DRAMeXchange: 合约价接近落底，第二季前价格预期将反弹20%至25%

DRAMeXchange: 合约价接近落底，第二季前价格预期将反弹20%至25%

根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，一月上旬合约价已接近底部价位，DDR3 2GB均价约17美元，而低价成交价约在16美元价位左右，跌幅更从先前动辄10%的下跌缩小至5%-6%，而一月下旬合约价方面，目前DRAM原厂与PC-OEM间正洽谈中，预期价格将呈现持平或微幅下跌走势。随着Intel新平台Sandy Bridge于一月初正式发表，加上64位操作系统普及与低价内存因素，预期新主流规格单机将搭载DRAM在4GB或以上，计算机系厂在第一季底及第二季初将开始拉货提高库存准备，将带动DRAM价格反弹20%至25%。

现货市场方面，今年一月以来DDR2与DDR3皆呈现持稳的价格走势，DDR3 1Gb约在0.84美元，而DDR2则在1.35美元上下。由于先前市场价格持续下跌，模块厂及市场通路皆保守因应，维持低库存水位，随着中国新年将近，将会有机会带动一波补货潮，带动价格上扬。

2011年台系DRAM厂的转型与挑战

2010年第三季DRAM厂市占率调查中，韩系DRAM厂已占全球市占率约61.2%，三星一举超过40%的市占率。在韩系DRAM威胁下，台系DRAM也积极往新制程转进或是转型生产非标准型内存以强化市场竞争力。各家台系厂策略布局如下：

尔必达集团－力晶，瑞晶
力晶今年将持续扩大代工方面的投片量，承接非DRAM类型的代工订单，标准型DRAM除了45nm制程进入量产，原63nm也于年初转为生产2Gb颗粒，预计下半年全转为2Gb产出。

瑞晶于第一季投片已全数转为45nm制程，同时二月中开始试产38nm制程，是全台最早导入3xnm制程的厂商，在今年年底前38nm将接近过半，同时年底开始试产32nm。

美光集团－南科，华亚科
南科与华亚科50nm制程目前良率也稳定在75%-80%，产出量更于去年12月大幅成长，42nm初期试产状况不错，预计年中后比例将大幅攀升。

利基型DRAM厂转型成功－华邦电子
华邦则是成功转型为生产利基型内存的DRAM厂，除了利基型DRAM与Mobile DRAM外，亦将提升NOR Flash的比重，并逐步将产能往65nm迈进。

市场机制将带动DRAM产业正向发展

由于DRAM厂总是在景气刚回温即大幅增加资本支出、扩张产能、转进新制程，而当景气转差，面临跌价压力及损失时，因成本考虑仍持续生产，而使DRAM产业价格无法快速回稳， DRAM厂损失持续扩大。但经历2007至2009年，长达三年的亏损，市场仅回温一年，DRAM厂又面临亏损困境，DRAMeXchange认为，在此次下跌趋势中，无政府纾困力量介入，DRAM厂将节制资本支出，市场机制将使竞争力落后的厂商更快速做出调整的脚步，让产业回归正向的发展。因此，DRAMeXchange预期，在今年将有DRAM厂商做出重大方向决策，进而改变DRAM产业的生态发展。