面对DRAM产业的竞争，台系DRAM厂的转型与挑战

面对DRAM产业的竞争，台系DRAM厂的转型与挑战

放眼台系DRAM产业的发展史，以华邦成立时间最早，始于1987年，孕育台系DRAM人才无数，台湾DRAM产业于1994年后快速发展，力晶、茂德与南科相继成立，与日系厂商展开技术合作，华亚科与瑞晶于2003年与2007年以台德及台日合资设厂之模成立, 使台湾DRAM产能于2008年底, 月投片量达53万片，占全球DRAM投片量之35%，成为全球12吋DRAM厂密度最高的国家. 但在2007年至2009年严重的供需失衡下, 台系DRAM厂也承受极大的财务亏损压力.

根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange统计，韩系厂商在今年第二季营收排名的市占率已经高达55.3%，比起2008年第四季金融风暴时期的45.5%相比，成长近10%，而台系DRAM厂也在2010年DRAM景气回升中, 力求加强产业竞争力, 各公司策略布局分析如下:
 

华邦力求转型, 经营非标准型DRAM产品,并自主技术发展

在台系DRAM厂中，华邦正积极退出标准型DRAM生产, 加强NOR Flash、Mobile DRAM、GDDR(绘图用内存)及SDRAM(利基型内存)等四项产品线，在NOR FLASH市场短缺下, 华邦成功调整产品线, 确保生产获利率稳定并持续提升. 同时华邦决定以奇梦达所开发的46nm为基础,自主研发46nm, 于2011年底量产.

尔必达大联盟: 力晶多角化经营, 瑞晶加速45nm制程, 茂德加重代工

在尔必达联台抗韩策略下, 力晶, 瑞晶与茂德与尔必达合作在未来更为密切.除了加速制程转进,为降低单项产品价格波动风险, 力晶的产品线策略，采取标准型DRAM、代工与Flash三者并进的经营模式，并于2010年底导入DRAM 45nm制程, 加上瑞晶三成的产能贡献，产出及营收可望持续成长. 代工也继续以每月三万片至四万片的投片与客户合作并计划明年将65nm制程导入代工生产，Flash方面明年则将有50nm制程1Gb SLC及40nm制程的MLC 16Gb产出.

瑞晶成为尔必达的子公司后，在母公司的策略规划下将成为尔必达的生产标准型DRAM的重镇，预计2010年底可有六台浸润式机台移入，并计划于明年第一季底全数转入45nm制程.

茂德方面，目前中科厂已经恢复至满载六万片(60K)，2010年底, 三万片(30K)的投片是帮尔必达代工63nm制程，加上未来尔必达亦考虑将低容量的Mobile DRAM委外交给茂德，以后茂德将有一半以上的产能以代工性质为主。

南科2011年, DRAM产出居台系DRAM 厂之冠

在台系DRAM厂中, 南科/华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素, 使产出可能大幅成长达150%YoY.南科除了今年将12吋月产能从三万六千片(36K)提升至五万片(50K)，明年上半年可达六万片(60K)，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片. 同时南科/华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm. 预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠,以品牌销售颗料计, 南科明年将成为台湾DRAM厂之冠.