第三季NAND Flash价格下滑加剧；三星研发出10纳米FinFET制程SRAM

第三季NAND Flash价格下滑加剧

NAND Flash市场在第三季度并未迎来预期中的旺季行情，反而是供过于求的格局持续上演。根据TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange最新调查报告显示，第三季度NAND Flash价格下滑速度加快，整体营收较第二季度仅成长约2.4%。

厂商方面，三星电子依旧占据着最大的市场份额，但营收相比上季度下滑1%，录得26.8亿美元；而东芝和闪迪则没有受到价格下滑行情的影响，营收分别为17.4亿美元和13.1亿美元，逆市增长10.2%和17.7%；除此之外，美光、SK海力士以及英特尔营收都呈现不同程度的下滑。

根据各厂商技术演进和产线分布情况来看，15/16纳米制程以及3D-NAND SSD是大家下一步争夺的焦点。其中，步子迈得最快的厂商当属三星电子，其3D-NAND SSD和16纳米eMMC/eMCP布局完整，并不断加强营销力度，试图拉开与其它厂商的差距。

展望未来，DRAMeXchange研究协理杨文得认为，第四季度NAND Flash供过于求的行情还会持续，各厂商营收和利润都将再次面临考验。

2016年智能手机出货恐仅增长7.3%

今年，全球智能手机出货动能持续减缓，前几年动辄两位数以上的增长率早已不复存在。根据TrendForce最新研究报告显示，预计2015年智能手机的出货量将达到12.86亿部，年增9.7%。中国智能手机品牌的整体出货虽然也在转弱，但表现优于全球市场，年增长（含外销）达14.5%。

回顾2015年的智能手机市场，苹果还是那个苹果，其在高端市场的霸主地位依旧不可撼动；而三星虽然守住了市占率第一的位置，但在苹果和众多中国厂商的挤压下，经营倍加辛苦；中国品牌华为则逆市飘红，出货量首次超过一亿部，羡煞旁人。

对于2016年的发展趋势，TrendForce智能手机分析师吴雅婷表示，从市场格局来看，中国品牌厂商出货动能仍会高于全球平均水平，而印度则会成为各厂商争夺的新战场；从硬件规格来看，高端旗舰智能机将首选14/16纳米制程芯片以及4GB/6GB的行动式内存，而屏幕则会由HD升级至FHD

另外，龙头厂商方面，苹果预计会在明年第二季度发布C系列升级版4寸手机，其明年下半年发布的iPhone 7则将主打防水功能。相比之下，由于目前三星旗舰机都属顶级规格，所以明年其在硬件创新方面的力度非常有限。

三星研发出10纳米FinFET制程SRAM

三星再一次向人们展示了其在存储方面的雄厚技术实力。

11月17日，根据韩国媒体报道，三星宣布已研发出世界上第一颗基于10纳米FinFET制程的SRAM（静态随机存取存储器），这意味着三星10纳米制程技术或许已经超越了台积电，甚至是英特尔。

事实上，世界首个10纳米晶圆在今年7月就已经被制造出来，但由于技术难度大，各大半导体厂商都相继延后了10纳米制程的开发进度。三星此番成功开发新一代SRAM，表示其制程工艺在演进至10纳米的过程中较为顺利，而其竞争对手台积电和英特尔的SRAM的制程技术目前还分别停留在16纳米和14纳米阶段。

据了解，和14纳米的SRAM相比，10纳米的存储器不仅面积更小，其运算效能也大幅增加。韩国媒体还报道表示，三星希望能在明年年底将该技术完成商业化，并在2017年年初进入全面量产，如果这一进程得以实现，将使三星在相关产品的代工订单争夺中占得有利位置。