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【专题报导】【一周热点】紫光集团组建DRAM事业群;中芯晶圆8英寸硅片下线;中兴通讯设计并量产7nm芯片

来源:全球半导体观察       

紫光集团组建DRAM事业群

6月30日,紫光集团正式发文公告组建DRAM事业群,由曾任工信部电子信息司司长的刁石京担任事业群董事长,而CEO由高启全担任。这也是在晋华事件后,中国自主开发DRAM产品的另一新里程碑。

根据集邦咨询推估,紫光已有长江存储的盖厂经验,且盖厂人员未有大异动下,迅速完成DRAM新厂的兴建并不困难。

地点方面,紫光集团除了在南京有工厂正在兴建外,跟重庆亦有密切的合作,不排除是其新工厂的另一选择;技术方面,紫光国微具有DRAM相关产品的研发实力,未来若能整合至紫光,将助力其DRAM事业群发展。目前紫光欠缺的是DRAM的制程技术,这部分预计可望藉由其新任CEO的业界人脉进行补强。

此次紫光集团组建DRAM事业群,其原因分析如下:首先是福建晋华事件最终导致量产与未来研发之路都不容易。其次是虽然合肥长鑫五月在上海参加全球半导体联盟存储器论坛时,预计今年底量产8Gb的DRAM产品,但仅有一家正在进行的DRAM厂对中国自主开发DRAM产品的目标而言是不足的,特别在中美贸易摩擦之后,如何拥有与国际接轨与竞争的产品,是中国目前至关重要的议题。

中芯晶圆首批8英寸硅片下线

6月30日,中芯晶圆的首批8英寸(200mm)半导体硅抛光片顺利下线,这是出自杭州制造的第一批大硅片。随着该项目进入送样试产阶段,预计今年10月将实现8英寸硅片的量产,明年二季度将达到月产35万枚的规模。

杭州中芯晶圆由日本Ferrotec株式会社、杭州大和热磁电子有限公司及上海申和电子有限公司共同出资10亿美元设立。2017年9月28日,中芯晶圆落户钱塘新区,首个项目包括3条8英寸(200mm)、两条12英寸(300mm)半导体硅片生产线。

此外,中芯晶圆12英寸硅片也将在今年12月完成下线、送样认证,于明年实现量产。未来量产后,中芯晶圆可实现8英寸半导体硅片年产420万枚、12英寸半导体硅片年产240万枚,年产值近40亿元。

中兴高管透露已量产7nm芯片

近日,中兴通讯执行董事、总裁徐子阳接受了央视《对话》栏目的采访,徐子阳在采访中透露,在关键芯片方面,中兴通讯已经能够设计7纳米的芯片,并且量产,同时5纳米的工艺也在紧张的准备当中。

徐子阳表示,在经历去年极端危险和艰难的时刻之后,中兴通讯的全体同仁仍然团结一致,齐心协力的为5G的最后冲刺而拼搏。尽管对营销费用和平台费用做了裁减,但在研发方面依然保持着年初预定的数额,并且还要增长。

在年度股东大会上,徐子阳曾强调,中兴通讯将继续加大在芯片领域的投资,重点投入操作系统和芯片。作为中兴通讯芯片业务发展的核心利器,中兴微电子目前可以做到通讯里面专用芯片的全部自主设计,通过合作伙伴代工生产,目前已经熟练掌握了10nm和7nm的工艺,同时研发也正在向5nm制程进发。

韩国加大对半导体材料等研发投入

根据《韩联社》报导,7月3日韩国产业通商资源部决定对半导体材料、零部件、设备研发投入6万亿韩元的预算。报导进一步指出,关于这6万亿韩元的投资未来是如何分配,韩国产业部表示,基于上月发布的制造业复兴战略,进一步细化了关于材料、零组件、设备产业的投资方向。

具体来看就是首先在2020年起的10年内,韩国对半导体材料、零组件、设备研发投入1万亿韩元的项目已完成可行性调查。至于普通材料、零组件、设备,韩国政府正在对从2021年开始的6年内投入5万亿韩元的方案进行可行性调查。

有资料显示,2017年韩国半导体材料自产率为50.3%,近期的成长有限。而且韩国在“光刻液”、“高纯度氟化氢”的产量趋近于零。尤其是在半导体铺上电路曝光制程中,需要在硅晶圆上涂上多层“光刻液”,该核心材料目前100%来自日本。

苏州国芯拟科创板上市

7月2日,江苏证监局披露了苏州国芯科技股份有限公司(以下简称“苏州国芯”)上市辅导备案信息。信息显示,苏州国芯拟首次公开发行股票并在科创板上市,现已接受中信建投的辅导,并于4月26日在江苏证监局进行了辅导备案。

资料显示,苏州国芯成立于2001年,注册资本1.8亿元人民币,是一家从事国产自主嵌入式CPU技术和芯片研发与产业化应用的集成电路企业,先后承担和完成了“32位嵌入式CPU设计及其产业化”、“嵌入式存储器IP核开发及应用”等多个“核高基”国家重大科技专项。

2018年8月,苏州国芯完成股权变更,获得国家集成电路产业投资基金股份有限公司投资并成为其新增股东之一。2018年11月,江苏省委常委、苏州市委书记周乃翔等领导班子一行在调研苏州国芯时明确表示,将积极支持苏州国芯在科创板上市。

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