圣诞假期前夕通路商备货意愿不高，现货市场价格明显下跌；浅谈Vista ReadyBoost 在NAND Flash上的应用

圣诞假期前夕通路商备货意愿不高，现货市场价格明显下跌

现货市场因厂商观望下，DRAM价格走势下跌，DXI指数由4644下跌至4633。合约市场部分，部分PC OEM厂因终端需求销售状况超出预期，使得12月下旬合约价格以持平开出。

现货市场方面，上周由于适逢圣诞节假期前夕，因此下游厂商补货意愿不高。而大陆与香港市场也面临同样状况，假期前厂商不愿意多备库存，整体市场交易量清淡，通路商多采观望态度，使得上周价格有较明显的跌幅。DDR2 512Mb 667MHz价格下跌至6.45美元，而DDR2 eTT价格则下跌至5.4美元。而连日来价格下跌，也刺激了一些买气，DDR2 eTT价格下跌至5.5美元之后便有些许买盘出笼。仍有部份厂商仍看好明年第一季VISTA带动的升级需求。

至于合约市场部分，DDR2 12月下旬合约价以持平开出，DDR2 512MB 667MHz大部分成交价格在50元之上。主要原因在于NB的终端市场销售状况较厂商预期热络，因此12月下旬已经开始准备明年第一季要铺货到通路端的机种，使得12月下旬DRAM合约市场需求获得支撑。至于DDR部分，由于内存主流规格改变，使得需求消失，DDR512MB 400MHz价格持续大幅度修正至43美元以下。

虽然现货市场价格连日下跌，市场仍普遍期待明年第一季的VISTA换机需求，使得低档还是有买盘承接。然而家用版VISTA于2007年一月底才推出，推估现货市场的升级需求也必须要延迟至第二季左右才会浮现，因此现货市场需求将面临几个月的空窗期。但是合约市场需求却因PC OEM厂趁淡季期间准备库存而获得支撑，因此预估缓步下跌的合约价格将减少现货价格的下跌幅度。

而美光也在上周公布会计年度2007年第一季财报/(9月至11月)，营收较上一季度成长15%，而税后获利192M USD较上一季64M USD大幅度成长3倍。获利大幅成长原因拜今年下半年DRAM价格大幅上涨使得毛利率达到31%水平。而台系DRAM厂由于产品线仅只有DRAM产品，使得第四季毛利率也达50%的高获利水平，为历年难得一见的好光景。对于许多DRAM厂而言，由于90nm制程的DDR2成本仅2.5美元以下，因此尽管2007年上半年价格有下滑压力，但随着DRAM成本缓慢下滑，2007年DRAM厂仍能维持不错的获利水平。

浅谈Vista ReadyBoost 在NAND Flash上的应用

微软Vista商用版已于2006年11月底上市，家用版也预定于2007年1月底上市，其中有一项ReadyBoost的功能，是在计算机开机完成后的运作中，以 NAND Flash做为辅助快取(cache)内存的功能，来做为储存常用程序的预存区，以减少对硬盘的存取需求，进而达到提升计算机的运算效能及省电的效果。原则上像UFD (USB Flash drives)、memory cards、SSD (solid state disks)、Hybrid HDD、 Robson module及MP3等具有NAND Flash的储存组件，都可做为ReadyBoost的应用领域，但预期ReadyBoost初期的应用将会以高速UFD及高速记忆卡为主。

ReadyBoost 主要由 Vista中的SuperFetch & EMD (External memory device)两个功能来执行，SuperFetch使用智能型优先权排定技术，可以知道使用者最常使用的应用程序，并将这些程序预先加载到内存中，因此不论是第一次启动计算机或切换到其它使用者设定文件，系统响应速度都会很快；EMD则可以利用UFD或记忆卡的部份闪存空间，做为系统的虚拟内存，该虚拟内存的使用频率，并没有系统主存储器那么高，但其存取速度比硬盘要快得多，计算机可以用比存取硬盘机上数据更快的方式，来从 EMD 的虚拟内存中存取数据，因此可在不加装主存储器的情况下协助提高系统效能。

