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2025-11-14 14:15:22
第四季度一般型(Conventional
DRAM)合约价将上涨18-23%，若加计HBM，涨幅将扩大至23-28%，并且很有可能再度上修。...
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2025-11-13 14:47:29
DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。
DRAM和NAND Flash产业的投资...
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2025-11-05 10:28:52
三星电子正加速导入10 纳米级第六代（1c）
DRAM 设备，目标在明年初启动HBM4 量产，努力追赶已率先与英伟达签署供应合约并进入量产阶段...
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2025-11-03 11:42:49
目前三星与NVIDIA也正在共同开发HBM4。采用三星第六代10 奈米级
DRAM 与4 奈米逻辑基础晶片（logic base die）的H...
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2025-10-30 15:12:53
中低阶产品则搭配Graphics
DRAM。由于GPU需求维持在高水位，且供应商产品不断推陈出新，个别芯片搭载的HBM容量亦明显提升，拉动H...
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2025-10-29 17:34:30
TrendForce集邦咨询:
DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e根据TrendForce集邦咨询最新调查...
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2025-10-29 07:04:48
明年的HBM、
DRAM和NAND闪存等全产品已确保客户需求·“以最高性能产品积极应对客户需求,引领面向AI的存储器市场”2025年10月29...
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2025-10-27 07:45:48
High Bandwidth Flash）：与堆叠
DRAM芯片的HBM（高带宽存储器）相同，通过堆叠NAND闪存而制成的产品* LLM（大型...
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2025-10-26 17:59:12
围绕AI时代下晶圆代工、
DRAM、NAND Flash、服务器、SiC/GaN、头戴装置等话题发表精彩演讲。为方便大家出行，顺利参会，小编为...
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2025-10-22 09:08:42
同时该公司可生产消费级NAND FLASH模组和
DRAM内存模组。该公司拥有76项有效专利授权，其中发明授权22项，实用新型54项，为国家级...
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