PRAM内存技术简介

PRAM（Parallel Random Access Machine）模型是单指令流多数据流（SIMD）并行机中的一种具有共享存储的模型。它假设有一个无限大容量的共享存储器，并且有多个功能相同的处理器，在任意时刻处理器可以访问共享存储单元。根据是否可以同时读写，它又分为以下三类：PRAM-EREW，PRAM-CREW，PRAM-CRCW（其中C代表Concurrent，意为允许并发操作，E-代表Exclusive，意味排斥并发操作）。在PRAM中有一个同步时钟，所有的操作都是同步进行的。

PRAM是由英特尔和数家其它公司联合开发的一种非挥发性内存，被认为可能取代闪存，甚至是DRAM。PRAM内存可在芯片供电中断时保存数据，与普通闪存的工作原理相同。但PRAM写入数据的速度要比闪存块30倍，其寿命周期也将至少提高十倍。缺点是不现实，首先容量无限大的存储器是不存在的，而且由于各方面的原因，全局访存通常要比预想的慢。其次，他忽略了通信带宽的影响。优点是结构简单，便于进行理论分析。具有局部存储器的PRAM模型称作LPRAM模型，具有异步时钟的PRAM模型称作APRAM模型。