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多空因素影响8月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见
8月上旬主流MLC NAND Flash合约价大致呈现涨跌互见的状况。随着NAND Flash供货商以较先进制程技术4xnm & 3xnm所生产的高容量产品比例逐渐提高后,由于高容量颗粒的成本下降效益逐渐显现,因此一些供货商便小幅地调降约2-5%部份高容量MLC NAND Flash颗粒的合约价来促销淡季的买气。同时以较成熟制程技术生产的低容量颗粒产出比重也会因此而递减,所以一些供货商在8月上旬也小幅地调高约5-7%部份低容量MLC NAND Flash颗粒的合约价。

就需求面而言,一些供货商在3Q09虽已接获手机及MP3系统厂商客户的旺季备货长单,但一些记忆卡及UFD客户在8月初仍处在传统的暑假淡季。虽然市场预期记忆卡及UFD的旺季备货需求也可望自8月底开始逐渐回温,但一些供货商在3Q09仍将会小幅地增加一些晶圆产出量。且8月份以后多数供货商都将逐渐地增加3xnm制程技术的产出量,这也将对高容量颗粒价格未来的上涨驱力形成一项抑制因素。此外9月份市场又将受到季底结帐效应因素的影响,因此3Q供需面的正负面因素将会产生相互抵消的现象。集邦科技预期3Q09 NAND Flash市场将大致处于供需均衡的状况,由于NAND Flash供货商们彼此间客户结构、接单状况以及制程技术进展是有所差异的,因此未来也将会采取不同的定价策略来因应其自身的产销状况,预期NAND Flash合约价格短期内仍将会呈现涨跌互见及部份持平的状况。
