预期，
【专题报导】SDRAM产业分析-PartⅠ 2006-03-29 SDRAM 虽属于DRAM 产业的一部份，但由于SDRAM主要的应用端在消费性电子产品，因此特性与标准型DRAM 并非完全相同，
【专题报导】全球主机板第一季出货、量价齐跌 2006-03-23 全球主机板(MB)，2006年第一季出货规模预估达37.3百万台，较上季比下滑12.6%。出货量下滑原因主要是市场进入传统淡季，其次是去年第四季出货虽然畅旺，
【专题报导】英特尔IDF登场多方策略巩固龙头地位 2006-03-15 英特尔在2006年春季的IDF(Intel Developer Forum)中全力拉抬Merom处理器及Santa Rosa平台。Santa Rosa平台为接续Napa平台的新产品，其中包含了处理器
【专题报导】DDR3导入PC市场之进度与展望 2006-03-08 DDR2自2004年初开始在PC市场应用萌芽,但相继受到0.11微米制程不顺,DDR2成本居高不下及Intel晶片组缺货影响下,直至2006年第二季才晋升成为主流的记忆体规格。DDR2成为主流的时程较厂商预期落差达一年左右，原本Intel 的roadmap中希望在2006年将DDR3导入PC市场，
【专题报导】变「芯」的苹果 - 打入 WINTEL 城墙的 MINTEL(Part II) 2006-03-01 在之前，不管是 iBook 或 PowerBook ，由于订价高昂且支持的应用软件有限，因此其消费者都为利基型客户 , 如教育市场或专业绘图人员等 , 而一般消费大众在价高考虑及应用普遍性的考虑 ,
【专题报导】变「芯」的苹果 - 打入 WINTEL 城墙的 MINTEL(Part I) 2006-02-22 苹果计算机在计算机世界中是老字号的品牌，早在 1984 年推出麦金塔计算机以来，至今在全球市场中一直占有一席之地，但因其始终采用独有之 MAC 操作系统与 Power CPU 架构 , 不兼容于市场主流 WINTEL 架构 , 因此于市场中向来被消费者视为「非主流」角色，市占率不易打开。
【专题报导】Napa平台剖析 2006-02-15 在NB的历程上，2003年Centrino平台的推出可以说是一个划时代的整合应用，它不但实现了NB的无线网络连结、提升运算效能、加强电池续航力，加以整合型芯片组缩减零组件体积便NB外观得以更加轻薄短小，
【专题报导】既生瑜何生亮检视微型硬盘与NAND Flash两强之争(下) 2006-02-08 近来兴起的NAND Flash，其实早在1990年就已经出现在市面上，不过因为价钱与应用端尚未放大的双重因素下，所以到了近一两年才随着数字可携式产品的快速起飞才一夜成名，成为储存媒介的明日之星，而且在短时间内已经威胁到微型硬盘的生存空间。
【专题报导】既生瑜何生亮检视微型硬盘与NAND Flash两强之争(上) 2006-02-08 谈到微型硬盘与NAND Flash两者现况，用”即生瑜、何生亮”这句话形容是最适当不过，因为在目前微型硬盘所应用到的产品中，几乎都可以看见NAND Flash这个竞争对手的存在，不管是手机、MP3 Player等皆是如此。在桌上型计算机装置的储存媒介...
【专题报导】2006年台湾NB全球出货量突破九成(下) 2006-01-24 依研究统计，2004年前五大厂商即为广达、仁宝、纬创、华硕、英业达，此五家出货量合计达2,578万台，占台湾产量的77.2%，其它厂家生产合计762万台；而在2005年前五大厂排名未变，但出货量合计可达4,110万台，占台湾产量的...
