eTT(UTT)的价格从$1.93,反弹12个百分点, 以$2.18收盘。

*By Joyce Yang, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

上周，eTT(UTT)的价格主导了现货市场的买盘，成交价从四月二十九日$1.91~$1.93一路飙涨了将近13个百分点，四月二十五日在亚洲晚盘以$2.15~$2.18收盘。同时期，DRAM主流颗粒DDR 256Mb 32Mx8 400/333/266 MHz的价格仅小幅上扬从$2.34, $2.30,$2.39，上涨1.74, 2.1及0.4 个百分点，以$2.39, $2,34 及$2.40收盘。

强劲的需求主要来自中国市场，中国台湾及中国香港主要模块厂商及通路马上紧接跟进,根据通路消息, 据说有某主要模块厂商大举购买eTT颗粒, 可能在短期内会导致eTT的供给吃紧，因此而提升了整体购买eTT的买气。

DDR的价格将会在短期之内反弹?

即使四月上旬DRAM的合约价仍是下跌的趋势，我们仍观察到许多市场上的人士对DRAM DDR 256Mb合约及现货价格未来的走势转为乐观，原因如下:

第一、如果DRAM的价格持续下跌，将会有更多的产能被移转到生产NAND Flash。消息指出，三星及Hynix已有计划要将产能移转到NAND Flash。而产能分配的时间表以及生产量的分配将随着市场上的情况而做调整。 第二、随着DDR2与DDR的价差已经下跌到五个百分点，很快的这样的价差会趋近于零，DDR2将很快地取代DDR而成为新一代的主流。第一季，DDR2产出只占整体DRAM的产出的20%~25%，预期在第二季DDR2的比重将会增加到四十个百分点。因为大量转换至DDR2及高容量颗粒, 初期,DDR2良率偏低及后段产能不足将使DRAM的位供给成长将受限制, 第三、我们相信DRAM DDR的下跌空间有限且为了提升每台个人计算机内存的搭载量，部分计算机系统大厂将会提高进货量，对未来的返校需求作准备。一般而言, 预备旺季的到来，计算机系统大厂会在第二季季底提升库存水位，从最少的二周提升到四周或是最高的六周。然而，提升库存水位的时间点将会随着DRAM价格的行情以及预期的需求而做变动。

NAND Flash市场的最新讯息

就NAND Flash而言，主流颗粒，的价格呈现微幅下跌的走势。四月十九日NAND Flash 1Gb/2Gb/4Gb及8Gb的价格为$59.32, $32.05, $18.9及$8.57，而在四月二十五的晚盘分别以$59.23, $31.8, $18.9及$8.46收盘。最近，我们可以看出由于供给吃紧，以及需求迟缓使得现货市场的交易量变得很有限。