【市场观察】集邦咨询:原厂先进制程不顺,第二季标准型内存合约价格续涨12.5%

  • 来源: 2017-04-13

集邦咨询:原厂先进制程不顺,第二季标准型内存合约价格续涨12.5%

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示,由于原厂先进制程质量问题频传,第二季标准型内存供货吃紧情况未见舒缓,价格涨幅超乎预期。就目前的成交价格看来,第二季4GB DDR4模组合约均价来到27美元,相较第一季的24美元,上涨幅度约12.5%。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,进入第二季,全球内存市场仍呈现供货吃紧的状态,各PC OEM大厂正陆续与主要DRAM原厂议定新季度的合约价格。原先市场期待供给即将增加,但由于三星、美光等先进大厂在18或17纳米上都出现质量异常的状况,使得供货吃紧的态势仍未得到纾解,第二季整体DRAM确定维持上涨走势。

三星、美光制程转进遇瓶颈,供货吃紧短期难解

从第一季中开始,三星18纳米的标准型内存产品陆续进入量产阶段,但由于先进制程的设计难度高,在生产的过程中容易与部分笔电的平台出现兼容性相关的问题,导致产线的不良率过高,影响出货。目前三星半导体正积极解决该异常状况,但出货不顺的现况使供货吃紧的态势未能舒缓。

同时,美光的17纳米产品也在第一季中陆续送交样品给客户做测试,目前测试过程并不顺利,原先设定在第二季度可能量产的目标恐将推迟。

SK海力士则因为目前没有进行制程转换,成为三大厂当中唯一没有遭遇供货不顺问题的厂商。吴雅婷指出,三星和美光遭逢的状况说明制程转进至20纳米以下时,在设计、生产的难度都大幅提升,此外,也说明制程微缩能享有的位元成长越来越少,使得供货端吃紧的态势若要得到舒缓,还需花费更多时间。

吴雅婷进一步指出,整体而言,第二季内存价格持续向上的趋势仍未改变。除标准型内存外,服务器内存的涨幅也相当明显,预估将达10%~15%。而行动式内存则为目前涨幅最小者,在中国智能手机的出货动能尚未大幅转强以前,预估第二季行动式内存涨幅仅约5%以下,其中eMCP产品因NAND同时缺货的缘故,涨幅较高,约达5%。

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