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【半导体/IC】国家集成电路创新中心上海启动 强攻四大关键技术

来源:21世纪经济报道       

国家集成电路创新中心、国家智能传感器创新中心启动会7月3日在上海举行。国家集成电路创新中心将围绕5nm及以下集成电路,聚焦四大共性技术,支持国产高端芯片在国内制造企业实现生产。

“公司+联盟” 行业协同创新模式

国家集成电路创新中心依托上海集成电路制造创新中心有限公司,采用“公司+联盟”的方式,由复旦大学牵头,联合行业龙头企业中芯国际、华虹集团等建立集成电路产业链上下游协同机制,以行业协同创新模式组建,逐步吸收更多龙头企业和研究机构,打造国家集成电路共性技术研发平台,着力解决我国集成电路主流技术方向选择和可靠技术来源问题,为产业升级提供技术支撑和知识产权保护。

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聚焦5nm及以下集成电路研发

创新中心将围绕5nm及以下集成电路,聚焦新器件研发、先进仿真和模拟技术、EUV光刻工艺及OPC技术、先进集成工艺四大共性技术,以实现器件结构创新和工艺创新为目标,为产业技术升级、未来大生产线建设提供人才、技术支撑和知识产权保护,支持国产高端芯片在国内制造企业实现生产。

国家智能传感器创新中心以关键共性技术研发和中试为目标,专注传感器设计集成技术、先进制造及封测工艺,布局传感器新材料、新工艺、新器件和物联网应用方案等领域,以“公司+联盟”模式运行,力争打造世界级智能传感器创新中心。

着力解决关键共性技术供给不足

工信部副部长罗文在启动会上讲话表示,创新中心要着力解决集成电路工艺、功能器件结构、材料、系统集成等方面关键共性技术的供给不足问题;要通过产业创新联盟组织协同开展行业关键共性技术研发和产业化示范应用;要加强股东之间的合作,建立起联合开发、优势互补、成果共享、风险共担的协同创新机制;要通过技术成果转化、企业孵化、企业委托研发和为行业提供公共服务等方式,推动集成电路、智能传感器领域关键共性技术向产业转移转化;要在实践中不断创新商业模式,逐步实现自主经营,自负盈亏,自我造血和自我发展。