上周对DRAM现货市场而言，本来在台湾、中国、香港、韩国等亚洲地区休假效应的影响价，上周二至周四市场交投冷清，多以询价为主。除了中国、香港等地区为了长假备货外，买方多以欧美为主。

然到了十月一日周五，市场却突然热络了起来，交易员的电话响个不停。现货市场当天除了成交量放大之外，价格也向上攀升，亚洲区买家开始追三星、英飞凌、以及未测DRAM颗粒。十月上旬合约价预期将继续上扬，三星原厂256MB DDR 模块报价甚至高达42美元，这样的标竿效应，也是使现货市场热络的因素之一。十月以来现货市场交投继续维持热络，就连平常冷清的礼拜一，也有相当大的成交量，DRAM 现货价格也持续走高。模块厂商在这波行情中扮演主要买方角色之一。

在 Flash 市场方面，先前由于三星转换产品组合至4G 、8G NAND ，导致1G与2G产量减少，加上三星Flash测试端运转不顺，使得1G与2G的Flash价格大涨一阵。这样的效应在上周已经消失，一周以来Flash价格持续下探。1G Flash 现货均价由11.03美元跌至10.6美元。在SDRAM 方面，现货市场大致持平，1Mbx16与4Mbx16均价大致维持在0.7美元与1.6美元附近。

从供需上来看，目前DRAM的供需状况趋于吃紧，市场上供货跟不太上需求的脚步。从需求方面来看，龙头主机板厂商，如华硕，本月出货量持续增加；另外模块厂商不断在市场上买货，买货主要目的是要交模块给 PC OEM ，比较不是单纯拉高本身存货。由这些现象可已得知，市场对DRAM 实质需求确实在增加。从供给方面来看，测试端对于0.11微米DRAM颗粒测试的经验似乎不如0.13 、0.14 微米导致测试时间拉长，造成目前DRAM生产的延误，加上供货商控制流量的情况在现货市场经常出现，供给方面短期内仍将吃紧。综合以上情形，DRAM现货价格将持续盘坚，近期指标颗粒256Mb DDR 400MHz将很有可能出现五美元价位。

*Jeff Chen, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange

本周DRAM现货价格-2004/9/27~2004/10/05