【市场观察】TrendForce:2017年第一季DDR3 4GB合约价飙升至25美元,创DRAM淡季涨幅最高纪录

  • 来源: 2017-01-04

TrendForce:2017年第一季DDR3 4GB合约价飙升至25美元,创DRAM淡季涨幅最高纪录

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示,由于DRAM供货吃紧至今未有改善的迹象,因此延续2016下半年的价格涨势,2017年第一季DRAM平均销售单价呈大幅上涨格局,DDR3 4GB模组的合约价最高已超过25美元,季涨幅超过三成,为DRAM史上首个在传统淡季下仍能维持强势涨价的季度。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,根据现已成交的合约看来,2017年第一季标准型内存价格持续攀高,平均涨幅接近三成,服务器内存的涨幅略同,R-DIMM 32GB模组已超过200美元大关,涨幅同样超过两成。行动式内存也因智能手机在中国新年铺货的需求带动下,不论是单颗颗粒(discrete product)或eMCP解决方案,价格都同样攀高,季涨幅估将超过一成。

行动式与服务器内存需求持续强劲,供货吃紧将可能持续整年

2016年起,由于中国品牌崛起带动智能手机需求旺盛,DRAM原厂陆续调降标准型内存产出,转作行动式内存。在供货减少下,DDR3 4GB均价一路攀升至今,连带让服务器内存价格也呈现大涨,甚至行动式内存在2017年第一季也有近15%的季涨幅,此外,图形处理用内存与利基型内存也都雨露均沾,季涨幅至少超过一成。

展望2017年,各DRAM原厂资本支出较为保守,皆不倾向过分扩张产能,并以获利导向为主要经营策略。DRAMeXchange预估,2017年DRAM产业的供给端位元年成长率仅19%,远低于往年至少二成甚至超过三成的年成长率,在2017年DRAM需求端年成长超过22%情况下,供不应求的严峻程度可见一斑。

从市场面观察,由于2017年旗舰手机内存搭载量将上看8GB,加上中端手机多迈向搭载4GB规格,因此行动式内存依然是DRAM产业需求成长最为强劲的类别,整体而言,2017年智能手机内存容量年成长将超过30%,超越一般笔电使用的内存规格。

此外,因各式云服务兴起,服务器内存需求也显著成长。DRAMeXchange预估,2017年服务器的平均内存容量将达130GB以上,其中,中国市场的强劲需求力道高于世界水平,亦驱使DRAM厂在2017年的产能分配下,皆计划将能转往行动式内存与服务器内存,持续使部分的DRAM产品供货吃紧甚至发生缺货情形。现阶段DRAM厂多采取制程转进的方式满足客户需求,而不倾向增加产能,因此,2017年供货短缺的情况极有可能持续一整年度,有助于DRAM产业维持丰厚获利。

【免责声明】
  • 1、「DRAMeXchange-全球半导体观察」包含的内容和信息是根据公开资料分析和演释,该公开资料,属可靠之来源搜集,但这些分析和信息并未经独立核实。本网站有权但无此义务,改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。
  • 2、任何在「DRAMeXchange-全球半导体观察」上出现的信息(包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等),力求但不保证数据的准确性,均只作为参考,您须对您自主决定的行为负责。如有错漏,请以各公司官方网站公布为准。
  • 3、「DRAMeXchange-全球半导体观察」信息服务基于"现况"及"现有"提供,网站的信息和内容如有更改恕不另行通知。
  • 4、「DRAMeXchange-全球半导体观察」尊重并保护所有使用用户的个人隐私权,您注册的用户名、电子邮件地址等个人资料,非经您亲自许可或根据相关法律、法规的强制性规定,不会主动地泄露给第三方。
【版权声明】
  • 「DRAMeXchange-全球半导体观察」所刊原创内容之著作权属于「DRAMeXchange-全球半导体观察」网站所有,未经本站之同意或授权,任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部,亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。
‹ 前一则
【市场观察】TrendForce:2017年NAND Flash投片产能仅年增6%,价格稳健走扬
后一则 ›
【市场观察】TrendForce:第一季服务器内存模组价格涨幅逾25%,供给持续吃紧