东芝跳电意外触发12月上旬主流MLC NAND Flash合约价止跌反弹约3-11%

东芝跳电意外触发12月上旬主流MLC NAND Flash合约价止跌反弹约3-11%

虽然11月底时下游客户的年终假期备货高峰期已过，但一些记忆卡和UFD业者因库存水位已明显下降，故在12月初开始小量的回补库存，使得NAND Flash价格开始出现止跌回稳的迹象。12月8日东芝四日市的NAND Flash厂区发生受电压不稳，导致生产营运受到影响的突发事件后，市场预期1到2月份的NAND Flash供给量将会减少的心理下，下游客户也将提前进场回补库存，使得12月上旬主流MLC NAND Flash合约价格呈现止跌反弹约3-11%，但部份供货商在12月初已先实行季底前促销的行动，故部份产品在12月上旬合约价仍呈现下跌的状况。

据东芝的初步估计，此次跳电意外，虽然对12月的出货影响不大，但将影响到该厂区明年1-2月份的NAND Flash产出量，可能减损出货量最多20%。预计东芝3月将可回复到正常的产出量，若其它供货商未再增加1Q11产出量，我们预估该跳电事件对1Q11全球NAND Flash供给的减少量最多达5%，预期将使得原本1Q11供过于求的NAND Flash市况转为短缺的状况。

展望后市因目前下游客户库存处于低水位的情况，故东芝的跳电事件，将触发客户库存回补需求提前在12月中回温，短期而言业界预期NAND Flash合约价受此消息激励下，1月中可望反弹。而后续的价格续航力则需视年终圣诞假期NAND Flash相关产品的销售、中国农历年前客户库存回补需求，以及1Q11平板计算机与智能型手机新机型上市状况，若状况佳，将能弥补记忆卡通路市场的淡季效应。