【专题报导】2006年台湾NB全球出货量突破九成(上) 2006-01-17 全球笔记型计算机总量2006年乐观预估超越7,500万台，其中台系前五大NB制造厂广达、仁宝、纬创、华硕、英业达总出货量将可达6,000万台，五强2006年将携手拿下全球NB市场八成市占率，若再加上二线代工厂商大众、神达、志合…等，台系厂商将可望达到全球九成的出货量，产业集中化趋势越来越显著。
【专题报导】记忆卡山头众军聚集 SD家族胜出机率大？ 2006-01-10 由于数字相机（Digital Still Cameras）、手机（Digital Cellular Handset）及PDA等数字商品兴起，连带地让附属在这些手持式装置的小型记忆卡销售量是逐步向上急速攀爬，而这些手持式装置在业者不断地不断提升多媒体功能下，如录音、照相及录像等功能，...
【专题报导】内存在现货市场发展趋势 2006-01-03 DRAM市场大致上可以区分为合约市场与现货市场。合约市场主要参与者多为PC OEM厂,而现货市场参与者为DRAM制造商、模块厂商、以及一些白牌的厂商,由于现货市场的需求多来自于消费者自行升级,因此以往每当内存规格...
【专题报导】记忆卡加上USB FLASH的双适配卡可为记忆卡厂商带来新的商机 2005-12-28 携带式的储存产品随着数字数据储存装置的增加与NAND Flash零件价格的下跌而越来越受到欢迎。为了能和其它储存置产品竞争，厂商尝试发展出新规格以有别于其它竞争对手。记忆卡加上USB FLASH的双接口概念..
【专题报导】975X+Window Vista 并出绘图卡市场需求火花？(下) 2005-12-20 对于绘图卡市场而言，相较过去几年，有几个因素造成绘图卡成长性是一年比一年低，首先是笔记型计算机占整体PC比重将由2004年的28%成长至2005年的31%，其背后隐藏的意义是整体桌上型计算机的市场已经逐渐被笔记型计算机给吞蚀...
【专题报导】975X+Window Vista 并出绘图卡市场需求火花？(上) 2005-12-13 英特尔（Intel）在2005年11月发表975X芯片组，但却没有大力宣传这一款芯片组，甚至于也没有打广告促销这一款芯片，若与上一款在2005年6月所发表的955X芯片组规格相比，没有仔细看...
【专题报导】一枝草一点露手机用内存市场需求未来不可限量(下) 2005-12-06 2003年由于各大手机厂纷纷推出彩色屏幕、和弦铃声、结合数字相机或PDA，且支持MMS、Java等服务的多功能手机，引发市场换机热潮，而2004年也在彩色多媒体手机换机热潮持续延烧下，及受惠于新兴市场如巴西、印度、俄罗斯等地对手机需求向上攀升，2004年全球手机市场销售量冲刺到6.6亿支....
【专题报导】一枝草一点露手机用内存市场需求未来不可限量(上) 2005-11-29 随着行动通讯应用服务的日益多元化，不论是语音、数据、影像或是多媒体等应用内容，都已经是相当成熟的加值服务，可是相对地对于手机用的内存却是形成某种程度的考验，因为手机用的内存必须要不断提升单位密度，并降低功耗以求省电，...
【专题报导】由Dell财报省思PC之发展 2005-11-22 Dell于十一月十日公布FY2006 Q3 财报结果(2005年8～10月)，其营收较2004年同期成长11.3％，较上季比仅成长4%；虽然营收成长，但每股盈余较去年同期0.33美元，衰退24.2％，为0.25美元...
【专题报导】DDR2 677MHz之后，内存时程之探讨 2005-11-16 由于DDR2成为主流时程不断延后，除了Intel芯片组缺货问题外，DDR2 400MHz、DDR2 533MHz效能未较DDR 400MHz明显增加，使得消费者对于DDR2兴趣缺缺，也进而影响到Clone市场对于DDR2....
【专题报导】Apple策略转换微型硬盘何去何从？ 2005-11-09 时间拉回到美国时间9月7日，苹果计算机（Apple）推出以NAND Flash为储存介质的iPod nano，取代以微型硬盘为储存介质的iPod Mini，但这项举动，无疑将对微型硬盘整体出货量产生莫大影响，因为苹果计算机在可携式MP3播放机有将近5成的市占率...
