春节过后至今，DDR2 eTT 512Mb与1Gb价格分别下跌约16%与21%，唯上周出现止跌讯号

中国新年过后，现货市场DDR2 512Mb eTT和DDR2 1Gb eTT在2007年2月13日与2月15日再次跌破1美元及2 美元的关卡，DRAM价格就呈现下滑的走势，DDR2 512Mb eTT现货价从2月12日1.02美元下滑至最低的2月20日0.86美元，跌幅约15.7%，DDR2 1Gb eTT现货价从2月12日2.11美元下滑至最低的2月20日1.66美元，跌幅约21.3%后。上周(2/19-2/25)现货市场出现了止跌回稳的讯号，以一周的平均价格来观察，除了DDR2 512Mb与1Gb价格分别固守在1美元与2美元而未破底之外，上周DDR2 1Gb eTT的现货颗粒价仅微幅下跌约2.3%，DDR2 512Mb eTT的现货价则是出现了上扬约3.4%的状况，就市场人士表示，自去年12月变动成本的议题披露之后，市场普遍视0.8美元为DDR2 512Mb eTT颗价格的底部，当上周价格跌至0.85美元后，现货市场出现补货的迹象甚至投机性的买盘的出现导致价格攀升，但由市场面分析，第一季与第二季本属市场淡季，加上整个现货市场交投清淡，价格应属于短期的反弹，对于后市的价格发展仍需谨慎观察。

而在合约市场方面，二月下旬DDR2 667 1GB的内存模块的平均合约价约落在18美元左右，与二月上旬相比，价格呈现持平的状况，但由于中国新年过后现货市场的颗粒价格跌幅超乎预期，加上各家DRAM厂仍有一定的库存压力且目前为季节性的淡季，对于三月上旬的合约价的议定将有一定的难度，也预期合约价将会力求持平。

DRAM厂8吋产能去化加速

在2007年整体的DRAM市场面临极为严峻的考验，全球市场的需求面不佳加上各家晶圆厂不断开出产能，使DRAM价格甚至一度跌至变动成本。根据集邦科技统计，以DDR2 667MHz 512Mb的颗粒为例，2007年的均价比2006年的均价下跌了55%，即使使用12吋厂、70nm生产，都仍是亏损，也加速了标准型DRAM退出8吋厂生产行列。

关于台系晶圆厂的8吋产能去化的部份，力晶方面将于2008年四月份把唯一的8吋厂独立成名为Maxchip的公司，主要生产非标准型DRAM的代工；南亚也将其本身的二座8吋厂转做代工与生产非标准型DRAM，目前比例各为40%与60%；而茂德已将8吋厂移往中国重庆，名为ProQ，预计第一季试产，第二季可以进入量产，也将转做非标准型DRAM与代工。

尔必达已于2007年将唯一一座8吋厂设备卖与中国成芯半导体。奇梦达于德国的八吋厂，将于2008年3月停止生产DRAM，之后转回英飞凌生产逻辑芯片；同时于去年年底终止与中国中芯半导体及台湾华邦电子的8吋厂DRAM代工合约；其于美国的8吋厂，已与Maquarie Electronics (USA) Inc.签订金额2亿8千9百万美金的设备销售再回租的合约。未来此8吋厂将减少投片15%，且以生产非主流DRAM产品(legacy products)为主，生产技术也将由110nm转为80nm。

三星计划将其8吋厂产能逐渐去化，由于产品线广，其8吋厂生产可沿用至2009年；2008年目标以降低标准型DRAM及NAND Flash生产比例为主，同时将DRAM及NAND Flash制程进一步往下转进。海力士与ST合资的中国无锡8吋厂，去年九月已签约售予China Resources(Holding) Co., Ltd.，同时也积极地为韩国目前生产NAND Flash的M9找买主；其余两座8吋厂，将降低标准型DRAM及NAND Flash的比重，提高利基型DRAM及非DRAM产品的生产。

Toshiba/SanDisk即将推出43奈米 MLC型和56奈米 x3芯片，将推升终端应用的储存容量

2月上旬Toshiba/SanDisk在International Solid State Circuits Conference (ISSCC)活动中宣布将于今年三、四月间推出43奈米制程的16Gb MLC型芯片（其面积比56奈米的16Gb MLC少百分之三十），并预计在使用同样43奈米制程的条件下于第三季推出32Gb MLC型芯片。另一方面，现有56奈米制程也将在三、四月间开始生产3 bit per cell (x3)的MLC型芯片，在同样12吋晶圆上x3的颗粒数将比现有标准MLC型（2 bit per cell）颗粒数多出百分之二十以上。这样的宣布无疑是表示该阵营目前仍是市场各主要供货商中制程开发速度最快的厂商，也一举开启今年各NAND Flash供货商的制程技术进入4x奈米竞赛的阶段。

过去数年，藉助NAND Flash制程每年往前推进一个世代和各厂商大举兴建12吋晶圆厂的条件下，各种使用NAND Flash作为储存媒介的应用如：标准记忆卡、随身碟、MP3/PMP、手机等产品的储存容量快速增加。以MP3/PMP为例，2005年苹果推出内建NAND Flash的iPod nano时，容量有1、2、4GB三种，2007年9月第三代iPod nano推出时其储存容量推升至4和8GB，而当时第一代iPod nano 4GB的售价是249美元，如今第三代iPod nano 8GB的售价仅199美元。目前iPod家族中使用NAND Flash容量最高的产品已不是iPod nano而是iPod Touch，容量已提升至32GB，其价格499美元比第一代iPod nano售价多出一倍，但储存容量却多了七倍之多。

上述iPod的NAND Flash储存容量和价格的变化都在不到三年的时间内发生，由此我们可清楚地知道NAND Flash制程的往前推进和12吋晶圆厂的兴建对其相关应用的影响性相当地大。如今Toshiba/SanDisk阵营宣布即将量产43奈米的16Gb MLC型芯片和56奈米的16Gb x3型芯片，我们相信往后数年终端市场的消费者将可以相对低廉的价格买到更高储存容量的NAND Flash相关应用，就如同iPod在过去三年所发生的价格和储存容量的变化一样。

二月下旬NAND Flash合约价评述

2月下旬NAND Flash平均合约价大约下跌 0 -5%，主要原因为中国农历年假期刚过完后，目前NAND Flash下游的市场仍处在传统淡季期间，所以需求状况呈现持平，NAND Flash合约价格也呈现微幅下跌的情况。在传统淡季效应影响下，我们预期这种需求持稳及价格大致持平的状况将可能会持续到3月以后。

NAND Flash上周现货价格回顾

最后，DRAMeXchange将2/18和2/25的各容量的NAND Flash颗粒现货收盘价做一比较：1Gb SLC的价位从2.08下滑至2.02美元，跌幅为2.9%；2Gb SLC从2.93微幅下滑至2.9美元，跌幅1%；4Gb SLC从4.87下滑4.75至美元，跌幅2.5%；4Gb MLC从2.23微幅下滑至2.22美元，跌幅0.4%；8Gb SLC从9.77下滑至9.46美元，跌幅为3.2%；8Gb MLC的价格从2.98下滑至2.95美元，跌幅为1%；16Gb SLC价格从20.7下滑至19.73美元，跌幅为4.7%；16Gb MLC的价格从5.46下跌至5.39美元，跌幅1.3%；32Gb MLC从11.54小跌至11.42美元，跌幅1%。