ReRAM的概述

ReRAM（Resistance Random Access Memory的缩写），称为可变电阻式存储器，是一种是关掉电源数据资料仍能被记住的存储器，能将DRAM及NAND Flash的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，具有速度快、记忆能力强、功耗少、占用空间少的特点，多运用于智能手机、平板电脑、个人电脑等。

未来，ReRAM也许能一举替代内闪存和硬盘。日前Panasonic已研发出一款资料写入速度比NAND flash 快20倍的ReRAM。基于忆阻器原理，致力于商业化ReRAM的企业还包括惠普、尔必达、索尼、松下、美光、海力士等。