由于接近月底，大部分的DRAM 制造商于上周企图在现货市场上倾销DRAM颗粒以达到当月业绩。感恩节期间，美国现货市场休市。即使如此，部分贸易商仍尽力的找寻客户达成些许交易。DRAM主流颗粒，DDR256Mb 32Mbx8 400MHz，从$2.17下跌至$2.09，跌幅3.7个百分点; DDR 512Mb 则是从$4.47 下跌至$4.28，跌幅4.25个百分点。DDR2 白牌，从$3.18 下跌至$3.10，跌幅2.5个百分点。低容量SDRAM 1Mx16 以及 4Mx16 则是分别维持在$0.92 及 $0.6

销售压力使得某些DRAM制造商采取DDR2 与 NAND Flash 颗粒搭配销售的方式。然而，由于人们相信DRAM的价格将会持续目前下跌的走势，因此，DRAM现货购买的意愿仍旧是愈振乏力。在Hynix 停产DDR 256Mb 32Mx8颗粒后，DDR 512Mb 价格的跌幅于上周高过DDR256Mb。 然而，单颗DDR 512Mb 的价格仍旧高于两颗DDR 256Mb。此外，即使在eTT(UTT)的主要供货商禁止其通路商销售低于1.95美元以下的颗粒，在香港市场仍旧出现1.88美元低价的eTT(UTT) 颗粒。

DRAM现货市场目前仍就难逃景气低迷的命运，然而，部份交易者仍旧希望即将到来的中国新年可以刺激些许买气。

就NAND Flash市场而言，高容量的颗粒承受较大跌幅，8Gb从$53.86 下跌至 $51.12 及 4Gb 从$29.84 下跌至 $28.12，跌幅分别为5.1% 与 5.76%。2Gb 从$15.51 下跌至$15.31, 跌幅1.29%。1Gb 从$8.15下跌至$8.07，跌幅1%。Micron 2Gb,，Hynix 4Gb，Samsung 8Gb为上周最热门的颗粒, 因为在相同容量的产品, 该品牌报价最低，。虽然，Hynix只出货NAND Flash给直属的经销商，然而，仍看见某些量由中国市场出来。由于，月底将会有一批新货送达使得交易商仍旧担心着NAND Flash价格的走势是否会持续的下跌。