【专题报导】现阶段阻碍存储器发展的重要因素竟然是它!

  • 来源: 2017-03-17

在信息社会的当下,存储器在我们的日常生活中扮演着非常重要的角色,可能我们无法直观的看到它,但存储器已经广泛存在于我们身边的很多电子产品中。

根据全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新的数据显示,2016年全球存储器(包括DRAM和NAND)市场规模已高达713.24亿美元。

不过,在快速发展的同时,存储器产业也正在面临着不少挑战,包括制程技术的演进以及成本的控制等等。日前,在SEMICON China 2017上海展会期间由晋华集成电路有限公司赞助举办的中国存储器产业发展论坛上,来自通富微电、美光、西数、Lam以及TechSearch等厂商的专家就这些问题发表了看法。

功耗已成主要挑战

仅从DRAM产品来看,通富微电CSO和业务发展副总裁彭安表示,虽然摩尔定律的发展目前已经受到了很大限制,但是工艺制程并不是DRAM发展的最大难题,在20nm工艺之后,DRAM市场还有很长的路要走。

事实上,彭安认为,DRAM面临的主要挑战是如何更好的+。只有极大的降低功耗和成本才能满足未来大数据市场对于存储产品近乎爆炸式的增长需求。

西数新一代平台技术高级主任Zvonimir Z.Bandic同样认为,DRAM的价格是非常昂贵的,且功耗并不是很低,在应对大数据需求时,大量的堆砌DRAM,势必造成能耗过高。

来自TechSearch的E.Jan Vaedaman女士则从封装的角度侧面印证他们的观点。她表示,移动终端为了容纳更多的功能,必然要求各类芯片的尺寸越来越小,并集中封装在一起,这就需要相关芯片的功耗越来越少,存储器同样不例外。

需探索更多解决方案

可以说,存储器产品发展到现阶段,功耗已经成了主要的瓶颈,降低功耗甚至比制程技术的推进难度更大。

对此,Lam Research的技术总监Rich Wise认为,3D技术虽然是为了应对制程物理极限推出的,但它将会成为存储器解决尺寸和功耗问题的主要趋势。目前在NAND Flash领域,3D技术的应用已经取得了不错的成绩,3D技术除了能够规避制程技术物理极限,其在功耗控制、容量、可靠性、成本等方面优势也是不言而喻的。

“3D技术能够使得存储器在摩尔定律的基础上更好的提高性能,满足各种应用的需求。”美光存储器解决方案副总裁Dean A.Klein也持同样的观点。

除此之外,西数Zvonimir Z.Bandic表示,使用PCI-E接口的NVM产品同样能够很好地解决目前存储器产品遇到的功耗以及速度问题。

随着物联网、5G、汽车电子等新兴产业的到来,全球存储器市场还将迎来巨大的增长机遇。未来的存储器市场一定是多样化的,单纯的使用单一产品是无法适应市场的,所以需要产业链的参与者开发出更多地解决方案来推动产业的不断发展。

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