2009年1月止全球DRAM厂减产已逾22%；现货颗粒价格站上1美元关卡、合约价酝酿反弹契机；从CES 展望2009年消费性电子市场趋势；1月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见

2009年1月止全球DRAM厂减产已逾22%；现货颗粒价格站上1美元关卡、合约价酝酿反弹契机

随着DRAM颗粒价格自2007年开始滑落至今，DRAM颗粒价格已经面临到将近连续七季的亏损，全球DRAM厂在2007年及2008年合计约100亿美金，其中台系厂约占42亿美元，分析其主要的原因，当时DRAM厂普遍对市场的内存需求呈现过度乐观的看法，在2006年间大举兴建12吋DRAM厂，产能于2007年开始陆续开出，造成供过于求导致价格急速下跌至今，根据集邦科技统计，自2007年第一季至2008年第三季为止，全球12吋DRAM厂成长近56%，即使期间八吋厂亦去化了57%左右，但整体平均产能仍成长了21%。从另一角度来分析，随着DRAM颗粒价格直线崩落与PC OEM的VISTA搭机比例升高，纵使PC OEM厂在2008年第二季大举将平均内存需求拉至2GB之上，力图扩增PC中内存的搭载容量，但仍赶不上DRAM厂间的扩厂速度，随着去年下半年景气急转直下，金融风暴终成为压死DRAM厂的最后一根稻草。所以全球DRAM厂自去年九月展开减产的动作，根据集邦科技统计去年九月至今年一月间的最新的投片量，全球减产已逾22%，其中以中国台湾减产幅度最高达55%，显见DRAM厂自九月宣布减产后每月仍不断持续减少投片量已超过当初对外所宣称的比例，加上实行有限度的出货策略，自十二月份起已出现价格反弹的讯号，首先现货市场DDR2 1Gb eTT颗粒价格自12月中大举反弹至今逾75%，合约价亦自一月上旬止跌回稳，待PC OEM需求归队，反弹之路指日可待。

现货市场方面DDR2 1G eTT颗粒价格自11月中跌破1美元之后，价格一路下滑至最低0.59美元，后因减产效应与实施有限度出货，价格自12月中开始上涨，并于1月7日正式再度站上1美元颗粒单价。上周(1/6-1/12)DDR2 1Gb eTT从0.92美元上涨至1.01美元，涨幅约10%，DDR2 667Mhz 1Gb亦从0.78美元上涨至0.85美元，涨幅约9%。由市场面来观察，随着减产效应浮现与母厂实施控货，随着中国新年将近，之前热络的交易也将随之年节封关暂时告一段落，并静待年后现货市场后续的发展。

而在合约市场方面，一月上旬的合约价终于呈现持平的走势，DDR2 667Mhz 1GB与2GB平均价格落在8与16美元，终止了自去年七月以来价格下滑近64%的跌势，由市场面来观察，随着中国新年将近，欧美市场必有补货的需求加上DRAM原厂方面有意将颗粒价格拉至1美元之上，将会控制整体市场的出货数量，更增添一月下旬的合约价反弹的契机。

从CES 展望2009年消费性电子市场趋势；1月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见

CEA（The Consumer Electronics Associations）于日前公布，根据CEA内部统计资料指出，受到经济疲弱的影响，2008年12月美国消费者信心指数持续呈现下滑，显示采购旺季效应降低。CEA-CNET指数也显示出，由于受到全美失业率骤增的影响，消费者倾向降低购买消费性电子产品的支出与相关科技产品的支出，2008年第四季消费性电子产品的销售未如过去几年呈现大幅成长的趋势。CEA预估美国2008年消费性电子产品市场出货产值达1,720亿美元，较2007年成长5.4%，预估2009年美国消费性电子产品出货产值仍将达到1,710亿美元，较2008年小幅下跌0.6%，CEA指出2008年全球消费性电子产品的销售金额为6,940亿美元，2009年仍可望小幅成长至7,240亿美元。

以NAND Flash相关应用市场来看，DRAMeXchange估计2008年全球手机市场销售数量为12亿2千8百万支，2009年可望成长至11亿零6千2百万支，主要成长动力来自于新兴市场如中国、中东与亚洲其它发展中国家；NB PC于2008年全球销售量为1亿1千8百46万台，2009年预估为1亿1千6百42万台，仍以新兴市场为主要销售区域。

展望2009年的市场概况，我们归纳2009年全球消费性电子产品市场，有几项值得注意的发展趋势：首先，成长动力来源逐渐由已开发经济体转向新兴开发中市场，尤其仰赖具有众多年轻消费族群的金砖四国；消费性电子产品的传播与应用速度也较过去更为迅速；伴随全球因特网使用人口的快速成长，使各项内建型网络应用产品快速兴起，数字内容的发展成为另一项值得注意的市场，涵盖音乐、影片、定位服务、信息提供与通讯等；在销售通路上，消费者获得信息的来源更为多元，使通路商面临更多的挑战；而绿色产品也逐渐获得全球消费者的认同。

1月上旬NAND Flash合约价简评

1月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见的情况，其中8Gb MLC及16Gb MLC合约均价持续强劲反弹约19%左右，SLC合约价则大多呈现下跌的情况，主要原因为8Gb MLC & 16Gb MLC自2007年8月中旬到2008年12月中旬累计跌幅已接近90%，因此近期NAND Flash供货商已将获利性较差的8Gb MLC及16Gb MLC的生产比重调降，所以自12月下旬以来出现了跌深反弹的情况，其中4Q08及1Q09各厂商宣示将陆续淘汰8Gb MLC的生产主力200mm晶圆厂约19% QoQ的产量，对8Gb MLC的反弹产生了激励作用，而16Gb MLC的生产主力300mm晶圆厂，也在Toshiba & SanDisk阵营宣示1月起将减产30% MoM 的消息下，获得了反弹的推力，由于一些下游客户的库存水位在1月初多已降到2-3周的正常水平，虽然1Q09仍处在淡季供过于求的状况，预期减产效应配合中国农历年前的客户补货需求，短期将有助于部份NAND Flash价格止稳或反弹。

展望1Q09的NAND Flash市场，虽然NAND Flash供货商在11月份市场需求急冻后，在12月份宣布一些减产及岁修的计划来因应淡季需求将持续弱化的可能冲击，我们预期NAND Flash市场在供给及需求同时减少的情况下，1Q09供过于求的缺口将为7.9%，虽然近期厂商的减产措施有助于改善先前疲弱的市场信心，使得价格得以止跌回稳，但有鉴于近期一些电子厂商陆续发布4Q08业绩不如预期及1Q09业绩将因淡季效应而更加弱化的预警，因此预期随着1月后的传统淡季来临，在市场需求转弱的情况下，届时NAND Flash价格也可能因此而回软。