此外，用户在移除UFD或记忆卡时，EMD会将自动将虚拟内存中的储存数据转存到硬盘，因此在从ReadyBoost中获得性能的同时，不会丢失数据或出现作业中断的情况，同时Vista 也采用独特的算法来最佳化 UFD或记忆卡，因此EMD不会明显缩短UFD或记忆卡的使用寿命，EMD 也会将要储存在UFD或记忆卡虚拟内存内的数据，预先经过加密与压缩处理，以避免装置移除时遭受未经授权的存取，并增加UFD或记忆卡的可储存空间。

因为CPU & memory ICs等电子组件的存取时间(ns或us级)皆远比机械式的HDD所需的存取时间(ms级)短，PC相关业者在这方面已提出了许多提升系统运作效率的改善方案，因此微软Vista对搭配ReadyBoost的硬件数据传输速度上，也做出了一定的要求，像UFD需采用USB 2.0 (传输速度: 480M bps)规格，高速UFD或高速记忆卡的数据存取速度最少也需要达到: read speed (4KB block): 5MB/s 及 write speed (512KB block): 3MB/s以上，所以初期业者会先采用具有读写速度优势的SLC NAND Flash，来做为ReadyBoost 的应用产品，预期未来在Flash controller业者的支持下，MLC NAND Flash也将会应用在ReadyBoost产品上，其次在采用NAND Flash做为辅助高速缓存的功能上， ReadyBoost 可选取UFD或记忆卡中230MB-4GB的容量来做为虚拟内存区，其它未占用的内存区块，仍可做为原先一般的档案存取功能，因此所需的UFD或记忆卡容量，至少也要在512MB以上比较合适。

业者对采用具有ReadyBoost 功能的UFD在Vista上的测试结果显示，系统加速效能约可提升30%以上，当使用的应用软件的复杂度越高时，ReadyBoost性能的提升效果也会越明显，一般而言，若系统的random存取要有明显的加速提升效果，DRAM & NAND Flash的配置比例至少要达1:1至1:2，也就是Vista若需采用1至2GB的DRAM，则至少需搭配1至4GB的NAND Flash，因此当采用的UFD速度越快容量越大时，ReadyBoost的加速效果也会越好(请参考Figure 2)当然这也将有助于加速推动2GB & 4GB，成为UFD 及记忆卡在2007年的主流容量。此外，未来计算机用户若要应用ReadyBoost的功能，其搭配的USB 2.0 UFD 或高速记忆卡，均需获得微软的认证(如Chart 2)，且在选购时，建议以有标示ReadyBoost logo的产品为优先(如Chart 1)。

目前NB PC的HDD转速多在4200 RPM & 5400 RPM，相对于DT PC的HDD转速多在5400 RPM & 7200 RPM之下，因为NB HDD马达转速较慢的因素，必须花费更多的程序或数据的加载时间， 因此更无法充分发挥CPU的性能，此外，NB PC在增加内存上有一些先天的限制条件如：内存的成本考虑、插槽有限、安装困难以及自组拆机升级可能失去保修服务等，再者，通常计算机一般的应用多数是以存取小型档案为主如：文书处理或上网等，属于使用少量常用程序但档案较多的random存取应用，因此具有ReadyBoost功能的高速UFD或高速记忆卡，初期可能在NB PC的应用领域会比较多，预期自1Q07起随着Vista普及率及ReadyBoost应用产品的领域增加，将有助于带动NAND Flash 相关需求的增加。

最后，DRAMeXchange将上周二和本周一的收盘价做一整理，除了1Gb容量的现货价格有往上涨外，其余容量的价格仍向下修正中。1Gb从2.54上涨至2.57美元，涨幅为1.2%；2Gb从4.03下滑至3.75美元，跌幅6.9%；4Gb从6.52下滑到6.27美元，跌幅3.8%；8Gb从10.48下跌至10.02美元，跌幅为4.4%；16Gb从20.86下跌至19.95美元，跌幅4.4%。