双倍数据传输速率同步动态随机存取内存

双倍数据传输速率同步动态随机存取内存，即DDR SDRAM (Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为具有双倍数据传输率之SDRAM，其数据传输速度为系统频率之两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。

DDR是一种继SDRAM后产生的 内存技术，DDR，英文原意为“Double Data Rate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”。

这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作（读或写），而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。

DDR SDRAM模块部份与SDRAM模块相比，改为采用184针(pin)，4～6 层印刷电路板，电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与SDRAM模块相同。DDR SDRAM模块一共有184个接脚，且只有一个缺槽，与SDRAM的模块并不兼容。 DDR SDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的，例如PC100与PC133。而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则，例如PC1600以及PC2100，单位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其实与 PC1600 是相同的规格，数据传输量为 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes/s)，而 DDR266与PC2100 也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8＝2128MBytes/s)。

DDR SDRAM 在规格上按信号延迟时间(CL；CAS Latency，CL是指内存在收到讯号后，要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好，不过这还要看内存颗粒的原始设定值，否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会（JEDEC）的定义(规格书编号为JESD79)：DDR SDRAM一共有两种CAS延迟，分为2ns以及2.5ns(ns为十亿分之一秒)。较快的 CL= 2 加上 PC 2100 规格的 DDR SDRAM称作 DDR 266A，而较慢的 CL= 2.5 加上PC 2100规格的DDR SDRAM 则称作 DDR 266B。另外，较慢的 PC1600 DDR SDRAM 在这方面则是没有特别的编号。