近期eTT 会价格回升!

*By Judy Chen, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

DRAM现货价格因中国长假效应与月底做帐效应的相互抵销而维持不变

上星期碰巧是中国长假前一周与月底, 两者对于价格产生的一增一减的作用使得最终的价格维持不变. DRAM的主要颗粒价格如下, DDRII 256Mb 32Mbx8 533MHz以及 512Mb 64Mbx8 533MHz的价格分别是USD3.66及USD6.04; DDR 256Mb 32Mbx8 400MHz 以及 333MHz 的价格分别是USD2.39及 USD2.36.

eTT是上星期现货市场主要需求的颗粒.需求不仅来自大陆亦有美国的需求出现, 越来越多的需求使得eTT现货价格上下起伏变动剧烈. 价格曾高达USD2.22亦跌到USD2.05之后又回升到USD2.2. 现今的价格已接近原厂的成本,已有原厂表示不愿将价格下降到低于USD2出售,因此我们认为近期会看到eTT的价格回升.

SDRAM现货需求依然不好

上周的需求依然是高容量的颗粒如 256Mb 16Mbx16 133MHz与128Mb 8Mbx16 133MHz, 价格分别是USD3.65 与 USD2.07. 然而, 低容量的SDRAM现货需求依然不好因为大多数的需求已经在合约市场被满足使得现货价又较上周下跌了一些.

需求已从高容量的NAND Flash转到低容量

NAND Flash来自MP3P与记忆卡的需求以不如今年第一季强烈. 那时的MP3P热潮是因为iPod Shuffle的出现进而将NAND Flash的供需平衡打乱, 除此之外亦将主流容量提升. 之后, 我们就发现其它品牌如Creative使用降价来维持市占率. 至于记忆卡的需求, 我们认为是来自去年圣诞假期之后所产生的零售售后市场. 然而,现在的NAND Flash需求已转移到以64MB(512Mb)为主的手机市场, 此转变使得总NAND Flash的使用量剧降.

上周的现货价格是呈现高容量的颗粒(4Gb and 8Gb)价格跌; 1Gb与 2Gb的价格持平; 低容量的512Mb价格则涨. 512Mb的颗粒于上星期依然是最热门的, 现货价格上涨4%到USD5.44. 强劲的需求来自手机内键或赠送的记忆卡. 因为现在512Mb的供给有限使得现货价格上涨, 此涨势将持续到供给增加为止. 目前看来下个月某家韩国厂商会有以90nm 的制程512Mb样品, 等到量产后512Mb的供需将会再度平衡.