【专题报导】各据一方之新世代DVD发展探微 2005-11-03 新世代DVD产品发展，自2002年两大主要团体：Sony领军之Blu-ray Disc以及Toshiba主导之HD-DVD，各自发展至今，两方各据重要技术、优势以及支持厂商，对未来规格统一之路至今仍纷歧不一，影响业者产品未来规划...
【专题报导】MMC介绍 2005-10-27 MMC代表多媒体卡，是一种应用NAND Flash的可反复存储的记忆卡。1998年，MMCA（多媒体卡协会）作为记忆卡的一个公开代表组织而建立。与SDA（安全数字卡协会）不同的是，MMCA在其会员费用里没有要求版税和许可费用。
【专题报导】DRAM后段封装测试产业近况与成本分析 2005-10-19 2005年第二季以来由于Hynix策略出现变动，希望能够自行建置DRAM后段测试产能，Hynix开始通知国内测试业者将逐季减少委外测试产能，但是这状况在近期出现转变，因为Hynix90奈米制程投片的新产能开出，使得测试时间拉长4～6 成，...
【专题报导】DDR2在2006年第一季度将升为主流 2005-10-12 因DDR需求强劲，美光（Micron），力晶（PSC）和茂德（ProMOS）等公司已经放缓产能由DDR到DDR2的转移，2005年第4季度DDR2占DRAM产出的份额的集邦预测将下降至38% 。...
【专题报导】12吋厂世代来临，8吋厂未来何去何从？ 2005-10-05 过去各家DRAM业者以DRAM 为单一产品线时，为了要将单位成本压到最低，一定会采用最新的晶圆厂和制程去生产DRAM，如此一来才能保有自身的竞争力，而目前生产DRAM 最具成本优势的组合是12 吋晶圆厂加上90奈米制程，至于部分...
【专题报导】2006年PC产业成长率将不若2005年 2005-09-28 2005年PC市场延续2004年换机周期，但力道至2005上半年持续减弱，预期换机需求于上半年告一段落；而下半年则以返校需求及圣诞旺季等以消费性需求为市场主要支持力道，整体而言2005年PC市场仍有两位数字以上之成长率...
【专题报导】iPod nano出场为NAND Flash供需投下震撼弹？ 2005-09-22 美国时间9月7日，苹果计算机（Apple）又再推出惊人之作iPod nano，不同于肩负为Apple 打Flash-based MP3 Player市场的iPod shuffle，iPod nano 主要是为取代iPod mini而诞生，其容量分别...
【专题报导】MLC VS. SLC制程技术差异比较 2005-09-14 随着Apple iPod Shuffle、数字相机及多媒体手机的热卖，促使NAND Flash内存产品成为2003年以来火红的热门商品之ㄧ，然后受益最大的就是市占率合计超过8成...
【专题报导】左打数字相机右踢MP3 Player 多媒体手机带领NAND Flash需求往上冲 2005-09-07 在上一篇中，笔者曾经提起数字相机对于NAND Flash需求减缓，不过整体NAND Flash市场需求并不会因此停滞，仍将继续往上，最大原因就是整体NAND Flash 应用第一顺位将从2006起转移至多媒体手机，虽然多媒体手机领先的...
【专题报导】数字相机对NAND Flash需求趋缓退居整体NAND Flash 应用的第二顺位 2005-09-02 2004 年全球NAND Flash 的最终应用，有一半以上是来自数字相机，约占整体NAND Flash 应用的52％，可以说是当前最红的NAND Flash 最主要应用产品，不过2005年起市场已经开始变化，未来数字相机对于 NAND Flash的需求将继续往上还是？
【专题报导】电视游乐器绘图卡用DRAM将成2006年DRAM需求动力之一 2005-08-24 日前市调机构Mercury Research公布2005年第二季全球绘图芯片市场调查，英特尔（Intel）的市占率维持43%不变，而其它两家专业绘图芯片业者ATI及Nvidia的市占率分别为26%、16%，相较于2004年同期，只有英特尔一家是成长，其它两家都是呈现衰退...
