需求愈振乏力，DDR 256Mb 现货价在低价徘徊

By Joyce Yang, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange

7/15 至8/5之间，主流颗粒DDR 256Mb 400/333MHz 的价格在US$2.68至$2.73的狭幅区间震荡。但，从8/6开始，价格开始有缓慢下滑的趋势。而8/8至8/15，400MHz自US$2.70下跌至US$2.61，跌幅3.3%。而333MHz 则是自US$2.71下跌至US$2.63，跌幅3%。

eTT(UTT)的价格亦饱受价格下跌之苦，256Mb eTT的现货价格自US$2.56下跌至US$2.50。疲软的需求，使得通路商的报价因此下滑。然而，我们发现，价格下滑并没有因此而刺激实质的交易，由于，买家认为价格将在短期内回升，因此不愿以低价释出手中的现货，市场上的交易量十分有限。

八月下旬合约价呈现微跌走势

虽然DRAM 制造商企图提高报价，PC OEMs 仍旧以八月上旬的合约价为议价基准。我们观察到，相较上次的合约价，PC OEMs所愿意接受八月下旬的价格，不得多出0.5美元的区间或者顶多接受持平的价格，这样的价格着实令DRAM制造商大失所望。

DRAMeXchange 预期，受到欧洲市场的需求及传统旺季即将到来的影响，无论合约价及现货价将在九月恢复上涨的价格走势。

By Judy Chen, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange

本周NAND Flash 现货价格小跌2至4个百分点

上周，8/9至8/16 现货市场NAND Flash的交易情况显得清淡许多。虽然，来自OEM 端对MP3P及手基的需求仍旧十分强劲，但现货市场的需求却显得十分疲软。一些贸易商及通路商对于未来走势的心态由乐观转为怀疑，在此不确定的情况下，部分业者开始在现货市场上抛货。

NAND Flash1G/2G/4G/8G8/15的现货价分别以US$7.08/US$13.22/US$23.45/US$45收盘，跌幅2至4个百分点。

八月NAND Flash 的合约价仍旧处于下跌的走势

由于NAND Flash 的供给竞争激烈，使得主要的供货商不停的压低高容量颗粒的价格以增加新进入的厂商压力。这样的举动，会刺激市场对高容量NAND Flash的需求增加，对于晚进入的厂商而言，由于制程及良率的问题使得他们承受了毛利不断被挤压的压力。八月的状况亦然，因此我们相信，即使在近来NAND Flash的缺货压力下，合约价仍就会微幅的向下调整。以16Gb的合约价降幅最大。我们估计，16Gb八月的合约价将会从七月的US$100下跌10个百分点。NAND Flash的主流颗粒会因为容量增大及制程演进而使成本降低使由2Gb移往4Gb。

在此，我们以16Gb为例子来计算每MB的单位成本，来更近一步解释供给端及需求端为何不段的移往高容量的颗粒的原因。以我们上述所提16Gb本月合约价格来算，每MB的单位成本为US$0.04 比2Gb的每MB单位成本US$0.05还要来得低。在低单位成本的驱动下，需求端的制造商纷纷的将产品移往更高容量的NAND Flash且增加整体MB的搭载率。同时，终端的消费者将会有更多价格上的诱因购买高容量的产品。

八月最新的合约价于8/17公布于DRAMeXchange的网站