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【存储器】鳍式场效晶体管(FinFET)简介

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鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管,FinFET命名是根据晶体管的形状与鱼鳍非常相似。

FinFET源自于传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-Effect Transistor;FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中,控制电流通过的闸门,只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开,属于平面的架构。在FinFET的架构中,闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构,可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage),也可以大幅缩短晶体管的闸长。

FinFET具有功耗低,面积小的优点,2011年初英特尔就推出商业化的22纳米的FinFET,2015年初台积电16纳米的FinFET已进入量产,三星也宣布14纳米的FinFET已正式量产,2016年或将是各厂商决胜10纳米的关键点时间点。