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关键词:3D NAND FLASH

【存储器】三星量产第五代V-NAND闪存:90层堆栈 QLC闪存在路上

三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存,业界首发Toggle DDR 4.0接口,速率达到了1.4Gbps,堆栈层数超过90层。此外,三星还准备推出1Tb核心容量...

三星电子 3D NAND FLASH

存储器

【存储器】增产3D NAND!东芝拟再建新工厂 预计2019年完工

为了扩增3D NAND Flash产能,东芝旗下半导体事业子公司“东芝存储器决定将在2018年7月于岩手县北上市着手兴建新工厂,该座北上新厂厂房预计将在2019年完工...

东芝 3D NAND FLASH

存储器

【存储器】应材未来3D NAND线路图 2021年堆叠层数将超140层

在正在举行的国际存储研讨会2018(IMW 2018)上,应用材料公司Sean Kang介绍了未来几年3D-NAND的发展线路图,到了2021年,3D-NAND的堆叠层...

应用材料 3D NAND FLASH

存储器

【存储器】32层3D NAND闪存芯片年内有望在光谷量产

随着4月11日首套芯片生产机台进场安装,我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片年内有望在光谷量产。据悉,该芯片多用于手机...

长江存储 3D NAND FLASH

存储器

【半导体/IC】考察长江存储 习近平说了什么?

4月26日上午,在长江沿岸考察的习近平总书记来到长江存储下属的武汉新芯调研,并察看集成电路生产线,了解了芯片全流程智能化制造和加快国产化进程等情况...

长江存储 3D NAND FLASH

半导体/IC

【存储器】长江存储今日装机 将实现32层存储器小规模量产

4月9日,处在舆论中心的赵伟国在2018 CITE大会上透露,武汉长江存储基地即将开始移入生产设备。4月11日,紫光集团旗下武汉长江存储...

长江存储 3D NAND FLASH

存储器

【存储器】东芝芯片业务出售难产 债权银行施压其尽快完成交易

银行业人士消息称,尽管有维权股东认为东芝芯片业务实际价值是出售价的两倍以上,但是东芝主要债权银行正督促东芝推进这笔2万亿日元(约合187亿美元)的...

东芝存储器 3D NAND FLASH

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