samsung闪存芯片参数详解

64M闪存：

K9F6408Q0C 8Mx8构成，超低电压型，48脚TBGA封装，0.15微米制成。

K9F6408U0B 8Mx8构成，功耗2.7V~3.6V，44脚TSOP封装，0.22微米制成。（已淘汰）

K9F6408U0C 8Mx8构成，功耗2.7V~3.6V，44脚TSOP封装，0.15微米制成。

128M闪存：

K9F2808Q0B 16Mx8构成， 超低电压型，63脚TBGA封装，0.15微米制成。

K9F2808U0B 16Mx8构成， 2.7V~3.6V， 48脚TSOP封装,63脚TBGA封装,48脚WSOP封装 0.15微米制成。

K9F2808U0C 32Mx4构成， 2.7V~3.6V， 48脚TSOP封装,63脚TBGA封装,48脚WSOP封装 0.12微米制成。

K9F2816U0C 16Mx8构成， 2.7V~3.6V， 48脚TSOP封装,63脚TBGA封装,48脚WSOP封装 0.12微米制成。

256M闪存：

K9F5608U0A 32Mx8构成， 2.7V~3.6V， 48脚TSOP封装， 0.18微米制成。 （已淘汰）

K9F5608U0B 32Mx8构成， 2.7V~3.6V， 48脚TSOP封装,63脚TBGA封装,48脚WSOP封装 0.15微米制成。

K9F5608U0C 32Mx8构成， 2.7V~3.6V， 48脚TSOP封装,63脚TBGA封装,48脚WSOP封装 0.12微米制成。

K9F5616U0B 16Mx16构成， 2.7V~3.6V， 48脚TSOP封装,63脚TBGA封装,48脚WSOP封装 0.15微米制成。