什么是内存延迟？

内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。但也并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。

CAS延时，有时也称为CL或CAS，是RAM必须等待直到它可以再次读取或写入的最小时钟数。很明显，这个数字越低越好。 

tRCD是内存中特殊行上的数据被读取/写入之前的延迟。这个数字也是越低越好。 

tRP主要是行预充电的时间。tRP是系统在向一行写入数据之后，在另一行被激活之前的等待时间。越低越好。 

tRAS是行被激活的最小时间。所以基本上tRAS是指行多少时间之内必须被开启。这个数字随着RAM设置，变化相当多。 

从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。所以对系统要求高和喜欢超频的用户通常喜欢购买CL值较低的内存。目前各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高DDR的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低CAS延迟时间来提高内存性能。

不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。