集邦科技表示，2009年DRAM市场位成长率下修至2.43%；NAND Flash：近期主流颗粒16Gb MLC现货价格走势依然坚挺

集邦科技表示，2009年DRAM市场位成长率下修至2.43%

全球DRAM产业历经了长达两年的景气寒冬，大部分的DRAM厂面临了现金吃紧与短期负债偿还的问题，在现金压力之下，集邦科技预估由于部份DRAM厂商直到年底产能率用率都将维持低于50%，因此2009年的位成长率将仅只有2.43%，比起2008年的66%甚至2007的95%都呈现大幅度的缩减。

集邦科技调降2009的位成长率从先前的17.82%调降至目前的2.43%最主要的原因是因为部份DRAM厂商因为颗粒价格持下滑及手上资金的压力，将持续减产以保持现金水位也导致产能运用率低，也将大幅降低今年位成长率。

而在DRAM需求方面，集邦科技亦调降位成长率从先前的19.82%下修至13.84%，主因是PC出货量今年将呈负成长及内存搭载量仅微幅成长，集邦科技认为供给端的位成长率降至2.43%，若加上库存水位可以进一步下降的话，预期下半年将有机会带动DDR2的颗粒价格上扬至1.2-1.5美元间。

根据集邦科技的调查，二月份的DRAM颗粒出货量约在6.87亿颗（1Gb约当量），比起去年九月份时高峰的8.67亿颗（1Gb约当量）下修达21%，由于部份DRAM厂商已在今年一月至三月做出更大幅度的减产，预估整体DRAM产出将持续下降，也意味今年下半年DRAM市场将有机会步入供需平衡甚至出现颗粒缺货的状况。值得注意的是大部分PC OEM厂商、模块厂乃至于现货的通路商目前至少都有一个月以上的库存水位，因此即使下半年产出低于需求，库存因素将有可能阻碍今年下半年的颗粒价格上涨的走势。

近期主流颗粒16Gb MLC现货价格走势依然坚挺

根据DRAMeXchange市场访查，NAND Flash 制造商在2Q09中都有计划要增加系统厂客户的高容量颗粒的供货比例，以配合NAND Flash终端应用产品客户在3Q09初期的可能出货需求规划，因此对记忆卡及UFD客户的供货比重稍减，也将会对中低容量的颗粒价格形成有利的支撑力道。

在3月份的季底降库存效应过后，制造商仍以持续控制2Q09产出的方式来使价格能够继续的上涨到晶粒的成本以上，由于1H09 供货商的16Gb MLC的生产主力制程是处于5xnm及4xnm交替的时期，因此供货商也希望未来合约价能再逐渐调涨到3.5美元以上，预期在制造商的2Q09产品策略调整及较佳的现货市场氛围下，16Gb MLC价格短期可望维持目前的价格水平。

对下游厂商而言，随着NAND Flash成本的持续攀升，他们也必须渐进的调涨终端产品的售价，以反应平均原料库存成本的上涨，因此记忆卡价格也将随NAND Flash价格上涨逐渐反应其成本的上扬，但1Q09整体市场需求面仍是普通，下游客户还是希望制造商以缓涨的方式，让上下游都能以渐进的方式来调整价格，来降低因content per system的容量升级速率放缓所带来的负面影响，使上下游双方的营运都能获得双赢的益处。

主流16Gb MLC NAND Flash颗粒合约均价在2008年12月中时曾急跌到接近变动成本的1.65美元附近，使得NAND Flash制造商均面临鉅大亏损而被迫加速8吋厂淘汰及12吋厂减产。 根据DRAMeXchange统计，制造商的减产，将使1Q09的NAND Flash晶圆总产出量比4Q08减少约14% QoQ。虽然在第一季消费性产品需求亦大减，但市场在海力士淡出市场，市占率将明显下滑及东芝财务结构变差，三星对市场供应及价格的掌控重要性大幅提升，16Gb MLC合约均价在2009年1月下旬涨到现金成本附近的2.46美元，同时市场传闻三星的新制程42nm良率不佳，致某些产品出货不顺，并有消息指出市场主要合约客户将部分订单移转至三星，使三星得以持续调高合约价，16Gb MLC合约均价在3月下旬已来到3.15美元。