【一周热点回顾】Q2全球DRAM总营收增长6.3%；美光推首款移动设备3D NAND芯片

Q2全球DRAM总营收增长6.3%

TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新报告显示，第二季DRAM的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%，然而在美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利并带动位元增加的情况下，第二季全球DRAM总营收约为91亿美元，季增长6.3%。

从第二季企业营收来看，三大DRAM厂营收均有增长，三星（8.7%）、SK海力士（4%）和美光（8.8%）依然牢牢占据前三的位置。

从竞争格局来看，三星市场份额高达47.4%，且其20纳米已成为各产品线中稳定的主流制程，是三大厂商当中成本最低的企业。SK海力士市场份额尽管有小幅下降，从27.1%下降到26.5%，但依然稳居亚军，而美光集团因为20纳米产出比重稳定提升，市场份额从第一季度的18.5来到19.0%。

此外，华邦电子营收在第二季有小幅增长，南亚科和力晶科技营收则有所下滑。

美光推首款移动设备3D NAND芯片

近年来，VR和流媒体视频等新应用方式越来越普及，高分辨率视频、游戏和摄影等功能对移动存储和内存提出了更高的要求。为了进一步增加移动设备的的存储空间，8月9月，美光正式推出了首款面向中高端智能手机市场的32GB 3D NAND存储产品。

该款3D NAND芯片是业内首款基于浮栅技术的移动产品，也是业内最小的3D NAND存储芯片，面积只有60.217 mm2，同时采用UFS 2.1标准的存储设备，让移动设备实现一流的顺序读取性能；基于3D NAND的多芯片封装 (MCP) 技术和低功耗LPDDR4X，使得该闪存芯片比标准的LPDDR4存储的能效多出20%。此外，与相同容量的平面NAND芯片相比，美光3D NAND芯片的尺寸可以缩小30%。

美光科技移动产品事业部副总裁Mike Rayfield表示，“3D NAND提高了性能和容量并增强了可靠性，有助于满足客户对移动存储不断增长的需求，并能实现更加卓越的终端用户体验。”

据了解，目前美光的移动3D NAND解决方案正在向客户和合作企业提供样品，预计将在今年年底全面上市。

三星64层3D NAND即将开卖

近日，三星突破存储密度新高，实现第四代V-NAND（立体堆叠3D NAND）64层晶粒（DIE）堆叠技术，并于8月11日宣布，该款产品将在今年第四季度开始售卖。

与三星48层3D NAND闪存芯片相比，三星新一代立体堆叠的V-NAND芯片的容量更大，传输速度更快，可以实现单独晶粒（DIE）512Gb (64GB)的存储容量，单独晶粒数据传输速度可达100MB/S。

目前，三星已经计划将该技术率先应用到企业级SSD产品中，三星的目标是在2020年量产容量达100TB的SSD固态硬盘。此外，统筹三星半导体部门的金奇南表示，“预计在不就的将来能够开卖采用100层以上的3D NAND产品。”

除了三星之外，东芝、美光也在3D NAND领域频频布局，各厂商之间的技术争夺也越来越激烈。

2016上半年全球笔电出货7418万台

2016年上半年，全球笔记本电脑出货表现优于预期。据全球市场研究机构TrendForce集邦科技最新笔记本电脑出货报告显示，2016上半年全球笔记本电脑出货达7418万台，与去年同期相比仅衰退4%。

从市场占有率的情况来看，2016年上半年，全球笔记本电脑市占率排名前五的企业分别是联想（21.8%）、惠普（21.3%）、戴尔（15.3%）、华硕（10.9%）和苹果（7.9%）。

其中，联想因第二季在美洲和亚太地区亮眼的销售表现，带动上半年整体出货达1615万台，同比去年增长4.1%；排名第二的惠普尽管季出货成长高达17.9%，但并未能填补其在上一季出货过低的缺口，同比仅增长为1.6%；而戴尔受益于第二季Chromebook新品上市，同比增长高达11.1%。

值得注意的是，华硕在今年上半年的表现最为稳定，季出货量均在400万台左右，同比增长1.5%，而苹果尽管受惠于改版的12寸新机种的带动，季出货大幅增长30.3%，但是排名前五的厂商中唯一一家同比去年呈现负增长的企业，增长率为-23.4%。

TrendForce预估2016下半年笔记本电脑出货将旺季不旺，上下半年出货比例约为47:53。