【专题报导】台湾封测厂的DRAM测试产能状况 2005-08-17 自从2004 第三季以来，台湾封测厂的DRAM测试产能吃紧状况主要来自于下列原因，一、新制程及新产品造成DRAM的测试时间增加。在0.11um未进入量产之前，DDR 256Mb 0.11um的测试时间较0.13um测试时间多30%左右...
【专题报导】英特尔全面退出平价芯片组市场，间接加速带动DDR2 SDRAM市场需求？ 2005-08-10 报载英特尔(Intel)为加速转进高毛利的笔记本电脑(NB)用芯片，将在2005年第四季(Q4)将全面退出平价芯片组市场，除旧款845及865系列产品，支持新一代PCI Express规格及LGA775脚位P4处理器的中阶主力芯片组915PL/GL亦将在第四季全面停产...
【专题报导】英特尔全面退出平价芯片组市场，间接加速带动DDR2 SDRAM市场需求？ 2005-08-10 报载英特尔（Intel）为加速转进高毛利的笔记本电脑（NB）用芯片，将在2005年第四季（Q4）将全面退出平价芯片组市场，除旧款845及865系列产品，支持新一代PCI Express规格及LGA775脚位P4处理器的中阶主力芯片组...
【专题报导】双核心处理器带动DDR2市场需求？ 2005-08-03 DDR 256Mb 400MHz 的现货价格小幅成长了1.1%，8/2当日则是以2.73美元收盘。SDRAM在上周则呈现持平的走势，价格波动区间约莫1.5个百分点。有效测试颗粒(eTT)则是延续上周上涨的走势，本周上涨了1.95个百分点，8/2当日以$2.62收盘..
【专题报导】Turbo-Cache和Hyper-Memory技术绘图芯片影响效应 2005-03-30 过去几年当中，全球最大的二家绘图芯片厂商(ATI和Nvidia)每年都会发表新一世代的产品。这些更先进的新产品为了绘图卡的效能需求要求更高容量的绘图缓冲存储器。但是绘图内存目前由韩国二家内存(Samsung和Hynix)..
【专题报导】NAND Flash厂商在记忆卡的现况 2005-03-23 NAND Flash供货商除了卖颗粒之外也卖记忆卡。以下是我们以 NAND Flash供货商以及记忆卡的规格所做的分析。首先我们先分析NAND Flash供货商所支持的记忆卡规格的现况（参考附录一）。 ...
【专题报导】NROM技術在FLASH所扮演的腳色 2005-02-23 ROM技术的基本运算是一个N型信道的MOSFET组件(Metal- Oxide-Semiconductor Field Transistor金属-氧化层-半导体晶体管)，他的特别在于利用一层的氮化层Nitride来取代原本当作闸极的多晶硅层..
【专题报导】2005年更多的DRAM产能将转移到NAND Flash内存产品 2005-02-02 因为DRAM和NAND Flash产品都可以用相同设备来制造，大部份的DRAM原厂如三星(Samsung)、海尼士(Hynix)、美光(Micron)、和英飞凌(Infineon)不仅制造DRAM芯片也制造NAND...
【专题报导】90奈米制程有更多的难题 2005-01-26 在90奈米量产制程中有许多难题需要克服。首先，显影设备(曝光机，扫瞄机)是半导体制程中最重要的制程设备之一。大部份DRAM制造商现在均使用248奈米..
【专题报导】iPod Shuffle对NAND Flash的需求及供给面影响 2005-01-20 苹果计算机于上星期一月十一号发布其第一支以NAND Flash 为内存的MP3 player (MP3P) 产品发表，并命名此产品为iPod Shuffle，为iPod家族的一元。iPod Shuffle一出来就以较目前市..
