DRAMeXchange: 全球DRAM产业2010年第三季营收成长仅达3.4%

DRAMeXchange: 全球DRAM产业2010年第三季营收成长仅达3.4%

根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第三季营收数字达108亿美元，虽然DRAM 总产出量较第二季约成长15%，但由于第三季合约价跌幅超乎预期，与第二季营收104亿美元做比较，仅微幅成长约3.4%。

由于第三季DRAM合约价受到DRAM产出增加与PC需求旺季不如预期影响，DRAM价格呈现下滑走势，第三季DDR3 2GB合约均价为40美元，较上季的46美元下滑约13%，现货市场DDR3 1Gb eTT颗粒均价则较上季下跌18%至2.27美元，DDR2 1Gb eTT则下跌约16%左右。

由于DRAM价格自第三季开始急速下滑， DRAM厂纷纷对未来资本支出转趋保守，如三星Fab16的建设，将视未来市场状况做调整，台系厂如力晶亦下修资本支出约20%至160亿台币，日台合资的瑞晶R2厂扩厂计划也延后讨论。预估此波DRAM价格下跌,第四季跌幅将增大至30%以上，价格可望在明年第一季或第二季落底， DRAM厂可能在明年上半年资本支出将保守以对。

全球DRAM厂自有品牌内存营收排名

从全球DRAM厂自有品牌内存营收排名来分析，韩系厂商三星营收仍居全球DRAM厂之冠，与第二季相比成长21.9%，营收成长贡献来自DRAM产出增加20%以上, DRAM均价也微幅上扬. DRAM之市占率由2Q10的34.3%大幅成长至40.4%。海力士的DRAM市占率则微幅下跌, 由上季之21.6%下跌至19.8%, 主要因为44nm良率提升不如预期, DRAM产出仅增加2%, 均价下跌9%所致。日系厂商尔必达,第三季营收与第二季相比下降约9.4%，市占率也由18.4%下降至16.1%. 主要在40nm制程上转进仍居初期，产出仅微幅成长。美光本季营收下跌约10%，市占率也下跌，由13.8%下跌至12%. 主要在华亚科制程转换,投片及产出减少,因此美光本季DRAM产出减少12%, DRAM均价也微幅下跌。

台系厂方面，南科第三季营收下滑约5.2%，虽然来自华亚科厂的产出减少, 自有DRAM产出成长率在50nm转进及投片增加下,总销售位本季成长14%, 但DRAM销售价格下跌15%. 市占率由4.5%微幅下降至4.2%.力晶为台系厂表现最佳的厂商，第三季营收为2.75亿美元，与第二季相比上升12.9%，来自63nm制程比例增加及良率提升。华邦虽然第三季营收比第二季下滑2.7%，但由于华邦已经淡出标准型内存市场，较不受此波DRAM价格下探影响，对于后续表现仍可抱持谨慎乐观的态度。(Figure-1)

备注：
Figure-1：三星的第三季营收计算是以法说会所公开的合并报表中内存营收(7.49 Trillion KRW)，并按照DRAM营收占内存部门比重68%做计算及第三季平均汇率( 1美元兑换1170韩圜 ) 所计算出来。以此类推，海力士则是整体营收的77%作为DRAM营收数字的基准点，美光是以整体营收的52%作为DRAM营收数字，力晶的35%、茂德的90%、南科的96%及华邦的63%作为DRAM营收的数字( 1美元兑换31.87台币)，尔必达则是以1 美元兑换85.74日币。

DRAM产业自有品牌各国市占率

以各国市占率版图来分析，韩系厂商合计市占率高达61.2%，美系及日系厂商市占率皆有下滑，各有12.2%及16.3%的市占率，台系DRAM厂方面市占率则微幅下滑至10.3%。 (Figure-2)