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DDR3内存主要特征
2008-02-28 00:00:00
DDR3是继DDR2以及更早的DDR内存技术之后的新一代产品,该产品将打破千兆赫速度的局限性,将内存速度提升到一个前所未有的水平。DDR3内... [查看更多]
内存及闪存IC测试原理
2008-02-22 00:00:00
芯片测试原理是指在芯片开发和生产过程中芯片测试的基本原理,本文将讨论怎么把这些原理应用到存储器和逻辑芯片的测试上。一、存储器芯片测试介绍存储... [查看更多]
需求不振,现货价格下跌加速,预期底部将有支撑;Apple推出更高容量的iPhone和iPod Touch以满足爱用者的需求
2008-02-19 09:42:24
需求不振,现货价格下跌加速,预期底部将有支撑上周现货市场表现疲软,交头相当低迷,DRAM现货呈现价跌量缩走势。二月原属DRAM需求淡季,今年... [查看更多]
光存储与闪存的原理对比
2008-02-17 00:00:00
对于数据的保存除了经常使用的硬盘以外,还有另外两种常见的方式,一种是以光驱为代表的光存储设备,另一种是以闪存卡为代表的闪存装置。下面从原理上... [查看更多]
长假将至备货买盘力道暂退却,现货价小幅下跌;USB 3.0规格今年问世,预计2009年开始影响随身碟市场
2008-02-05 10:24:12
DRAM价格稳定DDR2 512Mb均价仍守住一美元关卡DRAM现货价自一月初发动回升行情,DDR2 512Mb eTT由0.8美元上涨至碰... [查看更多]
相变内存技术细节
2008-02-05 00:00:00
新研究成果预示“相变”内存的前景一片光明,该内存的处理速度远远快于闪存,并且尺寸也比闪存小得多,从而使未来高密度“非易失性”存储器以及功能更... [查看更多]
DRAM价格稳定DDR2 512Mb守住一美元;iPod和iPhone仍为 2008年影响NAND Flash市场需求的最重要产品之一
2008-01-29 14:12:23
DRAM价格稳定DDR2 512Mb守住一美元DRAM现货价经过一周(1/17-1/21)激情地演出,价格强劲反弹15.6%,上周(1/22... [查看更多]
IC芯片封装形式全面解析
2008-01-27 00:00:00
1、BGA(ball grid array)球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基... [查看更多]
DDR2 eTT 1Gb现货价劲扬23%,一月下旬合约价持平或微涨3%;Apple展示令人惊艳的MacBook Air可选配64GB SSD
2008-01-22 17:59:01
DDR2 eTT 1Gb现货价劲扬23%,一月下旬合约价持平或微涨3%DDR2 512Mb eTT及DDR2 512Mb 667MHz品牌颗... [查看更多]
筑底完成,DDR2 512Mb逐步走坚,上攻1美元;UMPC与MID搭配无线宽带网络将带来NAND Flash的新应用商机
2008-01-15 15:59:06
筑底完成,DDR2 512Mb逐步走坚,上攻1美元开春第一周,DDR2 512Mb eTT现货价格维持在0.84美元到0.85美元之间,呈现... [查看更多]