闪存芯片之SLC与MLC

闪存卡一般采用两种不同类型的NAND闪存:

1.SLC全称为Single-Level Cell

2.MLC全称为Multi-Level Cell

SLC（Single Level Cell），采用单层单元技术。由韩系厂商三星推出，主要采用0.9微米制造工艺，在存取速度上SLC芯片可以达到10MB/S，而MLC芯片则只有2.5MB/S。这意味着，SLC芯片在载入速度以及数据传输速度上有着更大的优势，而在能耗上SLC也要低于MLC。此外，由于SLC芯片可以保证十万次左右的稳定存取，因此它有着更长久的使用寿命。

MLC（Multi Level Cell），采用多层单元技术。以日系厂商东芝为代表，主要采用0.13微米的制造工艺，MLC读写速度较慢、能耗也比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多20%左右的电流消耗，因此使用寿命较短，一般稳定存取次数在一万次左右。在价格上，MLC型闪存芯片的成本更低。

SLC和MLC对比：

1.读写速度较慢。相对主流SLC芯片，MLC芯片目前技术条件下，理论速度只能达到2MB左右，因此对于速度要求较高的应用会有一些问题。

2.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。

3.MLC理论写入次数上限相对较少，因此在相同使用情况下，使用寿命比较SLC短。

现在市面上低价闪存卡所采用的芯片基本全是MLC，只有少数快速卡用SLC。现在购买SLC芯片的闪存卡，尽管在价钱上有十几到几十元的价差，但是其优异的性能和可靠的使用寿命是前者无法比拟的。