【专题报导】2005年和2005年以后8吋厂是生?还是死? 2005-01-05 部分人认为在2005年因为8吋厂制造成本将高过12吋厂的制造成本，所以8吋厂产出将会消失。而2005年将不会供过于求且价格可以维持稳定。然而，部分厂商已经成功地将8吋厂制程转换至更好..
【专题报导】光驱仍爱1Mbx16 2004-12-29 光驱一直是个人计算机中，除硬盘之外的重要储存媒体，由于每台PC几乎都会搭载一台硬盘与一台光驱，因此全球光驱出货量与PC出货量有颇高的相关性。剩下的光驱需求则来自于升级、外接型、以及其它应用。因此本文主要将探讨个人...
【专题报导】NAND Flash技术面剖析(下集) 2004-12-22 既然Renesas是从Hitachi与Mitsubishi的半导体部门合并而来，早在Hitachi 的时代就已经有使用AND Flash的技术。AND Flash可以分成三种：SGI-AND、 AG-AND与Super-AND，而我们可以依...
【专题报导】NAND Flash技术面剖析(上集) 2004-12-15 随着使用NAND Flash为零主件的相关产品需求增加，以及制造NAND Flash 所产生的高获利， NAND Flash产业已吸引越来越多的厂商进入，使得这市场较不独占。这次我们想要与您们分享一下NAND Flash制造商所使用的技术、合作对象...
【专题报导】测试将成为DDR2转换瓶颈? 2004-11-24 在2005年将会有几个重要因素影响DDR2的转换，在低工作电压及高频的状况下，与DDR相比DDR2有低耗电及高效能的优点。也因为低工作电压及高频，DDR2必须使用BGA(Ball Grid Array, 球门阵列)封装
【专题报导】数码电视将成为消费性电子内存市场的明日之星？ 2004-11-17 在消费性电子市场里，数码电视在2004年虽然成长不如预期，但由于其搭载密度相对高的DRAM，一旦数码电视价格跌到消费者可接受的某种程度而开始大量出货时，数码电视将很有可能成为影响利基型DRAM市场的重要因素
【专题报导】制程微缩至0.11微米以下将会比以往更困难且为时更久 2004-10-27 因为激烈的成本竞争，主要DRAM制造商正持续努力进行技术转换。在2004年第三季，主流DRAM制程已经从0.13/0.14微米转换成0.11/0.12微米，其制程比重已达49.44%的DRAM产出，而256Mb DDR DRAM的平均成本约在三美元左右。
【专题报导】DDR2 将会如何转换 ? 2004-10-20 在预测 DDR2 转换过程之前，我们先回顾 DDR 转换的过程和 DDR 如何变成主流存贮器产品。在 2001 年 12 月之前， Intel 企图掌控电脑所有关键零组件的规格制定并发表一系列支援高效能存贮器的 RAMBUS DRAM 的芯片组。在考量高 RAMBUS 技术授权金及抗拒 Intel 的野心， DRAM 国际大厂偏好支援 DDR 并设法避免可预见险的峻竞争形势。
【专题报导】2004-2005 NAND型闪存供货商产品简介 2004-10-13 Samsung、Toshiba (FlashVision LLC) 、以及Renesas 为2003年以前的三大NAND型闪存供货商。2004年初有Infineon、Hynix 、ST Microelectronics的加入，再加上年底的力晶与Micron，今年总共会有八家厂商分食这个市场。
【专题报导】硬盘成本结构中，存贮器成本仍非主要议题 2004-10-06 在3.5寸与2.5寸的硬盘当中，主要搭载2MB与8MB存贮器，一般而言，容量愈大速度愈快的硬盘会搭载容量较大的存贮器。由目前市场上贩售的硬盘可知，SATA (Serial ATA) 硬盘至少都搭载了8MB的存贮器，甚至一些高容量的高阶SATA硬盘，还搭载16MB存贮器，Maxtor的Diamond Max 10, SATA, 250GB与300GB硬盘即是一例。
【专题报导】家庭影音中心的概念将是绘图芯片的重要成长动力 2004-09-29 即时互动联机游戏是目前促使消费者升级绘图卡的主要驱动力之一。联机游戏使用越精致、复杂、和虚拟真实的影像，就需要更佳效能的绘图卡。
