内存频率提升了，所以内存功耗也随之增加，但在默认情况下，主板BIOS中内存电压参数是被设置为内存标准频率的数值，通常来说，为了确保内存超频的稳定性，我们需要增加内存电压，适当的增加内存电压确实可以对超频后的不稳定状况带来一定的帮助，但是同时也会对内存的使用寿命造成比较大的影响。很多主板BIOS设置中都提供了内存电压调节功能，同时内存电压调节级别一般以0.05V或0.1V为档次逐渐调节，内存电压参数调节越细微，对超频越有帮助。
混合硬盘(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬盘和闪存集成到一起的一种硬盘。目前通常使用的闪存是NAND闪存。机本原理是将Flash芯片添加到硬盘上，借助于大容量闪存，可以大大缩短系统引导时间。混合硬盘是处于磁性硬盘和固态硬盘（SSD: Solid State Disk）中间的一种解决方案。
RIMM（Rambus Inline Memory Module）是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型，RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM有也184 Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。由于RDRAM内存较高的价格，资料的输出方式为串行，与现行使用的DIMM模块168pin，并列输出的架构有很大的差异，RIMM接口也就难得一见了。
闪存驱动器是一种小型的便携式设备，该设备可以插入计算机的 USB 端口中。它采用的存储介质为闪存(Flash Memory)。闪存盘不需要额外的驱动器，将驱动器及存储介质合二为一，只要接上电脑上的USB接口就可独立地存储读写数据。闪存盘体积很小，仅大拇指般大小，重量极轻，约为20克，特别适合随身携带。闪存盘中无任何机械式装置，抗震性能极强。另外，闪存盘还具有防潮防磁，耐高低温（-40°C ~ +70°C）等特性，安全可靠性很好。
PRAM（Parallel Random Access Machine）模型是单指令流多数据流（SIMD）并行机中的一种具有共享存储的模型。它假设有一个无限大容量的共享存储器，并且有多个功能相同的处理器，在任意时刻处理器可以访问共享存储单元。根据是否可以同时读写，它又分为以下三类：PRAM-EREW，PRAM-CREW，PRAM-CRCW（其中C代表Concurrent，意为允许并发操作，E-代表Exclusive，意味排斥并发操作）。在PRAM中有一个同步时钟，所有的操作都是同步进行的。
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