DDR3和DDR2的核心特性比较

DDR3和DDR2的核心特性比较

                  DDR3 DRAM        DDR2 DRAM
芯片封装        FBGA                FBGA
Pin脚数目     96ball x16        78ball x4、x8
                       78ball x16        60ball x4、x8

工作电压        1.5V                  1.8V
组织          512Mb - 8Gb       256Mb - 4Gb
内部bank数量 8 (512Mb、1Gb、2Gb、4Gb、8Gb)  4 (256Mb、512Mb)   8 (1Gb、2Gb、4Gb)
预读取           8bit                    4bit
突发长度        BL4、BL8        BL4、BL8
突发类型        Fixed、MRS或OTF        Fixed、LMR
附加延迟(AL)        0、CL-1、CL-2        0、1、2、3、4
读取延迟(RL)    AL+CL(CL=5、6、7、8、9、10)        AL+CL(CL=3、4、5、6)
写入延迟(CWD)   AL+CWL (CWL=5、6、7、8)        RL-1
频率范围         200MHz- 800MHz        133MHz - 400MHz
模组频率范围(DDR)  DDR3-800、DDR3-1066、DDR3-1333、DDR3-1600        DDR3-533、DDR3-667、DDR3-800
模组类型   DIMM、SO-DIMM、Micro-DIMM、FB-DIMM2        DIMM、SO-DIMM、Micro-DIMM、FB-DIMM