主流DDR2内存定义

DDR2的定义

DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它采用了在时钟的上升/下降延时同时进行数据传输的方式，使DDR2内存拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。也就是说，每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 DDR2标准规定DDR2内存均要采用FBGA封装形式，和目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式是不同的。因为FBGA封装可以提供了更良好的电气性能和散热性，只有采用新的封装形式，DDR2内存才能稳定工作并且逐步提高运行频率。

第一代DDR的技术已经发展到了极限，很难再提高内存的工作频率；随着CPU主频的提高，前端总线对内存带宽的要求也更高，第一代DDR技术势必会被淘汰而有着较高频率的DDR2内存会有更好的发展前途。

DDR2与DDR的区别

DDR2内存除了与DDR内存在颗粒等方面外形上的不同，从技术角度来说也有着更多的不同之处。我们主要从以下三个方面进行探讨。

1、内存时序延迟问题：

在相同的核心频率情况下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这是因为DDR2内存拥有两倍于DDR内存的4BIT预读取能力。虽然DDR2和DDR进行数据传输的基本方式一样，但DDR2却拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。 但是在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。所以较高的内存时序延迟问题，也影响了DDR2内存的性能，不过DDR2过高的工作频率可以弥补这个缺点。

2、内存的封装和发热量：

DDR2内存除了有两倍于DDR的传输能力，更重要的是它采用更低发热量、更低功耗的FBGA封装形式，使DDR2可以轻松实现频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。因为DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式超过200MHz或更高频率时，它的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，会影响它的稳定性和频率提升。而DDR2内存均采用FBGA封装形式，提供了更好的电气性能与散热性，所以相对DDR来说更容易超频。。

3、DDR2采用的新技术：

相比较DDR,DDR2采用了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。

简单地总结一下，DDR2采用了FBGA封装形式和新技术，以较低的发热量和较高的工作频率，能够满足未来PC对内存带宽的要求，在DDR3内存还没有普及的情况下，DDR2内存在未来的几年里仍是内存技术发展的主流。当然DDR2内存较高延迟等缺点也是不容忽视的。但是瑕不掩玉，淘汰DDR，推行DDR2已是各大IT厂商主要工作。

DDR2 与 DDR3 的差异

目前，DDR2内存在市场上如火如荼，如日中天。但是DDR2也不是没有缺陷的。随着技术的更新，人们更多的期望DDR3内存能替代DDR2，成为市场的宠儿。那么DDR2与DDR3的差异在哪？

1.              DDR3 采 8 bit 预取设计，较 DDR2 4bit 的预取设计为倍数成长，运算频率介于 800MHz -2100MHz 。

2.              DDR3 的规格要求将电压控制在 1.5V ，比 DDR2 的 1.8V 更为省电。

3.              DDR3 采用 ASR(Automatic self-refresh) 的设计，以确保在数据不遗失情况下，尽量减少更新频率来降低温度。

4.              DDR2 为 0.11um 制程上生产， DDR3 估计会在 90nm或65nm的制程上量产。

5.              DDR3采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

仅从技术角度上分析，DDR3取代DDR2指日可待。