【专题报导】DDR SDRAM仍然是今年的主流产品 2004-09-22 根据我们对美国个人电脑的调查显示，Dell(戴尔电脑)在桌上型电脑比其他电脑大厂相对积极的搭载DDR2 SDRAM存贮器，我们以戴尔电脑如此的动作推测，戴尔电脑应有获得Intel(英特尔) CPU及Samsung(三星) DDR2 SDRAM的优惠方案。
【专题报导】关于PCI Express 2004-07-27 关于PCI Express PCI express 是一种新的I/O结构。通过高频宽、低针数、序列式以及相互连系的技术PCI express 提供电脑使用者更加的传输效能。当其他主要的电脑周边零件的效能与速度变的更好时，于1992年发展出的低宽频PCI结构已经成为系统表现的瓶颈。
【专题报导】DDR SDRAM 价格近期内预料将难有起色 2004-07-15 利基型SDRAM 如1Mx16 和4Mx16颗粒，由于买家找不到进货的诱因，且担忧市场会有供过于求的情形，价格持续在低档盘旋。此外，芯片设计厂的库存水位过高亦是市场低迷主因之一。更糟的是，第三季需求似乎未如预期强劲。
【专题报导】威刚 - 专访董事长陈立白先生 2004-07-01 威刚董事长陈立白先生与我们分享他如何以卓越的资金管理，通路管理，及库存管理来带领威刚走向成功。
【专题报导】Kingston - Interview with Scott Chen VP of Kingston APAC Business Div. 2004-06-17
【专题报导】Nanya - Interview with Dr. Pei Lin Pai VP of Global sales marketing & Spokesman. 2004-06-08
【专题报导】金士顿 - 专访金士顿亚太业务区副总裁Scott Chen 陈思轲 2004-06-01 总部位于美国加洲芳泉谷的金士顿公司是全球第一大独立模组制造商。
【专题报导】 1900-01-01

【专题报导】专利战持续上演多元化战略下苹果仍难舍三星
2011-11-07
全球半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)，与众多厂商在产品供应上有着非常不错的合作关系。

【专题报导】浅谈SDHC对未来快闪记忆卡市场的影响
2006-12-05
快闪记忆卡是目前消耗NAND Flash产能的最大终端应用装置，举凡DSC、MP3 Player、Mobile Phone、PMP和GPS的手持式装置PND

【专题报导】AMD AM2 and DDR2 800
2006-06-27
原来AMD预计在06年Q1发布AM2，最后还是延迟到Q2，在Computex中发表支持DDR2的AM2，支持的内存规格也提升到DDR2 800。相较于原本的Socket 939，

【专题报导】SDRAM产业分析-PartⅠ
2006-03-29
SDRAM 虽属于DRAM 产业的一部份，但由于SDRAM主要的应用端在消费性电子产品，因此特性与标准型DRAM 并非完全相同，

【专题报导】威刚 - 专访董事长陈立白先生
2004-07-01
威刚董事长陈立白先生与我们分享他如何以卓越的资金管理，通路管理，及库存管理来带领威刚走向成功。

【专题报导】Kingston - Interview with Scott Chen VP of Kingston APAC Business Div.
2004-06-17

【专题报导】Nanya - Interview with Dr. Pei Lin Pai VP of Global sales marketing & Spokesman.
2004-06-08

【专题报导】金士顿 - 专访金士顿亚太业务区副总裁Scott Chen 陈思轲
2004-06-01
总部位于美国加洲芳泉谷的金士顿公司是全球第一大独立模组制造商。

【专题报导】
1900-01-01

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