DDR3封装形式尚未定论，DRAM封装产业谨慎扩产

2006年DRAM产业经历了一段美好的时光，而台湾后段封装业者也跟着雨露均沾。虽然各家封测业者经过2001年空头洗礼后资本支出便较为谨慎，但是在台湾地区12寸DRAM新产能持续增加的激励下，各家后段封装测试厂商也依照DRAM厂商的扩产计划纷纷增加资本支出。其中日月光、硅品等两家世界级的封测大厂也在2006下半年加入DDR2后段封装测试的战局，使得DDR2封测产业的供需状况增加许多变量。

台湾地区由于DRAM产业规模逐渐扩大而产生群聚效应，因此专业分工的上下游的供应炼渐趋完整。台系后段封测厂商跟随着上游DRAM业者扩产计划而大量增加产能。根据DRAMeXchange统计，2007年第二季台系厂商的DDR2后段封装产能(wBGA加上µBGA)单月产能约219M，占全球DDR2颗粒产出数量将近40%水平。尽管韩国DRAM厂商仍采取in house策略，但是随着下半年台湾DRAM业者12寸新产能陆续开出，后段封测业者也会跟着扩充产能，预估至年底台湾地区DDR2后段封装产能占全球DDR2产出比重将可达到45%水平(Figure-1)。

而随着每一家DRAM厂商后段外包策略的不同，后段封装业者扩产计划也随着上游DRAM厂商策略而有所不同。部份DRAM厂商甚至往下游投资后段封装测试厂商，形成虚拟策略联盟。其中力成(PTI)为主要代表，由于其大股东金士顿以及尔必达支持下，尽管DRAM产业不景气，但是DDR2封装产能仍随着尔必达与力晶产能的开出而增加，其µBGA以及wBGA的DDR2封装产能单月便达60-70M的水平，为台系厂商中规模最大的厂商。而福懋科(FATC)隶属于台塑集团，因此随着华亚科以及南亚科的扩产，DDR2单月封装产能也达到40M以上的规模。

此外，南茂(ChipMOS)以及华东(Walton)的主要客户分别为茂德以及华邦等DRAM业者。至于台湾最大的封测厂商日月光(ASE)与硅品(SPIL)也因为DDR世代便提供些许TSOP封装产能给台湾DRAM业者，因此也延续客户之前的DDR下单数量而扩充DDR2产能。其中日月光在载板业务考虑下，与力晶合资成立日月鸿(Power ASE)，单月DDR2 wBGA封装产约10-20M左右并且也购买了些许T5593/5588等测试设备提供turn key服务。至于硅品也有兴趣切入DRAM封测领域，目前单月DDR2封装产能也达10M以上。整体而言，DDR2封装产能不虞匮乏。

然而2007年上半年DRAM产业因供过于求造成价格崩跌，估计今年第二季DDR2平均价格较去年同期相比下跌了55%水平，并且跌破所有DRAM业者的成本，使得DRAM业者蒙受极大亏损。以目前DDR2合约价格下跌至1.7美元为例，后段封装测试成本便占DRAM售价的三成以上，因此DRAM业者便以减少测试秒数，或是直接卖出晶圆来减少后段封装以及测试成本，以因应DRAM价格快速下滑。但也使得封装测试业者产能利用率下滑。此外，DRAM厂也不断的要求封装测试业者降价，目标希望将后段封装测试成本压到DRAM售价的20%以下。对于后段业者而言形成不小压力。

而现阶段后段封测业者面临DRAM产业的不景气，也开始对于DDR2封装产能的扩产计划而有所节制。除了DRAM价格的大幅下跌之外，另外一个原因为下一阶段的DDR3封装形式仍未完全拟定。目前DRAM业者在DDR3的封装上，除了延续现有的wBGA之外，也考虑使用效能以及信赖度较好的µBGA封装形式(Figure-2)。此外直接在晶圆阶段时便作封装的Wafer level CSP(Figure-3)也是后段封装业者希望切入的应用，主要优势在于可以省下部分导线价等相关成本，虽然成本结构较好，但难度也相对较高。而部份封装业者也有考虑在DDR3世代导入 Flip Chip的封装形式，虽然Flip Chip封装形式具有电性佳、尺寸小、散热佳及高功能等优点，但售价相对较贵。目前各家后段封装业者在各种利益考虑下希望推出不同形式的封装方式，但在结果仍未定论之前仍不愿意大举扩充DDR2封装产能，对于整体后段装产业而言，将有助于避免杀价竞争的恶性循环。