上周DRAM现货市场交易维持清淡, 价格小幅下跌1% to 1.5%.. 主流颗粒DDR 32Mbx8 400MHz由$2.22美元下跌至 $2.19 美元. 同样256Mb的eTT颗粒则从$1.96 小跌至$1.94. DDR 512Mb 64Mx8下跌较大, 约3%, 由$4.69 to $4.55 DDR2 NMB 非品牌颗粒则由$3.23 跌至 $3.22. DDR2 在现货市场交易, 仍属少量, 与主流DDR相比, 仅5%不到.

大多数市场人士相信DRAM价格仍维持下跌趋势, 以致市场买气继续萎缩,而且十一月是美光的季报最后一个月, 下周又是本月最后一周, 市场悲观地认为卖压会持续涌现而拉低DRAM现货价.

DRAM 十一月下旬合约价持续下探

虽然DRAM厂力守DDR2价格, 直至上周五仍不愿松口, 放大降幅. 但在部份计算机系统大厂不放弃其目标价, 将价格谈判时间延长至本周,而成功地将价格下砍5%-6%, 超过DRAM厂原先坚守的2%-3%.但DDR2 512MB与DDR512MB的价差由十一月上旬的3.5美元, 缩少至3美元.

在DRAM厂调降DDR2的产出, 转移至DDR后, 预计DDR2 512MB与DDR512MB的价差将进一步缩少, 但价格下跌趋势已然确立. 在十二月及明年第一, 第二季需求急速下降下, DRAM厂必须进一步降低其成本, 以确保获利. 第三季, 台湾DRAM厂, 南科, 力晶及茂德分别有21.18%, 21.5% and 17.5%的毛利率. 但第三季的DRAM 主流颗粒DDR 32Mbx8 400MHz现货均价为$2.6, 合约均价为$2.64. 若第四季DRAM 主流颗粒DDR 32Mbx8 400MHz均价跌至2.2美元, DRAM厂成本继续下降10%, 则台湾DRAM厂最高可维持10%-15%的毛利.

NAND Flash 上周现货价不同容量, 涨跌互见. 因海尼士只提供4Gb给直接客户, 4Gb为市场最热门商品,而有些交易商试着降低1Gb的价格以刺激市场买气. 整体来说, 8Gb价格由US$54.36 降至US$53.88 , 2Gb/4Gb 则小幅上扬至US$29.94, 及US$15.37. 1Gb 由US$8.2 降至US$8.12 .