对于内存而言，并不是只要采用同样型号的颗粒，内存的性能指标就会相同。因为即便对同一型号的内存颗粒而言，也有等级之分，不同等级的颗粒，其性能也会有所区别，同时，更重要的，内存生产厂商的设计能力与生产工艺也会在很大程度上影响内存的性能与指标。DDR2时代，三星全面进入到GC和ZC(G为FBGA封装方式，Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。
CSP(Chip Scale Package)，是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
Flash Memory的标准物理结构，称之为基本位(cell)；一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。
微信公众平台