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【集成电路】大硅片界人人都在说的COP究竟是什么?

来源:中欣晶圆       

COP(crystal originated particle)是存在于晶圆片的空洞,在经过氧化溶液SC1(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)的处理后,可出现小的蚀刻坑洞。而这种晶圆片在经由光线散射仪器所量测出来的微粒(particle),一般称之为LPD(light point defect)。

最早期,LPD一直被认为是晶圆片加工过程所引进的污染微粒,直到1990年才发现大部分的LPD是由长晶过程所产生的空洞,因此被称之为COP。COP的大小一般在100到200nm之间。

利用AFM所观察到经过SC1处理后的攀生状COP:

俯视图

3D视图

另外,观察发现晶圆片重复在SC1溶液中清洗后,COP的大小与数目会显著的增加。这是因为原来出现在晶圆片表面的COP,不会因为重复清洗而消失,而位于次表面的空洞却会因重复清洗,而出现在表面成为新的COP。